| |
Институт радиотехники и
электроники РАН
125009, Москва, Моховая, 11, строение 7
Тел.: (095) 203 4993,
Факс: (095) 203 8414
E-mail: mailto:chusov@mail.cplire.ru>
www.issp.ac.ru
141120, Фрязино Московской обл., площадь
Введенского, 1.
Тел.: (095) 526 9254, (095) 526 9277
E-mail: mailto:imk216@ire216.msk.su
ИРЭ РАН организован в 1953 году. В настоящее
время в его состав входят московская и
фрязинская части, саратовский и ульяновский
филиалы. Общая численность сотрудников 2000
человек. Исследования в области слабой
сверхпроводимости и сверхпроводниковой
электроники проводятся в пяти отделах института
(общее число сотрудников, занятых в этой области,
- 80 человек). В институте имеется современное
технологическое и измерительное оборудование:
- для получения НТСП и ВТСП пленок и структур на
их основе (4 напылительные установки,
две установки литографии, две чистые комнаты, 2
установки плазмохимического травления),
- для выращивания ВТСП вискерных монокристаллов,
- криогенные измерительные комплексы для
исследования электрофизических,
гальваномагнитных и сверхвысокочастотных
свойств сверхпроводников.
- для выращивания монокристаллов галлата
неодима,
- для изготовления бикристаллических подложек,
- для рентгеноструктурного анализа.
Основные направления исследований - изучение
физических свойств слабосвязанных
сверхпроводниковых систем; выяснение
возможности их использования для регистрации и
обработки слабых электромагнитных сигналов;
создание действующих лабораторных макетов
сверхпроводниковых электронных устройств с
уникальными параметрами.
АДМИНИСТРАЦИЯ
Директор - академик Гуляев Юрий Васильевич,
gulyaev@cplire.ru
ВЕДУЩИЕ СПЕЦИАЛИСТЫ
Лаборатория 235
Выставкин Александр Николаевич д.т.н.,
заведующий отделом
Тел: (095)203-53-89
vyst@hitech.cplire.ru
Кошелец Валерий Павлович, д.ф.-м.н., главный
научный сотрудник
Тел:(095)203-27-84
valery@hitech.cplire.ru
Овсянников Геннадий Александрович, д.ф.-м.н.,
ведущий научный сотрудник
Тел:(095)203 09 35
gena@hitech.cplire.ru
Тарасов Михаил Александрович, д.ф.-м.н., ведущий
научный сотрудник
Тел:(095)203-27-84
tarasov@hitech.cplire.ru
Шитов Сергей Витальевич, к.ф.-м.н., с.н.с.
Тел:(095)203-27-84
sergey@hitech.cplire.ru
Константинян Карен Иванович , к.ф.-м.н., с.н.с.
Тел:(095)203 09 35
karen@hitech.cplire.ru
Зайцев Александр Викторович , к.ф-м.н., с.н.с.,
Тел:(095)203 09 35
zaitsev@hitech.cplire.ru
Можаев Петр Борисович, к.ф.-м.н., научный
сотрудник
Тел:(095)203 09 35
pbmozh@hitech.cplire.ru
Лаборатория 216
Котелянский Иосиф Моисеевич, д.т.н., заведующий
лабораторией
imk216@ire216.msk.su
Лузанов Валерий Альбертович, к.ф.-м.н., с.н.с.
imk216@ire216.msk.su
Лаборатория 219
Кравченко Валерий Борисович,заведующий
лабораторией
vbk219@ire216.msk.su
Соболев Александр Терентьевич, с.н.с.
