НОВОСТЬ ДНЯ

Сверхпроводимость в связках углеродных нанотрубок
Одностенные углеродные нанотрубки представляют собой уникальную одномерную систему взаимодействующих электронов. Согласно теории, при низких температурах они должны обладать диэлектрическими свойствами. Действительно, экспериментально наблюдался степенной рост сопротивления при охлаждении нанотрубок до 10К. Однако сопротивление при этом измерялось с помощью туннельных контактов, поэтому низкотемпературные характеристики не были исследованы из-за эффекта кулоновской блокады. Авторы препринта измерили сопротивление связки одностенных нанотрубок вплоть до T=70мК, используя низкоомные металлические контакты. При T=0.55К они обнаружили резкое (на два порядка) падение сопротивления. В магнитном поле с H=1Тл и при увеличении тока до 2.5мА эта аномалия исчезала. Наблюдавшийся эффект авторы связывают с фазовым переходом нанотрубок в сверхпроводящее состояние.

M.Kociak et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0010220
Contact: Sophie Gueron <gueron@lps.u-psud.fr>

ФУЛЛЕРЕНЫ И НАНОТРУБКИ

Нанотрубки можно раскрывать и заполнять газом
О возможности заполнения углеродных нанотрубок различными элементами известно уже довольно давно. Так, обсуждаются способы заполнения нанотрубок водородом для использования, например, в качестве экологически безопасного автомобильного топлива. Нельзя сказать, что решение этой проблемы уже близкое. Результаты экспериментов у различных авторов довольно противоречивы, что, по-видимому, связано с трудностью проникновения вещества внутрь нанотрубок, имеющих замкнутую поверхность. Научиться эффективно снимать “крышки” с нанотрубок – весьма актуальная задача. Интересный эксперимент подобного рода был выполнен недавно группой исследователей из университетов Техаса и Пенсильвании (США) при участии Нобелевского лауреата Р.Смолли. Однослойные нанотрубки диаметром ~ 1.36нм и индексами хиральности, близкими к (10,10), были получены методом лазерного испарения графита в присутствии металлического катализатора. С целью очистки от примесей нанотрубки перед проведением экспериментов подвергались химической обработке в азотной и серной кислоте, а также в перекиси водорода, после чего они отделялись друг от друга с помощью ультразвуковой обработки.

Образец из приготовленных таким образом нанотрубок массой 46мкг нагревали в ультравысоком вакууме до температуры 1100К со скоростью 1К/с. При превышении температуры 600К наблюдалось выделение молекул СО, СО₂, СН₄ и Н₂, интенсивность которого резко возрастала с температурой. Термически обработанные нанотрубки заполнялись ксеноном при Т=90К. Оказалось, что, чем выше была температура обработки образца, тем больше ксенона он сорбировал. Максимальное число атомов Хе внутри нанотрубки достигалось на образцах, обработанных при Т= 1073К, и составляло примерно 5% от числа атомов углерода. Это примерно втрое превышает величину, которая получалась бы при введении в нанотрубку диаметром 1.36нм одномерной цепочки атомов Хе, отстоящих друг от друга на расстоянии вандерваальсовского минимума. Как следует из геометрических соображений, при этом достигается максимально плотное заполнение нанотрубок атомами Хе.

Авторы считают, что в процессе термообработки в результате удаления присоединенных функциональных групп на поверхности нанотрубок формируются отверстия, способствующие максимально плотному заполнению нанотрубки атомами газа.

Самые узкие углеродные нанотрубки
В течение восьми лет со времени открытия одностенных углеродных нанотрубок [1] не удавалось получить нанотрубки с диаметром меньше, чем D=0.7нм (нанотрубки такого диаметра закрыты с концов "шапками", которые представляют собой половинки молекул фуллерена C₆₀). При этом теория предсказывала значение "критического" диаметра D_c, такого, что при D<D_c формирование нанотрубок из графитового слоя становится энергетически невыгодно. Лишь недавно [2] удалось синтезировать нанотрубки с D=0.5нм, вплотную приблизившись к D_c. Изученные в работе [2] нанотрубки были закрыты с одного конца "шапками", представляющими собой половинки молекул "малого фуллерена" C₃₆. Вскоре пришло сообщение [3] о наблюдении нанотрубок с D=0.4нм внутри многостенных нанотрубок, состоящих из 10-15 трубок разного диаметра. Для таких нанотрубок “шапочкой” может быть, предположительно, половинка молекулы C₂₀ – самого маленького из возможных фуллеренов.

