Институт радиотехники и электроники РАН

125009, Москва, Моховая, 11, строение 7
Тел.: (095) 203 4993,
Факс: (095) 203 8414
E-mail: mailto:chusov@mail.cplire.ru>
www.issp.ac.ru

141120, Фрязино Московской обл., площадь Введенского, 1.
Тел.: (095) 526 9254, (095) 526 9277
E-mail: mailto:imk216@ire216.msk.su

 

ИРЭ РАН организован в 1953 году. В настоящее время в его состав входят московская и фрязинская части, саратовский и ульяновский филиалы. Общая численность сотрудников 2000 человек. Исследования в области слабой сверхпроводимости и сверхпроводниковой электроники проводятся в пяти отделах института (общее число сотрудников, занятых в этой области,
- 80 человек). В институте имеется современное технологическое и измерительное оборудование:

  • для получения НТСП и ВТСП пленок и структур на их основе (4 напылительные установки,
    две установки литографии, две чистые комнаты, 2 установки плазмохимического травления),
  • для выращивания ВТСП вискерных монокристаллов,
  • криогенные измерительные комплексы для исследования электрофизических,
    гальваномагнитных и сверхвысокочастотных свойств сверхпроводников.
  • для выращивания монокристаллов галлата неодима,
  • для изготовления бикристаллических подложек,
  • для рентгеноструктурного анализа.

Основные направления исследований - изучение физических свойств слабосвязанных сверхпроводниковых систем; выяснение возможности их использования для регистрации и обработки слабых электромагнитных сигналов; создание действующих лабораторных макетов сверхпроводниковых электронных устройств с уникальными параметрами.

АДМИНИСТРАЦИЯ

Директор - академик Гуляев Юрий Васильевич,
gulyaev@cplire.ru

ВЕДУЩИЕ СПЕЦИАЛИСТЫ

Лаборатория 235

Выставкин Александр Николаевич д.т.н., заведующий отделом
Тел: (095)203-53-89
vyst@hitech.cplire.ru

Кошелец Валерий Павлович, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник
Тел:(095)203-27-84
valery@hitech.cplire.ru

Овсянников Геннадий Александрович, д.ф.-м.н., ведущий научный сотрудник
Тел:(095)203 09 35
gena@hitech.cplire.ru

Тарасов Михаил Александрович, д.ф.-м.н., ведущий научный сотрудник
Тел:(095)203-27-84
tarasov@hitech.cplire.ru

Шитов Сергей Витальевич, к.ф.-м.н., с.н.с.
Тел:(095)203-27-84
sergey@hitech.cplire.ru

Константинян Карен Иванович , к.ф.-м.н., с.н.с.
Тел:(095)203 09 35
karen@hitech.cplire.ru

Зайцев Александр Викторович , к.ф-м.н., с.н.с.,
Тел:(095)203 09 35
zaitsev@hitech.cplire.ru

Можаев Петр Борисович, к.ф.-м.н., научный сотрудник
Тел:(095)203 09 35
pbmozh@hitech.cplire.ru

Лаборатория 216

Котелянский Иосиф Моисеевич, д.т.н., заведующий лабораторией
imk216@ire216.msk.su

Лузанов Валерий Альбертович, к.ф.-м.н., с.н.с.
imk216@ire216.msk.su

Лаборатория 219

Кравченко Валерий Борисович,заведующий лабораторией
vbk219@ire216.msk.su

Соболев Александр Терентьевич, с.н.с.