Лаборатория 186
Латышев Юрий Ильич, д.ф.-м.н,заведующий
лабораторией
lat@cplire.ru
Горлова Ирина Геннадьевна, к.ф.-м.н.,с.н.с.
lat@cplire.ru
Лаборатория 185
Артеменко Сергей Николаевич, д.ф.-м.н., профессор
заведующий лабораторией
art@cplire.ru
КООПЕРАЦИИ
Разработка установок лазерной
микроскопии электрических неоднородностей в
ВТСП джозефсоновских переходах и пленках |
Университет Тюбинген (Германия) |
Получение субмикронных слоистых ВТСП
структур с внутренним эффектом Джозефсона |
Университет Тохоку (Сендай, Япония) |
Электромагнитные
характеристики пленок типа металл/ВТСП и
ВТСП/магнетик |
Институт электроники
Болгарской академии наук (София, Болгария) |
Слабосвязанные структуры на
металлоксидных купратных сверхпроводниках |
Институт радиоэлектроники
Словацкой академии наук (Братислава, Словакия) |
Исследование характеристик
тонких пленок и джозесоновских переходов из
металлоксидных купратных сверхпроводников на
субмм волнах |
Институт радиофизики и
электроники Национальной академии наук Армении
(Аштарак, Армения) |
Разработка и создание
чувствительных магнетометрических систем на
основе СКВИДов из купратных сверхпроводников
для биологических иссследований и
неразрушающего контроля |
Исследовательский центр Юлиха
(Германия) |
Исследования ВТСП структур при
низких температурах и в сильных магнитных полях |
Центр исследований при низких
температурах (Гренобль, Франция) |
Теория межслоевого
туннелирования в слоистых ВТСП структурах |
Лос Аламоская Национальная
Лаборатория (Лос Аламос, США) |
Теория динамики и диссипации
движущейся решетки джозефсоновских вихрей |
Аргоннская Национальная
Лаборатория (Аргонн, США) |
Исследование
сверхпроводниковых структур из металлоксидных
купратных сверхпроводников |
ИФТТ РАН (Черноголовка) |
Бикристаллические
джозефсоновские переходы на металлоксидных
купратных сверхпроводниках |
ИКАН (Москва) |
![IRE.jpg (135717 bytes)](IRE.jpg)
ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ
ОБОРУДОВАНИЕ И
ДИАГНОСТИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА.
Чистые комнаты, 2 (Класс 1000).
Фурье-спектрометр (Beckman,
Англия).
300 ГГц - 10 ТГц
Квазиоптическая измерительная установка для
исследований на субмиллиметровых волнах в
диапазоне частот 250 ГГц - 1,5 ТГц (на основе
семейства ламп обратной волны и постоянных
магнитов из сплава неодим-железо-бор).
Измерение коэффициентов отражения и
пропускания пассивных элементов,
исследование АЧХ в широком диапазоне частот.
Год приобретения
1978 г.
Высоковакуумная напылительная установка (Leybold AG,
Z 400).
2
ВЧ-магнетрона
2
ВЧ-катода
термический испаритель
Рост= 5*10-7
мбар
1985 г.
Высоковакуумная
напылительная установка (Leybold AG, A 700).
магнетроны - высокочастотный и на постоянном
токе,
Рост=5*10-7
мбар
1986 г.
Установка
плазмо-химического травления (Secon XPS - 500 V).
Тип:
планарный, режимы плазменного и реактивного
ионного травления
Диаметр рабочей зоны - 220 мм
2
газовых ввода
Генератор: 500 Вт, 30-100 кГц
Измерительный
микроскоп (Leitz, Ergolux).
Eyepieces:
10X Objective: NPL 5X, 10X, 20X, 50X, 100X
Stage: 9”
x 11” Movement: (Y) 6” (X) 6”
Brightfield
& Darkfield Reflected Light Illuminator Type: 100W Halogen
Trinocular
Head
1989 г.
Модифицированная высоковакуумная напылительная
установка (Leybold AG, Z-400, Германия).
Рост эпитаксиальных пленок
из металлооксидных сверхпроводников и оксидов.
1990 г.
Установка для фотолитографии (Karl Zuss, MA 150)
УФ источник 400 и 300 нм, разрешение 0,5 мкм.
Автоматизированная измерительная система на
базе PC-486 с высокой экранировкой от помех
(малошумящие
усилители PAR5301, PAR5210, PAR124A (“EG&G”, США) и
нановольтметры Keithley 2001+1801, (“Keithley”, США)).