И вот установлен новый рекорд [4]. Группа китайских и английских физиков (Peking University, Center for Condensed Matter Physics, University of Oxford) методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения наблюдала одностенную углеродную нанотрубку диаметром D=0.33нм (меньше "критического"!). Эта нанотрубка имела вид бокового отростка от более толстой нанотрубки с D=1.5нм. Самая тонкая в мире нанотрубка предположительно относится к типу (4,0).

Авторы работы [4] выполнили также детальные теоретические исследования устойчивости нанотрубок различного диаметра. Хотя нанотрубки с D<0.4нм действительно являются энергетически невыгодными по сравнению с полосками графитового слоя соответствующей ширины, такие нанотрубки тем не менее механически устойчивы плоть до температуры 1100° С, при которой происходит их формирование в условиях реального эксперимента.

1. P.M.Ajayan and S.Iijima, Nature, 1992, 358, p.23
2. L.F.Sun et al., Nature, 2000, 403, p.384
3. H.Y.Peng et al., Appl. Phys. Lett., 2000, 77, p.2831
4. L.-M.Peng et al., Phys. Rev. Lett., 2000, 85, p.3249

НАНОЭЛЕКТРОНИКА

Самые тонкие металлические нити
Сотрудники Bell Laboratories, Lucent Technologies (Murray Hill, США) предлагают новую надежную технологию изготовления тонких металлических нитей толщиной до 3нм и длиной 1мкм. Технология опирается на возможности молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) по формированию тонких полупроводниковых слоев.

Стартует процедура как раз со слоистой полупроводниковой структуры, например, GaAs/AlGaAs, выращенной методом MBE. Затем пластина скалывается и на поверхность скола наносится толстый слой (1мкм) резиста PMMA. С помощью фотолитографии в нужном месте образуется дыра (trough). Затем производят травление в особом растворе, который “атакует” преимущественно GaAs и почти не задевает AlGaAs. Таким образом в слое GaAs образуется щель. Напыляемый на следующем шаге металлический сплав (AuPd), попадая в эту щель, формирует проволоку, толщина которой, как видно, строго соответствует толщине слоя GaAs. Указанные этапы отображены на рис 1.

Рис. 1

Практическое применение таких проволок не ясно. Авторы предполагают пока исследовать их проводимость. Статическая проводимость проволок показывает слабое отклонение от обычной линейной зависимости проводимости проволоки от ее толщины, что указывает на доминирующую роль объемного рассеяния. На магнитосопротивлении слегка проявляется эффект слабой локализации. В общем, интересного мало. Связано это, видимо, с несовершенством материала проволок.

Как “приконтачиться” к кремниевым нанопроволокам
С изобретением различных технологий изготовления полупроводниковых нанопроволок возникла проблема создания хороших контактов к ним.

Сотрудники IBM Research Division, T.J.Watson Research Center и Georgia Institute of Technology (США) провели теоретический расчет различных металлических контактов к тонким кремниевым нитям, пассивированным водородом. Расчет основан на методе локальной плотности состояний. Картинки, иллюстрирующие расчет весьма зрелищные (см. рис. 2).

Атомы изображены шариками. Случаи (i)-(iii) отличаются наличием различных кремниевых кластеров на границе нити и алюминиевого контакта; случай (a) соответствует нелегированной нити, а случай (b) – легированной.