Лаборатория 186

Латышев Юрий Ильич, д.ф.-м.н,заведующий лабораторией
lat@cplire.ru

Горлова Ирина Геннадьевна, к.ф.-м.н.,с.н.с.
lat@cplire.ru

Лаборатория 185

Артеменко Сергей Николаевич, д.ф.-м.н., профессор заведующий лабораторией
art@cplire.ru

КООПЕРАЦИИ

Разработка установок лазерной микроскопии электрических неоднородностей в ВТСП джозефсоновских переходах и пленках

Университет Тюбинген (Германия)
Получение субмикронных слоистых ВТСП структур с внутренним эффектом Джозефсона Университет Тохоку (Сендай, Япония)

Электромагнитные характеристики пленок типа металл/ВТСП и ВТСП/магнетик

Институт электроники Болгарской академии наук (София, Болгария)

Слабосвязанные структуры на металлоксидных купратных сверхпроводниках

Институт радиоэлектроники Словацкой академии наук (Братислава, Словакия)

Исследование характеристик тонких пленок и джозесоновских переходов из металлоксидных купратных сверхпроводников на субмм волнах

Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Армении (Аштарак, Армения)

Разработка и создание чувствительных магнетометрических систем на основе СКВИДов из купратных сверхпроводников для биологических иссследований и неразрушающего контроля

Исследовательский центр Юлиха (Германия)

Исследования ВТСП структур при низких температурах и в сильных магнитных полях

Центр исследований при низких температурах (Гренобль, Франция)

Теория межслоевого туннелирования в слоистых ВТСП структурах

Лос Аламоская Национальная Лаборатория (Лос Аламос, США)

Теория динамики и диссипации движущейся решетки джозефсоновских вихрей

Аргоннская Национальная Лаборатория (Аргонн, США)

Исследование сверхпроводниковых структур из металлоксидных купратных сверхпроводников

ИФТТ РАН (Черноголовка)

Бикристаллические джозефсоновские переходы на металлоксидных купратных сверхпроводниках

ИКАН (Москва)

IRE.jpg (135717 bytes)

 

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И
ДИАГНОСТИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА.

 

Чистые комнаты, 2 (Класс 1000).
Фурье-спектрометр (Beckman, Англия).
            300 ГГц - 10 ТГц
Квазиоптическая измерительная установка для исследований на субмиллиметровых волнах в диапазоне частот 250 ГГц - 1,5 ТГц (на основе семейства ламп обратной волны и постоянных магнитов из сплава неодим-железо-бор).
                         Измерение коэффициентов отражения и пропускания пассивных элементов,
                         исследование АЧХ в широком диапазоне частот.

Год приобретения
1978 г. 
            Высоковакуумная напылительная установка (Leybold AG, Z 400).
              2 ВЧ-магнетрона
              2 ВЧ-катода
              термический испаритель
              Рост= 5*10-7 мбар

1985 г.
            Высоковакуумная напылительная установка (Leybold AG, A 700).
              магнетроны - высокочастотный и на постоянном токе,
              Рост=5*10-7 мбар

1986 г.
           Установка плазмо-химического травления (Secon XPS - 500 V).
              Тип: планарный, режимы плазменного и реактивного ионного травления
              Диаметр рабочей зоны - 220 мм
              2 газовых ввода
              Генератор: 500 Вт, 30-100 кГц
           Измерительный микроскоп (Leitz, Ergolux).
              Eyepieces: 10X Objective: NPL 5X, 10X, 20X, 50X, 100X
              Stage: 9” x 11” Movement: (Y) 6” (X) 6”
              Brightfield & Darkfield Reflected Light Illuminator Type: 100W Halogen
              Trinocular Head


1989 г.
            Модифицированная высоковакуумная напылительная установка (Leybold AG, Z-400, Германия).
                Рост эпитаксиальных пленок из металлооксидных сверхпроводников и оксидов.


1990 г.
             Установка для фотолитографии (Karl Zuss, MA 150)
                УФ источник 400 и 300 нм, разрешение 0,5 мкм.
             Автоматизированная измерительная система на базе PC-486 с высокой экранировкой от помех (малошумящие                усилители PAR5301, PAR5210, PAR124A (“EG&G”, США) и нановольтметры Keithley 2001+1801, (“Keithley”, США)).
                Измерение электрофизических и СВЧ параметров слабосвязанных сверхпроводниковых структур при T=3-300 K и                   магнитных полях B=0-0.1 Tл, частота СВЧ сигналов f=30/150 ГГц.