Измерение электрофизических и СВЧ параметров
слабосвязанных сверхпроводниковых структур при T=3-300
K и
магнитных полях B=0-0.1 Tл, частота СВЧ сигналов
f=30/150 ГГц.
1991 г.
Сверхвысоковакуумная напылительная установка
(Leybold AG, L 560).
2 - на постоянном токе и 1 ВЧ - магнетроны,
ионная пушка,
Рост= 2*10-8
мбар.
1996 г.
Автоматизированная измерительная система на
субмм волнах (генераторная лампа ОВ-32,
высоковольтный блок
питания,
оригинальная система задания постоянного
смещения).
Измерение аплитудно частотных и шумовых
параметров субмм приемников при Т=30-77К.
2000 г.
Установка химико-механической полировки (Allied
Techprep 8).
2001 г.
Установка плазмо-химического травления (March Jupiter
II) (second-hand).
Тип:
планарный, режим реактивного ионного травления
Диаметр рабочей зоны - 100 мм
4
газовых ввода
Генератор:600 Вт, 13,56 МГц
РЕЗУЛЬТАТЫ
НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
ЗА ПОСЛЕДНИЕ 5 ЛЕТ
С.В. Шитов, В.П. Кошелец, А.М. Барышев, Л.В.
Филиппенко, П.Н. Дмитриев, А.Б. Ермаков, Г.В.
Прокопенко
Разработана концепции, изготовлен и
испытан интегральный приемник субмм волн для
радиоастрономии и мониторинга
атмосферы. В диапазоне
480-520 ГГц была получена двухполосная шумовая
температура порядка 100 К, что близко к
квантовому пределу,
испытан 9-ти элементный матричный интегральный
приемник.
В.П. Кошелец, С.В. Шитов, А.М. Барышев, П.Н.
Дмитриев, Л.В. Филиппенко, А.Б. Ермаков, Г.В.
Прокопенко, А.С. Соболев
С помощью принципиально новой методики была
измерена ширина линии излучения
сверхпроводникового генератора
гетеродина (ФФО) на
частотах вплоть до 700 ГГц. В диапазоне частот 250 -
700 ГГц продемонстрирована возможность
фазовой
синхронизации сверхпроводникового ФФО на основе
распределенного туннельного перехода к внешнему
опорному
синтезатору.
Измеренная ширина линии излучения существенно
меньше фундаментального уровня, определяемого
дробовыми и
тепловыми шумами автономного ФФО, и
соответствует частотной стабилизации лучше, чем
2*10-12.
П.Н. Дмитриев, Л.В. Филиппенко, И.Л.
Лапицкая, С.А. Ковтонюк, А.Б. Ермаков, Г.В.
Прокопенко, В.П. Кошелец
Для изготовления интегральных СВЧ схем,
СКВИДов, а также цифровых сверхпроводниковых
устройств в ИРЭ РАН создана
технология
изготовления сверхпроводниковых интегральных
микросхем на основе высококачественных
туннельных переходов
Nb-AlOx-Nb микронных
размеров с плотностью тока до 7 кА/см2. Эта
технология оптимизирована для изготовления
интегральных схем
средней степени интеграции с числом
тонкопленочных слоев до 12. Разработана методика
изготовления
СИС-переходов с
туннельным барьером из AlN, получены структуры
с плотностями тока до 200 кА/см2.
Г.В. Прокопенко, С.В. Шитов, И.Л.
Лапицкая, В.П. Кошелец
Разработан и
экспериментально исследован
сверхчувствительный СВЧ усилитель на основе
двухконтактных СКВИДов
постоянного тока. Для
однокаскадного СКВИД-усилителя на частоту 4 ГГц с
полосой около 600 МГц получено усилением
более10 дБ,
шумовая температура менее 1 К и уровень насыщения
по входу более 60 К.