Рис. 2

Особенностью подобных контактов является переход от трехмерности в металле к одномерности в полупроводнике. Было показано, что короткие нити (~0.6нм) полностью “металлизуются”, т.е. в них натекают электроны из металла. Такие нити проявляют квантование проводимости. Для более длинных нитей (~2.5нм) возникает нанометровый барьер Шоттки, как и в объемном контакте металл-полупроводник, однако высота барьера на 40-90% больше!

Спин влияет на кулоновскую блокаду

Корейским ученым удалось наблюдать тонкие особенности кулоновской блокады в одноэлектронном транзисторе (SET), изготовленном на основе структуры “кремний на изоляторе” (SOI). Зависимость тока транзистора от напряжения на затворе имеет пики, которые можно интерпретировать как зарядку центрального островка электронами с различной ориентацией спина.

Лазер на квантовых точках: есть 1.4мкм!
Большой коллектив сотрудников Физико-техничес-кого института им. А.Ф.Иоффе и Института аналитического приборостроения РАН (Санкт-Петер-бург) сообщили о достижении длины волны излучения лазера в 1.4мкм на массивах связанных квантовых точек.

Получение излучения в диапазоне длин волн 1.3 и 1.55мкм на основе гетероструктур с подложками GaAs является актуальной задачей микроэлектроники, поскольку лазеры этого диапазона используются в современных системах оптоволоконной связи. В настоящий момент для получения этих длин волн используются подложки InP. Однако такие лазеры обладают сильной температурной зависимостью (типичные характеристические температуры составляют 60-80К).

Авторы работы показывают возможность излучения на длинах волн вплоть до 1.39мкм при комнатной температуре, используя структуры со связанными квантовыми точками, выращенными методом комбинированной субмонослойной молекулярно-пучковой эпитаксии на основе InGaAs/GaAs. Суть этого метода состоит в том, что осаждение субмонослойных покрытий InAs чередуется с осаждением атомов In и As (так называемый метод миграционно-стимулированной эпитаксии).

Когерентный лазер из МИФИ
Предложенный в 1997 году В.Ф.Елесиным [1] когерентный лазер продолжает теоретически совершенствоваться автором в содружестве с А.В.Цукановым. Недавно ими сделан шаг в сторону каскадного лазера [2]. Была рассмотрена структура из двух квантовых ям. Электрон поступает из контакта на верхний уровень в первой яме, переходит с излучением фотона на нижний уровень ямы, затем туннелирует на верхний уровень в соседней квантовой яме, где с ним происходит то же самое (см. рис. 3).

Рис. 3

Внешне все очень похоже на каскадный лазер Capasso. Отличие состоит опять-таки в режиме генерации. При достаточной интенсивности излучения электронная и фотонная системы находятся в когерентном состоянии. Если понимать под заселенностью вероятность нахождения электрона на нижнем или верхнем уровне (на самом деле он постоянно находится в комбинации этих состояний), то для лазерной генерации не требуется инверсная заселенность! А это как раз то, над чем бьются все конструкторы лазеров. Интересно, что предлагаемая модель лазера имеет точное решение. Жаль, что пока экспериментаторы не откликаются на это заманчивое предложение.

1. ЖЭТФ, 1997, 112,483
2. ФТП, 2000, 34, 1404

Нановирус поражает микроэлектронику
Проникая в микроэлектронику, нановирус уменьшил до 10нм длину канала полевого транзистора и утоньшил до десятка ангстрем подзатворный окисел; рассыпавшись скарлатинной сыпью квантовых точек по высокоомному слою pin-диода, значительно расширил спектральный диапазон и чувствительность фотоприемников и эффективность преобразования солнечных батарей. О перспективах быстрого проникновения наноструктур в микроэлектронные схемы можно почитать в обзоре I.Elseile, W.Hansch “Nanostructures in silicon devices” [1].

Американцы, получившие от Клинтона 500млн. долл. на исследования наноcтруктур, проявляют соответствующую активность. На традиционно микроэлектронную конференцию IEDM – International Electron Devices Meeting, которая состоится 11-13 декабря с.г. в Сан-Франциско, нановирус проник во множество докладов. Ниже – краткий перечень содержания некоторых докладов ведущих микроэлектронных фирм [2].