1991 г.
             Сверхвысоковакуумная напылительная установка (Leybold AG, L 560).
                2 - на постоянном токе и 1 ВЧ - магнетроны,
                ионная пушка,
                Рост= 2*10-8 мбар.

1996 г.
              Автоматизированная измерительная система на субмм волнах (генераторная лампа ОВ-32, высоковольтный блок                питания, оригинальная система задания постоянного смещения).
                Измерение аплитудно частотных и шумовых параметров субмм приемников при Т=30-77К.

2000 г.
             Установка химико-механической полировки (Allied Techprep 8).

2001 г.
             Установка плазмо-химического травления (March Jupiter II) (second-hand).
               Тип: планарный, режим реактивного ионного травления
               Диаметр рабочей зоны - 100 мм
               4 газовых ввода
               Генератор:600 Вт, 13,56 МГц

РЕЗУЛЬТАТЫ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
ЗА ПОСЛЕДНИЕ 5 ЛЕТ

С.В. Шитов, В.П. Кошелец, А.М. Барышев, Л.В. Филиппенко, П.Н. Дмитриев, А.Б. Ермаков, Г.В. Прокопенко
         Разработана концепции, изготовлен и испытан интегральный приемник субмм волн для радиоастрономии и мониторинга
         атмосферы. В диапазоне 480-520 ГГц была получена двухполосная шумовая температура порядка 100 К, что близко к
         квантовому пределу, испытан 9-ти элементный матричный интегральный приемник.

В.П. Кошелец, С.В. Шитов, А.М. Барышев, П.Н. Дмитриев, Л.В. Филиппенко, А.Б. Ермаков, Г.В. Прокопенко, А.С. Соболев
         С помощью принципиально новой методики была измерена ширина линии излучения сверхпроводникового генератора
         гетеродина (ФФО) на частотах вплоть до 700 ГГц. В диапазоне частот 250 - 700 ГГц продемонстрирована возможность
         фазовой  синхронизации сверхпроводникового ФФО на основе распределенного туннельного перехода к внешнему опорному
         синтезатору. Измеренная ширина линии излучения существенно меньше фундаментального уровня, определяемого
         дробовыми и тепловыми шумами автономного ФФО, и соответствует частотной стабилизации лучше, чем 2*10-12.

П.Н. Дмитриев, Л.В. Филиппенко, И.Л. Лапицкая, С.А. Ковтонюк, А.Б. Ермаков, Г.В. Прокопенко, В.П. Кошелец
         Для изготовления интегральных СВЧ схем, СКВИДов, а также цифровых сверхпроводниковых устройств в ИРЭ РАН создана
         технология изготовления сверхпроводниковых интегральных микросхем на основе высококачественных туннельных переходов
         Nb-AlOx-Nb микронных размеров с плотностью тока до 7 кА/см2. Эта технология оптимизирована для изготовления
         интегральных схем средней степени интеграции с числом тонкопленочных слоев до 12. Разработана методика изготовления
         СИС-переходов с туннельным барьером из AlN, получены структуры с плотностями тока до 200 кА/см2.

Г.В. Прокопенко, С.В. Шитов, И.Л. Лапицкая, В.П. Кошелец
         Разработан и экспериментально исследован сверхчувствительный СВЧ усилитель на основе двухконтактных СКВИДов
         постоянного тока. Для однокаскадного СКВИД-усилителя на частоту 4 ГГц с полосой около 600 МГц получено усилением           более10 дБ, шумовая температура менее 1 К и уровень насыщения по входу более 60 К.

A.В. Зайцев
         Развит микроскопический метод, на основании которого теоретически изучены электронные транспортные     
         фазово-когерентные   явления в гибридных сверхпроводниковых (в том числе джозефсоновских) гетероструктурах,
         содержащих сверхпроводящие,нормальные и/или ферромагнитные металлы.