A.В. Зайцев
Развит
микроскопический метод, на основании которого
теоретически изучены электронные транспортные
фазово-когерентные
явления в гибридных сверхпроводниковых (в
том числе джозефсоновских) гетероструктурах,
содержащих
сверхпроводящие,нормальные и/или ферромагнитные
металлы.
И.В. Борисенко, Ф.В. Комиссинский, Г.А.
Овсянников
Разработаны
оригинальные методики изготовления YBCO
джозефсоновских переходов на
бикристаллической
сапфировой
подложке и гибридных гетеропереходов Au/YBCO и Nb/Au/YBCO
микронных размеров.
К.И. Константинян, И.В. Борисенко, Ф.В.
Комиссинский, Г.А. Овсянников
Проведены
экспериментальные исследования температурных,
магнетополевых, динамических высокочастотных
(вплоть до
ТГц диапазона
частот) электронного транспорта,
слабосигнальных детекторных и шумовых свойств
сверхпроводниковых
джозефсоновских
микроструктур и гетеропереходов микронных и
субмикронных размеров.
Ю.И. Латышев
1. Обнаружена
квантовая интерференция фрелиховской
проводимости в NbSe3 на колоннообразных
дефектах, содержащих
магнитный поток.
Период осцилляций магнетосопротивления
соответствует ”cверхпроводящему” кванту
потока, hc/2e на
дефект. Это
является первым наблюдением квантования потока
на коллективной моде в несверхпроводящих
материалах.
2. Разработана
методика получения субмикронных слоистых
структур для исследования межслоевого
туннелирования и
внутреннего
эффекта Джозефсона в слоистых материалах ВТСП.
На этих структурах впервые убедительно
продемонстрирован
стационарный внутренний эффект Джозефсона.
Период соответствующих фраунгоферовских
осцилляций
составляет ~1 Тл, что указывает на возможность
создания СКВИДа на подобных переходах в области
сильных
магнитных
полей. На субмикронных структурах этого типа
продемонстрирован переход от внутреннего
джозефсоновского
туннелирования
к кулоновской блокаде.
3. Показано, что
межслоевые туннельные ВАХ слоистых структур Bi-2212
при низких температурах существенно отличаются
от
туннельных характеристик обычных
джозефсоновских переходов между
сверхпроводниками с s-волновой симметрией.
Установлено
сильное расхождение с соотношенем
Амбегаокара-Баратова (А-Б), квадратичные
зависимости квазичастичной
туннельной
проводимости sigmaq(T,V) от температуры и
напряжения sigmaq(T,0) = sigmaq(0,0)(1 +
aT2);
sigmaq(0,V) = sigmaq(0,0)
(1 +bV2); конечное и универсальное
значение sigmaq(0,0). Найдено новое
эмпирическое
соотношение типа А-Б: Jс(0) ~ pi sigmaq(0,0)
DELTA0/es, где s- расстояние между элементарными
слоями, а
также скейлинговое
соотношение между a и b.
Показано, что все
найденные свойства могут быть
самосогласованно описаны Ферми-жидкостной
моделью, развитой группой
Булаевского, для
сверхпроводника с d -волновой симметрией при
условии значительного вклада процессов
когерентного
туннелирования.
4. Исследован
транспорт поперек слоев на монокристаллах Bi-2212
в сильных магнитных полях H //c до 60 Тл при
температурах от 20
до 100 К. Показано,что магнетопроводимость
вдоль оси с, sigmaс ,содержит два
вклада, sigmaс = sigmaJ +
sigmaq, по
разному зависящих от магнитного поля.
Установлено, что первый вклад, sigmaJ ~ H-v
(n =1.5 - 3.5 в зависимости
от температуры),
связан с джозефсоновским взаимодействием
2D-вихрей в соседних слоях. Второй вклад sigmaq(H,T)
= sigmaq(0,0)(eta +beta
H) проявляется в более сильных полях.