На семинаре по нанотехнологиям, который проходил в Тулузе в октябре с.г., представители Европейского Союза и американского фонда NSF приняли решение о кооперации работ в этой области. Предполагается проведение совместных исследований и широкий обмен информацией. Решено создать новый Web-site для освещения состояния наноисследований в Европе:

http://europa.eu.int/comm/research/growth/gcc/in-action-nanotechnology.html

Развитию сотрудничества с США в области нанотехнологий будет посвящен один из ближайших выпусков информационного бюллетеня ЕС “CORDIS focus” [3].

Российские исследователи наноструктур, получающие мизерное финансирование на их изучение, решили объединиться с украинскими энтузиастами, кажется, ничего в этом году не получившими, и провели на последней неделе ноября совместный семинар в Киеве. Надеемся что-то опубликовать о его результатах.

1. Thin Solid Films, 2000, 369, p 60
2. www.eetimes.com/story/OEG20001009S0005
3. CORDIS focus, 6 November 2000

Поверхностный разряд в нанотехнологии и… в авиации Считается, что плазменное травление станет одной из главных технологических операций при изготовлении нанотранзисторов. Проблема в том, чтобы создать достаточно плотную и однородную на большой площади (300x300мм²) плазму. Возможно, плазма поверхностного разряда окажется лучшим кандидатом. Во всяком случае, ею японцы очень интересуются, а это “настораживает”.

Разряд может возникнуть в поверхностной электромагнитной волне, распространяющейся вдоль границы раздела двух сред с различной диэлектрической проницаемостью. Волна должна обладать достаточной мощностью, чтобы напряженность электрического поля в ней превышала пробойное значение. Трудно только “загнать” объемную волну с антенны СВЧ-генератора в поверхностную волну.

Как раз это умеют делать, но не рассказывают каким образом, ученые МГУ В.М.Шибков и А.П.Ершов, выступившие недавно с докладом в Физико-технологическом институте РАН. Им удается практически полностью вкладывать энергию генератора в поверхностную волну, распространяющуюся вдоль поверхности диэлектрической пластины (например, тефлона) большой площади (диаметром 200мм). Из-за затухания волны плотность плазмы, создаваемая ею, пока не обладает достаточной для технологических целей однородностью по пластине. Однако можно попытаться запускать волны сразу в нескольких местах и тем сгладить неоднородность.

Неожиданным выходом проводимых исследований стало возможное использование поверхностного разряда в авиации. Предварительные эксперименты, а также теория, указывают на снижение трения о воздух у летательного аппарата, одетого в плазменную оболочку. Оказывается, для образования такой оболочки требуется совсем немного энергии.

КВАНТОВЫЕ СИСТЕМЫ

Информацию о семинаре по квантовым вычислениям, проводимом еженедельно по вторникам в Физико-технологическом институте РАН (Москва), можно найти на сайте: http://qc.ipt.ac.ru

Там же можно узнать о работе лаборатории квантовых компьютеров в этом институте.

Борьба за когерентность
Изобретение процедуры коррекции ошибок в квантовом компьютере обеспечивает принципиальную возможность его длительной работы. Напомним, что запрет на клонирование квантовой системы делает эти процедуры весьма нетривиальными по сравнению с классическими. В настоящее время умеют исправлять ошибки отдельных кубитов, предпринимаются попытки научиться исправлять и коллективные ошибки, охватывающие сразу несколько кубитов. Научиться исправлять ошибки, “прорастающие” сразу на много кубитов, кажется пока нереальным.

Другим направлением является изобретение таких систем квантового компьютера, которые устойчивы к воздействиям внешнего окружения. Основным параметром, по которому сравниваются предлагаемые сейчас конструкции квантового компьютера является количество логических операций, производимых за время нарушения когерентности. На этом пути находится использование в качестве кубитов коллективных (макроскопических) состояний, например, сверхпроводящие кольца или неабелевы анионы, возможно проявляющиеся в дробном квантовом эффекте Холла.