И.В. Борисенко, Ф.В. Комиссинский, Г.А. Овсянников
          Разработаны оригинальные методики изготовления YBCO джозефсоновских переходов на бикристаллической 
          сапфировой подложке и гибридных гетеропереходов Au/YBCO и Nb/Au/YBCO микронных размеров.

К.И. Константинян, И.В. Борисенко, Ф.В. Комиссинский, Г.А. Овсянников
         Проведены экспериментальные исследования температурных, магнетополевых, динамических высокочастотных (вплоть до
         ТГц  диапазона частот) электронного транспорта, слабосигнальных детекторных и шумовых свойств сверхпроводниковых
         джозефсоновских микроструктур и гетеропереходов микронных и субмикронных размеров.

Ю.И. Латышев
          1. Обнаружена квантовая интерференция фрелиховской проводимости в NbSe3 на колоннообразных дефектах, содержащих
          магнитный поток. Период осцилляций магнетосопротивления соответствует ”cверхпроводящему” кванту потока, hc/2e на
          дефект. Это является первым наблюдением квантования потока на коллективной моде в несверхпроводящих материалах.
          2. Разработана методика получения субмикронных слоистых структур для исследования межслоевого туннелирования и
          внутреннего эффекта Джозефсона в слоистых материалах ВТСП. На этих структурах впервые убедительно
          продемонстрирован    стационарный внутренний эффект Джозефсона. Период соответствующих фраунгоферовских 
          осцилляций составляет ~1 Тл, что  указывает на возможность создания СКВИДа на подобных переходах в области сильных            магнитных полей. На субмикронных структурах этого типа продемонстрирован переход от внутреннего джозефсоновского            туннелирования к кулоновской блокаде.
          3. Показано, что межслоевые туннельные ВАХ слоистых структур Bi-2212 при низких температурах существенно отличаются            от туннельных характеристик обычных джозефсоновских переходов между сверхпроводниками с s-волновой симметрией.
          Установлено сильное расхождение с соотношенем Амбегаокара-Баратова (А-Б), квадратичные зависимости квазичастичной
          туннельной проводимости sigmaq(T,V) от температуры и напряжения sigmaq(T,0) = sigmaq(0,0)(1 + aT2);
          sigmaq(0,V) =  sigmaq(0,0) (1 +bV2); конечное и  универсальное значение sigmaq(0,0). Найдено новое
          эмпирическое соотношение типа А-Б: Jс(0) ~ pi sigmaq(0,0) DELTA0/es, где s- расстояние между элементарными слоями, а
          также скейлинговое соотношение между a и b.
          Показано, что все найденные свойства могут быть самосогласованно описаны Ферми-жидкостной моделью, развитой группой
          Булаевского, для сверхпроводника с d -волновой симметрией при условии значительного вклада процессов когерентного
          туннелирования.
          4. Исследован транспорт поперек слоев на монокристаллах Bi-2212 в сильных магнитных полях H //c до 60 Тл при
          температурах от 20 до 100 К.  Показано,что магнетопроводимость вдоль оси с, sigmaс ,содержит два вклада, sigmaс = sigmaJ +
          sigmaq, по разному зависящих от магнитного поля. Установлено, что первый вклад, sigmaJ ~ H-v (n =1.5 - 3.5 в зависимости
          от температуры), связан с джозефсоновским взаимодействием 2D-вихрей в соседних слоях. Второй вклад sigmaq(H,T)
          = sigmaq(0,0)(eta +beta H) проявляется в более сильных полях. Установлено, что он связан с ростом в магнитном
          поле квазичастичной плотности состояний за счет  допплеровского сдвига энергии квазичастиц, вызванного
          циркулирующими вокруг вихрей сверхпроводящими токами и обусловлен d-волновой симметрией параметра порядка в
          Bi-2212.
          5. Исследованы когерентные и диссипативные свойств движущейся решетки джозефсоновских вихрей в протяженных
          слоистых структурах Bi-2212. Показано, что по измерению потерь в этом режиме можно определить межслоевую и
          внутрислоевую компоненты квазичастичной проводимости, а также оценить время   релаксации квазичастиц. Обнаружен
          когерентный отклик движущейся решетки джозефсоновских вихрей на внешнее СВЧ поле суб-ТГц области частот. Результаты
          указывают на возможность полной синхронизации всех элементарных джозефсоновских  переходов в этом режиме.