Установлено, что он связан с ростом в магнитном
поле
квазичастичной плотности состояний за счет
допплеровского сдвига энергии квазичастиц,
вызванного
циркулирующими
вокруг вихрей сверхпроводящими токами
и обусловлен d-волновой симметрией
параметра порядка в
Bi-2212.
5. Исследованы
когерентные и диссипативные свойств движущейся
решетки джозефсоновских вихрей в протяженных
слоистых
структурах Bi-2212. Показано, что по измерению
потерь в этом режиме можно определить межслоевую
и
внутрислоевую
компоненты квазичастичной проводимости, а также
оценить время релаксации квазичастиц.
Обнаружен
когерентный отклик
движущейся решетки джозефсоновских вихрей на
внешнее СВЧ поле суб-ТГц области частот.
Результаты
указывают на
возможность полной синхронизации всех
элементарных джозефсоновских переходов в
этом режиме.
А.Н. Выставкин - руководитель
Изучены особенности
разогрева электронов излучением в тонкой пленке
из нормального металла, помещенной между
сверхпроводящими
берегами (электродами), при температурах 0,1 - 0,3 К с
учетом андреевского отражения нормальных
электронов от
сверхпроводящих берегов. Измерена предельная
чувствительность болометра на основе такого
устройства, с
cоставившая ~10-18
Вт/Гц1/2 при ~0,1 К и ~10-17 Вт/Гц1/2 при
~0,3 К на длинах волн ~0,3 - 0,5 мм. Оценки показали,
что
такая чувствительность обеспечивает
возможность наблюдения большинства слабых
источников субмиллиметрового
диапазона на небесной
сфере с помощью телескопа с таким болометром,
устанавливаемого на спутнике, например, на
Международной
Космической Станции.
Обобщены результаты измерения вольтамперных
характеристик двух
типов
сверхнизкотемпературного болометра на
горячих электронах с андреевским отражением: 1)
на основе поглотителя из
нормального
металла, упомянутого выше, и считывателя
сигнала на СИН-переходе, и 2) на основе датчика на
краю
сверхпроводникового
фазового перехода, являющегося поглотителем
излучения и считывателем сигнала одновременно.
Показано при этом,
что второй обладает на порядок лучшей
чувствительностью.
М.И. Фалей
Разработана и
изготовлена чувствительная магнетометрическая
система на основе СКВИДов из купратных
сверхпроводников
для биологических иссследований и
неразрушающего контроля.
П.Б. Можаев, Г.А. Овсянников, И.В.
Борисенко, Ф.В. Комиссинский
Исследованы свойства
тонких пленок ВТСП YBa2Cu3Ox на подложках с
плоскостью, отклоненной от малоиндексных
кристаллографических
направлений. Показана возможность получения
биэпитаксиальных структур на основе таких
пленок при
использовании буферного слоя неперовскитной
кристаллической структуры.
С.Н. Артеменко
1. Исследована
устойчивость движения решеток джозефсоновских
вихрей в слоистых сверхпроводниках под действие
транспортного тока в
направлении перпендикулярном слоям. Определена
максимальная скорость, вплоть до которой
возможно
когерентное движение решетки как целого.
Рассчитан спектр электромагнитного излучения,
возбуждаемого
движущейся решеткой.
2. Рассчитано влияние
квантовых и тепловых флуктуаций фазы параметра
порядка на плотность сверхпроводящих
электронов в
высокотемпературных сверхпроводниках.
Установлено, что объяснение линейной
низкотемпературной
зависимости длины
проникновения магнитного поля за счет
подавления плотности сверхпроводящих
электронов
классическими тепловыми
флуктуациями фазы, и отвергающее объяснение за
счет вклада квазичастиц вблизи узлов параметра
порядка d-типа,
неверно, поскольку флуктуации фазы вызывают
флуктуации электрического поля, что делает
энергию таких
флуктуаций конечной, в
результате при низких температурах становятся
существенными квантовые флуктуации. Получено,
что
тепловые флуктуации
становятся существенными вблизи критической
температуры и могут значительно подавлять
критический ток.