В последнее время появилось понятие подпространств, свободных от декогеренизации (Decoherence Free Subspace). Проблема состоит в том, как сохранять состояния в этом гильбертовом подпространстве и как производить вычисления и измерять результат.

Ученые из University of California, Berkeley (США) предлагают общую схему проведения универсальных квантовых вычислений в DFS [1]. Логический кубит представляется в виде кластера из четырех DFS кубитов. Это позволяет подавить декогеренизацию, вызываемую пространственно коррелированным шумом. В реальных твердотельных структурах квантового компьютера в качестве такого шума могут выступать фононы. Сохранение когерентного состояния, по предложению авторов, основано на запретах, связанных с сохранением симметрии состояния. В качестве примера рассмотрена структура квантового компьютера, основанного на обменном взаимодействии спинов.

Запреты по симметрии используются в конструкции квантового компьютера, предложенного В.В.Вьюрковым (ФТИАН, Москва) и Л.Ю.Гореликом (Chalmers University, Goteborg, Швеция) [2]. В кубите из 4-х квантовых точек подавлена декогеренизация, связанная с флуктуациями напряжения на управляющих электродах.

Ученые из Imperial College London и Universitat-GHS Essen (Германия) предлагают использовать квантовый эффект Зенона, вызванный взаимодействием с внешней средой [3]. Сильное взаимодействие со средой, подобно постоянному измерению, “загоняет” систему в область DFS. В качестве конкретного примера рассмотрен компьютер на атомных цепочках.

С оригинальной идеей выступил югославский ученый M.Dugic [4]. Он предлагает не подавлять декогерентность системы компьютера, а усиливать релаксацию среды, “загоняющую” ее в основное состояние. Ясно, что без изменения состояния среды не может измениться состояние и системы компьютера.

1. D.Bacon et al. Phys. Rev. Lett., 2000, 85, p.1758
2. Quantum Computers & Computing, 2000, N 1, p.77-83
3. A.Beige et al. Phys. Rev. Lett., 2000, 85, p.1762
4. Quantum Computers & Computing, 2000, N 1, p.102

СИНХРОТРОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ

Восток – дело тонкое и …очень глубокое
В противоположность разработчикам электронных микросхем, стремящимся разместить свои устройства поближе к поверхности, микромеханики заинтересованы в объемных структурах. Для их формирования используют толстые слои резиста ПММА, при обработке которых используются интенсивные рентгеновские пучки, рождаемые в синхротронных источниках. Сотрудники Synchrotron Radiation Research Center (SRRC, Тайвань) с коллегами из Carnegie Mellon Univ. (США), работающие в русле LIGA-процесса, предложили альтернативный подход к получению микроструктур из ПММА с глубиной до 2мм. Прежний подход заключался в разовом экспонировании пучком с жестким спектром (накопительное кольцо с энергией электронов более 2.0 ГэВ). Известно, что такой пучок вызывает ощутимую флуоресценцию от подложки, ослабляющую адгезию ПММА. Этому противодействуют, фильтруя синхротронное излучение, применяя подложки с низким Z (например, углерод) или просто свободные листы чувствительного резиста. Кроме того, необходимость более толстого абсорбера маски тоже вызывает некоторые неприятности. И если на тайваньском синхротроне с более низкой энергией пучка (Е~1.5ГэВ) уверенно получают структуры в резисте толщиной 300мкм при экспозиции до 1 часа, то при толщине более 1мм продолжительность экспозиции сильно увеличивается, величина дозы по глубине экспоненциально снижается, а следовательно, процесс проявления затягивается до опасности разрушения микроструктуры.