А.Н. Выставкин - руководитель
         Изучены особенности разогрева электронов излучением в тонкой пленке из нормального металла, помещенной между
         сверхпроводящими берегами (электродами), при температурах 0,1 - 0,3 К с учетом андреевского отражения нормальных
         электронов от сверхпроводящих берегов. Измерена предельная чувствительность болометра на основе такого устройства, с
         cоставившая ~10-18 Вт/Гц1/2 при ~0,1 К и ~10-17 Вт/Гц1/2 при ~0,3 К на длинах волн ~0,3 - 0,5 мм. Оценки показали,
         что такая чувствительность обеспечивает возможность наблюдения большинства слабых источников субмиллиметрового
         диапазона на небесной сфере с помощью телескопа с таким болометром, устанавливаемого на спутнике, например, на
         Международной        Космической Станции. Обобщены результаты измерения вольтамперных характеристик двух
         типов сверхнизкотемпературного  болометра на горячих электронах с андреевским отражением: 1) на основе поглотителя из           нормального металла, упомянутого  выше, и считывателя сигнала на СИН-переходе, и 2) на основе датчика на краю
         сверхпроводникового фазового перехода, являющегося поглотителем излучения и считывателем сигнала одновременно.
         Показано при этом, что второй обладает на порядок лучшей чувствительностью.

М.И. Фалей
          Разработана и изготовлена чувствительная магнетометрическая система на основе СКВИДов из купратных сверхпроводников            для биологических иссследований и неразрушающего контроля.

П.Б. Можаев, Г.А. Овсянников, И.В. Борисенко, Ф.В. Комиссинский
         Исследованы свойства тонких пленок ВТСП YBa2Cu3Ox на подложках с плоскостью, отклоненной от малоиндексных
         кристаллографических направлений. Показана возможность получения биэпитаксиальных структур на основе таких пленок при           использовании буферного слоя неперовскитной кристаллической структуры.

С.Н. Артеменко
        1. Исследована устойчивость движения решеток джозефсоновских вихрей в слоистых сверхпроводниках под действие
        транспортного тока в направлении перпендикулярном слоям. Определена максимальная скорость, вплоть до которой
        возможно      когерентное движение решетки как целого. Рассчитан спектр электромагнитного излучения, возбуждаемого
        движущейся решеткой.
        2. Рассчитано влияние квантовых и тепловых флуктуаций фазы параметра порядка на плотность сверхпроводящих
        электронов в высокотемпературных сверхпроводниках. Установлено, что объяснение линейной низкотемпературной
        зависимости длины проникновения магнитного поля за счет подавления плотности сверхпроводящих электронов
        классическими тепловыми флуктуациями фазы, и отвергающее объяснение за счет вклада квазичастиц вблизи узлов параметра
        порядка d-типа, неверно, поскольку флуктуации фазы вызывают флуктуации электрического поля, что делает энергию таких
        флуктуаций конечной, в результате при низких температурах становятся существенными квантовые флуктуации. Получено, что
        тепловые флуктуации становятся существенными вблизи критической температуры и могут значительно подавлять
        критический ток.

Результаты работ за последние 5 лет опубликованы в 82 статьях. Ниже - библиография публикаций за 2001-2002 г.г.

 

БИБЛИОГРАФИЯ СТАТЕЙ,
ОПУБЛИКОВАННЫХ В 2001-2002 Г.Г.