Результаты работ за последние 5
лет опубликованы в 82 статьях. Ниже - библиография
публикаций за 2001-2002 г.г.
БИБЛИОГРАФИЯ
СТАТЕЙ,
ОПУБЛИКОВАННЫХ В 2001-2002 Г.Г.
2001 г.
- IEEE Trans. Appl. Supercond., 2001, 11, pp. 816-819
- IEEE Trans. Appl. Supercond., 2001, 11, pp. 832-835
- IEEE Trans. Appl. Supercond., 2001, 11, pp. 840-843
- IEEE Trans. Appl. Supercond., 2001, 11, pp. 1211-1214
- IEEE Trans. Appl. Supercond., 2001, 11, pp. 1239-1242
- Supercond. Sci. Technol., 2001, 14, pp. 1040 - 1043
- Supercond. Sci. Technol., 2001, 14, рр. 1005-1008
- Supercond. Sci. Technol., 2001, 14, рр. 1035-1039
- ФТТ , 2001, 43, с. 769-775
- Письма в ЖЭТФ, 2001, 7, с. 405-409
- Physica C, 2001, 362, рр. 156-163.
- Phys. Rev. Lett., 2001, 87, paper 247007
- ФТТ, 2001, 43, с. 1548-1557
- Physica C, 2001, 362, p. 200
- Phys. Rev. Letters, 2001, 86, p. 708
- Письма в ЖЭТФ, 2001, 74, c. 430
2002 г.
17.Physica C, 2002, 367, pp. 249 - 255
18.Appl. Phys. Lett., 2002, 80, pp.
1022-1024
19.Physica C, 2002, 377, pp. 26 -35
20.Physica C, 2002, 368, pp. 91-95
21.Physica C, 2002, 368, pp. 328-331
22.Physica C, 2002, 367, pp 365-375
23.Physica C, 2002, 367, pp 276-279
РАЗРАБОТКИ, ИМЕЮЩИЕ
ПРИКЛАДНОЙ ПОТЕНЦИАЛ.
Материалы
1.Подложки из
галлата неодима (бездвойниковые).
Произвольная кристаллографическая ориентация с
точностью 0.3°
Химико-механически полированная поверхность
(шероховатость ниже 0.5 нм).
Область применения - изготовление тонких пленок
ВТСП и других оксидов перовскитной структуры.
2. Бикристаллические
подложки из галлата неодима (бездвойниковые).
Широкий
выбор углов взаимной разориентации кристаллов
Химико-механическая полировка поверхности
Область применения - изготовление
бикристаллических джозефсоновских переходов.
Приборы и устройства
1. Интегральный спектрометр
субмм волн для радиоастрономии и мониторинга
атмосферы
Частотный
диапазон - 600-650 ГГц
Шумовая
температура - 250 К
Спектральное разрешение - 1 МГц
Область применения - мониторинг атмосферы,
радиоастрономия.
Состояние разработки - испытан первый
лабораторный вариант, на 2005 год запланирован
первый полет спектрометра на аэростате.
2. Лабораторный зондовый
приемник на основе микросхемы интегрального
приемника
Частотный
диапазон - 450-550 ГГц
Шумовая
температура - 300 К
Область применения - измерение излучения из
вновь разрабатываемых сверхпроводниковых и
полупроводниковых источников.
Состояние разработки - используется в двух
научных центрах Германии; устройство
представляет интерес для исследований в области
криогенных генераторов суб-мм диапазона.
3. СКВИД-усилитель.
Частотный
диапазон - 3,75-4,25 ГГц
Коэффициент
усиления - 12 дБ
Шумовая
температура 1 K
Область применения - радиоастрономия, системы
связи.
Состояние разработки - испытан лабораторный
макет; планируется разработка и испытание
широкополосного (2 ГГц) усилителя ПЧ в составе
СИС-приемника.
4. ВТСП СКВИД-магнетометр на
бикристаллических переходах.
Магнитная
чувствительность 3-4 нT/Фо
Шумы
60-100фТ/OГц
Рабочая
температура Т=77К
Область применения - биомагнитные измерения,
неразрушающий контроль.