Предложен вариант последовательного многократного экспонирования, более дешевый, не требующий очень жесткого излучения. Исходная структура состоит из алюминиевой подложки, слоя ПММА толщиной 2мм и медной фольги (9мкм). Во избежание напряжений из-за различия коэффициентов расширения сандвич формируется при температуре не выше 60^оС. С помощью контактной маски и негативного УФ-фоторезиста (35мкм) экспонированием/проявлением создается форма для гальванического нанесения золота, как абсорбера рентгеновской маски (20мкм). Фоторезист и медь удаляются. Таким образом, первая особенность предложенного варианта – применение конформной маски с абсорбером, закрепленным на поверхности и уничтожаемым на каждой подложке по готовности микроструктуры. Авторы указывают на ряд преимуществ такой маски: отсутствие трудностей работы с хрупкими мембранами, нет потребности в совмещении последовательных экспозиций, достаточность меньшей толщины абсорбера, и следовательно, увеличение точности маски, улучшение качества переноса изображения (не “работает” дифракция в зазоре между маской и резистом). Для сохранения адгезии абсорбера на ПММА до последнего проявления граница не должна получать дозу более 1/3 предельной. Для этого достаточно 20мкм золота вместо обычных 27мкм при одноразовом экспонировании. Дополнительно усилить границу удается, нанося подслой из меди распылением, и добавляя “грунтовый” адгезионный слой, не чувствительный к рентгеновскому излучению, в том числе – и флуоресценции из меди. Перед вторым облучением “второй” уровень поверхности ПММА имеет пористый характер, что облегчает выход газов, не вызывает “вспенивание” и даже допускает увеличение поверхностной дозы до 200кДж/см³, сокращая тем самым продолжительность последующего проявления. Сравнительные измерения показали, что при трехкратном экспонировании при 35^оС удается достичь двукратного сокращения суммарной продолжительности проявления.

Как пример, изготовлена система щелей шириной 0.1мм, глубиной 2мм и протяженностью10мм. Причем известное “дифракционное” искажение верхней кромки структуры оказывается уменьшенным втрое (до 0.1мкм) за счет полного отражения лучевого потока от вертикальной стенки ПММА за краем абсорбера. И наконец, преимущество алюминия заключается в возможности дополнительно закрепить “высокую” микроструктуру на подложке, усилив шероховатость поверхности травлением в соляной кислоте вместе с нанесением защитного слоя титана.

J. Micromech. Microeng. 1999, 9, pp. 58-63

КОНФЕРЕНЦИИ

4-8 июня 2001, Сыктывкар (Республика Коми). Всероссийская конференция “Физико-химические проблемы создания новых конструкционных керамических материалов. Сырье, синтез, свойства”.

Организаторы:

1. Российская Академия наук
2. Отделение физико-химии и технологии неорганических материалов
3. Научный совет по неорганической химии
4. Научный совет по адсорбции
5. Российский фонд фундаментальных исследований
6. Российское керамическое общество
7. Российское химическое общество им. Д.И. Менделеева
8. Уральское отделение РАН
9. Объединенный ученый совет по химии УрО РАН
10. Коми научный центр УрО РАН

11. Институт химии Коми НЦ УрО РА

На обсуждение участников конференции выносятся следующие проблемы керамического материаловедения:

1. Установление характера влияния дисперсности исходного сырья (микро -, субмикро - и наноуровень) на свойства керамических и композиционных конструкционных материалов.
2. Основные закономерности влияния состояния и распределения примесных атомов в структурообразующих фазах керамических конструкционных материалов на их физико-химические свойства.
3. Перспективные способы и механизмы направленного формирования фаз заданного состава в керамических и композиционных материалах, полученных с использованием природного и синтетического сырья.

На конференции предполагается обсудить результаты исследований по следующим направлениям современного материаловедения:

1. Керамические и порошковые оксидные и бескислородные материалы: (конструкционная керамика, огнеупоры, абразивы, композиты)
2. Использование золь-гель процессов, процессов с участием газовой фазы в технологии получения керамических материалов
3. Наносостояние и нанокристаллические материалы
4. Композиционные стеклопластиковые материалы с неорганическими компонентами
5. Новые и традиционные источники сырья для современных материалов - конструкционной керамики, огнеупоров, абразивов и композиционных материалов с керамической матрицей.

Прием тезисов докладов до 10 марта 2001 г.