         2001 г.

  1. IEEE Trans. Appl. Supercond., 2001, 11, pp. 816-819
  2. IEEE Trans. Appl. Supercond., 2001, 11, pp. 832-835
  3. IEEE Trans. Appl. Supercond., 2001, 11, pp. 840-843
  4. IEEE Trans. Appl. Supercond., 2001, 11, pp. 1211-1214
  5. IEEE Trans. Appl. Supercond., 2001, 11, pp. 1239-1242
  6. Supercond. Sci. Technol., 2001, 14, pp. 1040 - 1043
  7. Supercond. Sci. Technol., 2001, 14, рр. 1005-1008
  8. Supercond. Sci. Technol., 2001, 14, рр. 1035-1039
  9. ФТТ , 2001, 43, с. 769-775
  10. Письма в ЖЭТФ, 2001, 7, с. 405-409
  11. Physica C, 2001, 362, рр. 156-163.
  12. Phys. Rev. Lett., 2001, 87, paper 247007
  13. ФТТ, 2001, 43, с. 1548-1557
  14. Physica C, 2001, 362, p. 200
  15. Phys. Rev. Letters, 2001, 86, p. 708
  16. Письма в ЖЭТФ, 2001, 74, c. 430

   2002 г.

     17.Physica C, 2002, 367, pp. 249 - 255
     18.Appl. Phys. Lett., 2002, 80, pp. 1022-1024
     19.Physica C, 2002, 377, pp. 26 -35
     20.Physica C, 2002, 368, pp. 91-95
     21.Physica C, 2002, 368, pp. 328-331
     22.Physica C, 2002, 367, pp 365-375
     23.Physica C, 2002, 367, pp 276-279

РАЗРАБОТКИ, ИМЕЮЩИЕ
ПРИКЛАДНОЙ ПОТЕНЦИАЛ.

Материалы
   1.Подложки из галлата неодима (бездвойниковые).
            Произвольная кристаллографическая ориентация с точностью 0.3°
            Химико-механически полированная поверхность
            (шероховатость ниже 0.5 нм).
Область применения - изготовление тонких пленок ВТСП и других оксидов перовскитной структуры.
    2. Бикристаллические подложки из галлата неодима (бездвойниковые).
            Широкий выбор углов взаимной разориентации кристаллов
            Химико-механическая полировка поверхности
Область применения - изготовление бикристаллических джозефсоновских переходов.


Приборы и устройства
   1. Интегральный спектрометр субмм волн для радиоастрономии и мониторинга атмосферы
            Частотный диапазон - 600-650 ГГц
            Шумовая температура - 250 К
            Спектральное разрешение - 1 МГц
Область применения - мониторинг атмосферы, радиоастрономия.
Состояние разработки - испытан первый лабораторный вариант, на 2005 год запланирован первый полет спектрометра на аэростате.
    2. Лабораторный зондовый приемник на основе микросхемы интегрального приемника
            Частотный диапазон - 450-550 ГГц
            Шумовая температура - 300 К
Область применения - измерение излучения из вновь разрабатываемых сверхпроводниковых и полупроводниковых источников.
Состояние разработки - используется в двух научных центрах Германии; устройство представляет интерес для исследований в области криогенных генераторов суб-мм диапазона.
    3. СКВИД-усилитель.
            Частотный диапазон - 3,75-4,25 ГГц
            Коэффициент усиления - 12 дБ
            Шумовая температура 1 K
Область применения - радиоастрономия, системы связи.
Состояние разработки - испытан лабораторный макет; планируется разработка и испытание широкополосного (2 ГГц) усилителя ПЧ в составе СИС-приемника.
    4. ВТСП СКВИД-магнетометр на бикристаллических переходах.
            Магнитная чувствительность 3-4 нT/Фо
            Шумы 60-100фТ/OГц
            Рабочая температура Т=77К
Область применения - биомагнитные измерения, неразрушающий контроль.
Состояние разработки - разработана топология, изготовлены чипы и измерена чувствительность.