Состояние разработки - разработана топология,
изготовлены чипы и измерена чувствительность.
Технологии
1. Технология изготовления
высококачественных СИС-переходов
Nb-AlOx-Nb.
S = 1-10000
мкм2
Jc = 1-8000
A/см2
RnS=25-20kОм*мкм2
Rj/Rn = 15-45
Технологический цикл изготовления - 1 неделя
Область применения - элементы
сверхпроводниковой электроники, СИС-смесители,
детекторы ядерных частиц.
Состояние разработки - отлаженная технология,
возможно изготовление переходов по заказу
российских и зарубежных центов.
2. Технология изготовления
сверхпроводниковых интегральных микросхем.
До 12 слоев Nb-AlOx-Nb/
SiO2
Ti/Mo
резисторы
Воспроизводимость параметров
- по подложке
±5%,
- от цикла к
циклу: ± 10%
Область применения - интегральные приемники,
СКВИДы, цифровые схемы.
Состояние разработки - разработана технология,
ведется ее оптимизация. Возможно изготовление
схем по заказу.
3. Технология изготовления
СИС-переходов с туннельным барьером из AlN
S = 0.03-100
мкм2
Jc = 1-200 kA/см2
RnS=1-200
Ом*мкм2
Rj/Rn = 5-15
Vg = 2,5 - 3,5
мВ
Область применения - СИС-приемники терагерцового
диапазона, сверх-широкополосные системы.
Состояние разработки - разработана технология,
откалиброваны все основные режимы, ведется
оптимизация процессов.
4. Технология получения
ВТСП бикристаллических джозефсоновских
переходов на сапфире.
r-плоскость
сапфира
Угол
раориентации кристаллов ±12°
IcRN=1/2 мВ при Т=4.2 К
Область применения - чувствительные приемники мм
и субмм волн, СКВИД-магнетометры.
5. Технология получения
ВТСП многослойных тонкопленочных структур с
экранирующими, изолирующими и
металлическими слоями.
Подложки -
сапфир (r-плоскость) и монокристаллы NdGaO3
Плотность
частиц на поверхности менее 106 см-2
Шероховатость поверхности менее 3 нм
Область применения - прассивные СВЧ-устройства
диапазона 10 ГГц, активные устройства с
использованием бикристаллических
джозефсоновских переходов.
6. Слоистые структуры с
внутренним эффектом Джозефсона на основе Bi-2212
Латеральные
размеры 0,1 - 30 мкм
Число
элементарных переходов 10-100
Jc(4,2
К) = 2*103 A/см2
Состояние разработки - воспроизводимая
технология, использующая микротравление
сфокусированными ионными пучками.
Измерительные методики и аппарат ура
1. Методика измерения
ширины линии излучения криогенных генераторов
субмм волн.
Диапазон
частот: 100 - 720 ГГц;
Спектральное разрешение - до 1 Гц с системой ФАПЧ
Область применения - измерение ширины и формы
линии излучения из интегральных генераторов
гетеродина.
Состояние разработки - методика апробирована в
различных научных центрах, ведутся работы по ее
продвижению в терагерцовый диапазон.
2. Установка визуализации
электрических неоднородностей в ВТСП
джозефсоновских переходах с субмикронным разрешением.
Область применения - контроль качества ВТСП
джозефсоновских переходов.
Состояние разработки - создана
установка-прототип.
Программные продукты
IRTECON - многофункциональная
автоматизированная система для измерения
сложных сверхпроводниковых структур.
Нет
ограничений на количество оборудования,
измерительных и расчетных каналов, исследуемых
объектов.
Область применения - автоматизированные
измерения и управление экспериментом в области
сверхпроводниковой электроники.
Состояние разработки - система находится в
эксплуатации в ряде научных центров в нашей
стране и за рубежом; развита библиотека
измерительных и расчетных алгоритмов,
многооконный графический интерфейс.
|