Контакт:

Тел.: (8-8212) 43-88-01, 43-98-65, 43-09-44

Факс: (8-8212) 43-66-77,

E-mail: osa.chemi@ksc.komisc.ru

10-14 сентября 2001, Нижний Новгород. V Российская конференция по физике полупроводников.

Организаторы:

1. Отделение общей физики и астрономии РАН,
2. Научный совет РАН по проблеме "Физика полупроводников",
3. Институт физики микроструктур РАН,
4. Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского.

Основные разделы программы:

1. Электрические и оптические свойства объемных полупроводников, релаксация носителей, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
2. Пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, сканирующая туннельная и атомно-силовая микроскопия, оптическая микроскопия ближнего поля.
3. Гетероструктуры и сверхрешетки: структурные свойства, оптика, электронный транспорт, микрорезонаторы.
4. Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные свойства, туннелирование, локализация, фононы, плазмоны, высокочастотный транспорт, квантовый эффект Холла, корреляционные эффекты.
5. Одномерные и нульмерные системы: энергетический спектр, электронный транспорт, оптические свойства, локализация.
6. Дефекты и примеси (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.
7. Широкозонные материалы (SiC, GaN, II-VI и др.): рост, оптические и электронные свойства.
8. Технология, приборы, методы исследования.

Срок подачи тезисов - 10. 04. 2001.

Контакт:

Владимир Изяславович Гавриленко, Елена Сергеевна Грибкова

тел.: (8312) 675120, 675555

факс: (8312) 675553

e-mail: semic@ipm.sci-nnov.ru

http://www.ipm.sci-nnov.ru/rus/

КОНКУРСЫ

Чтобы Вы знали, что…
завершился конкурс "Наука-Технология-Производство-Рынок". Среди победителей – 20 проектов которые получат государственную поддержку на выполнение НИОКР из средств федерального бюджета и РФТР (Российского фонда технологического развития). Ниже перечислены проекты-победители конкурса, близкие по тематике читателям ПерсТ’а.

• Исследование, разработка и постановка на производство светодиодных линеек на основе гибких ленточных носителей для автомобильных светотехнических приборов. ЗАО “Инновационная фирма ИРСЭТ-Центр”, г.Санкт-Петербург.
• Лазерный медицинский неинвазивный диагностический комплекс. ФГУП НИИ “Полюс”, г.Москва.
• Организация производства лазерных гетероструктур для сверхмощных лазерных диодов. ЗАО “Полупроводниковые приборы”, г.С.-Петербург.
• Создание производства субмикронных и нанопорошков металлов, сплавов и неорганических соединений для получения новых перспективных функциональных и конструкционных материалов. ООО НПО “Мипор”, г.Томск.
• Разработка средств компьютерной поддержки инновационной деятельности при совершенствовании и создании новых поколений технологий, техники и изделий. ЗАО “Научно-производственное объединение “Информ-Система”, г.Москва.
• Светодиодный транспортный и железнодорожный светофор. НИИ Автоматики и Электромеханики (НИИ АЭМ), г.Томск.

Разработка технологии получения и освоение промышленного выпуска оптически однородных нелинейных халькогенидных составов твердых растворов халькопиритовой и дефектной халькопиритовой структуры для увеличения эффективности преобразования лазерного излучения. Кубанский государственный университет, Научно-технологический парк “Университет”, г.Краснодар.

НОВОСТИ ФИЗИКИ В БАНКЕ ПРЕПРИНТОВ

Спектроскопия квантовой точки в режиме кулоновской блокады
Для исследования процессов релаксации энергии внутри квантовой точки в режиме кулоновской блокады предложена и продемонстрирована "спектроскопия переходного тока" (transient current spectroscopy). Суть метода состоит в следующем. Квантовая точка AlGaAs/GaAs переводится в возбужденное состояние действием импульсного сигнала, после чего анализируется зависимость неравновесного переходного тока от длины импульса. Амплитуда и характерное время переходного тока определяется характеристиками основного и возбужденного спиновых состояний квантовой точки. Установлено, что времена спиновой релаксации превышают несколько микросекунд.