Технологии
    1. Технология изготовления высококачественных СИС-переходов
        Nb-AlOx-Nb.
            S = 1-10000 мкм2
            Jc = 1-8000 A/см2
            RnS=25-20kОм*мкм2
            Rj/Rn = 15-45
            Технологический цикл изготовления - 1 неделя
Область применения - элементы сверхпроводниковой электроники, СИС-смесители, детекторы ядерных частиц.
Состояние разработки - отлаженная технология, возможно изготовление переходов по заказу российских и зарубежных центов.
    2. Технология изготовления сверхпроводниковых интегральных микросхем.
            До 12 слоев Nb-AlOx-Nb/ SiO2
            Ti/Mo резисторы
            Воспроизводимость параметров
            - по подложке ±5%,
            - от цикла к циклу: ± 10%
Область применения - интегральные приемники, СКВИДы, цифровые схемы.
Состояние разработки - разработана технология, ведется ее оптимизация. Возможно изготовление схем по заказу.
    3. Технология изготовления СИС-переходов с туннельным барьером из AlN
            S = 0.03-100 мкм2
           Jc = 1-200 kA/см2
            RnS=1-200 Ом*мкм2
            Rj/Rn = 5-15
            Vg = 2,5 - 3,5 мВ
Область применения - СИС-приемники терагерцового диапазона, сверх-широкополосные системы.
Состояние разработки - разработана технология, откалиброваны все основные режимы, ведется оптимизация процессов.
    4. Технология получения ВТСП бикристаллических джозефсоновских переходов на сапфире.
            r-плоскость сапфира
           Угол раориентации кристаллов ±12°
            IcRN=1/2 мВ при Т=4.2 К
Область применения - чувствительные приемники мм и субмм волн, СКВИД-магнетометры.
    5. Технология получения ВТСП многослойных тонкопленочных структур с экранирующими, изолирующими и
    металлическими слоями.
            Подложки - сапфир (r-плоскость) и монокристаллы NdGaO3
            Плотность частиц на поверхности менее 106 см-2
            Шероховатость поверхности менее 3 нм
Область применения - прассивные СВЧ-устройства диапазона 10 ГГц, активные устройства с использованием бикристаллических джозефсоновских переходов.
    6. Слоистые структуры с внутренним эффектом Джозефсона на основе Bi-2212
            Латеральные размеры 0,1 - 30 мкм
            Число элементарных переходов 10-100
            Jc(4,2 К) = 2*103 A/см2
Состояние разработки - воспроизводимая технология, использующая микротравление сфокусированными ионными пучками.


Измерительные методики и аппарат ура
    1. Методика измерения ширины линии излучения криогенных генераторов субмм волн.
            Диапазон частот: 100 - 720 ГГц;
            Спектральное разрешение - до 1 Гц с системой ФАПЧ
Область применения - измерение ширины и формы линии излучения из интегральных генераторов гетеродина.
Состояние разработки - методика апробирована в различных научных центрах, ведутся работы по ее продвижению в терагерцовый диапазон.
    2. Установка визуализации электрических неоднородностей в ВТСП джозефсоновских переходах с субмикронным разрешением.
Область применения - контроль качества ВТСП джозефсоновских переходов.
Состояние разработки - создана установка-прототип.


Программные продукты
IRTECON - многофункциональная автоматизированная система для измерения сложных сверхпроводниковых структур.
            Нет ограничений на количество оборудования, измерительных и расчетных каналов, исследуемых объектов.
Область применения - автоматизированные измерения и управление экспериментом в области сверхпроводниковой электроники.
Состояние разработки - система находится в эксплуатации в ряде научных центров в нашей стране и за рубежом; развита библиотека измерительных и расчетных алгоритмов, многооконный графический интерфейс.