T. Fujisawa et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0010437
Contact: Toshimasa Fujisawa <fujisawa@will.brl.ntt.co.jp>

Новый тип антиферромагнитного состояния в нанографите
Нанографит представляет собой несколько "сложенных в стопку" фрагментов графитовых слоев нанометрового размера. Такие системы демонстрируют новые магнитные свойства, в том числе изменение ширины линий спектров электронного спинового резонанса при адсорбции газа. В препринте представлены результаты теоретического исследования характеристик нанографита методом сильной связи. Показано, что магнитные свойства существенно зависят от характера расположения графитовых нанослоев относительно друг друга. При определенных условиях возможно антиферромагнитное упорядочение локальных магнитных моментов на крайних атомах нанослоев.

K.Harigaya, http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0010462
Contact: Kikuo Harigaya <harigaya@etlcom.etl.go.jp>

Есть ли в ВТСП состояние вихревого стекла?
Показано, что хотя ВАХ микромостиков YBa₂Cu₃O_7-x в магнитном поле и могут быть описаны универсальными скейлинговыми функциями, предложенными Фишером и соавторами, но при этом экспериментальные данные удается одинаково хорошо описать с использованием совершенно различных наборов параметров (критических индексов и температур). Полученные результаты говорят о том, что согласие эксперимента со скейлинговой моделью само по себе не является доказательством существования фазового перехода в состояние стекла магнитных вихрей. Предложен критерий наличия такого перехода. Подчеркнуто, что ни одни из опубликованных в литературе данных не удовлетворяют этому критерию.

D.R.Strachan et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0011014
Contact: Douglas R. Strachan  <strachan@squid.umd.edu>

Коэффициент прохождения электрона через сверхрешетку
Предложен новый метод расчета коэффициента прохождения электрона из материала L в тот же материал L через произвольный (металлический, полупроводниковый или диэлектрический) барьер B. Этот метод основан на самосогласованном расчете электронной структуры периодической сверхрешетки L/B с использованием формализма Корринги-Кона-Ростокера. Представлены результаты, полученные при исследовании прохождения электронов меди через слой кобальта.

I.Riedel et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0011059,   submitted to Phys. Rev. B.
Contact: Ingmar Riedel <ingmar@ptprs5.phy.tu-dresden.de>

CaB₆: новый полупроводник для спиновой электроники
Недавно в соединении CaB₆, легированном лантаном, был обнаружен ферромагнитный переход при очень высокой температуре. Все известные на сегодняшний день теоретические модели объясняют это явление "полуметаллической" электронной структурой CaB₆, получаемой в приближении локальной плотности. Авторы препринта приводят результаты расчетов без использования свободных параметров, из которых следует, что CaB₆ является не полуметаллом, а полупроводником с шириной запрещенной зоны 0.8эВ. В системе La_xCa_1-xB₆ магнетизм возникает с металлической стороны моттовского перехода в примесной зоне, появляющейся при легировании лантаном. Отмечена перспектива использования La_xCa_1-xB₆ в спиновых электронных устройствах.

H.J.Tromp et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0011109
Contact: Paul J. Kelly <p.j.kelly@tn.utwente.nl>

Разрушение Интернета
Рассмотрен вопрос об устойчивости сетки случайным образом связанных друг с другом узлов к умышленному внешнему воздействию, в результате которого из сетки удаляется часть узлов. В рамках теории перколяции аналитически и численно рассчитана критическая доля p_c узлов (после удаления которых сетка разрушается), а также размер максимального кластера из связанных узлов. Даже при p < p_c повреждения сетки оказываются весьма значительными. Обсуждается устойчивость работы электронной сети "Интернет".

R. Cohen et al., http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0010251,
submitted to Physical Review Letters
Contact: Reuven Cohen <cohenr@shoshi.ph.biu.ac.il>

Ответственный редактор
С.Т.Корецкая,
тел: (095) 930 33 89
perst@isssph.kiae.ru

В подготовке выпуска принимали участие:
А.Елецкий, М. Белоголовский, В.Вьюрков, Ю.Метлин, Л.Опенов, А.Чернышова