|
Содержание N 5-98 XXVII КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С КРИСТАЛЛАМИ |
|
|
Кощеев В.П., Моргун Д.А. Ланжевеновский подход к теории прохождения и излучения_ релятивистских частиц в кристаллах |
5 |
|
Бакаев В.А., Богданов С.Д., Богданов С.С., Журкин Е.Е., Космач В.Ф., Рабинович Л.В. Ионизационные потери тяжелых ионов при энергиях менее 100 МэВ/нуклон и толщина их следов в фотоэмульсии |
12 |
|
Дидик В.А., Козловский В.В., Малкович P.UL, Скорятина Е.А. Использование профилей трансмутационных изотопов, образованных в твердых телах облучением высокоэнергетичными заряженными частицами, для определения энергетической зависимости сечения ядерных реакций |
15 |
|
Боброва Т.А., Огнев Л.И. Влияние расположения дефекта типа сдвига кристаллических плоскостей и сверхрешетки на плоскостное каналирование релятивистских электронов |
22 |
|
Тетельбаум Д.И., Карпович И.А., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Марков К.А., Горшков О.Н. Особенности фотолюминесценции в SiO2 с нановключениями кремния, полученными методом ионной имплантации |
31 |
|
Тетельбаум Д.И., Шенгуров В,Г., Шенгуров Д.В., Питиримова Е.А., Питиримов А.В. Формирование аморфно-кристаллических нанокомпозиций кремния путем облучения тяжелыми ионами |
34 |
|
Акимов А.Н., Власукова Л.А., Гусаков Г.А. Зависимость критической температуры ионно-индуцированной кристаллизации арсенида галлия от условий имплантации |
38 |
|
Малютин В.М" Крючков Ю.Ю. Моделирование каналирования ионов 4Не+ в сложной кристаллической структуре |
41 |
|
Самарин В.В., Самарина С.М. Анализ малоуглового рассеяния протонов на атомах водорода на основе решения квантовых краевых задач |
47 |
|
Беляков B.C., Емцев В.В., Коллигон Дж.С., Кордуэлл П.Д., Титов А.И. Использование каналирования ионов и электронов для определения толщин тонких аморфных слоев |
52 |
|
Кунашенко Ю.П., Пивоваров Ю.Л., Эндо И., Ишики Т. О когерентном рождении релятивистских атомов позитрония в кристаллах пучками фотонов и электронов средних энергий |
57 |
|
Кунашенко Ю.П., Пивоваров Ю.Л. Образование е+е- пар релятивистскими тяжелыми ядрами в кристаллах |
66 |
|
Подсвиров О.А., Карасев П.А., Грачев Б.Д. Учет теплового рассеяния для кривых качания при прохождении электронов через тонкие кристаллы |
71 |
|
Дмитриев И.С., Теплова Я.А., Файнберг Ю.А. Сечения потери электронов отрицательными ионами и атомами бора в различных средах |
80 |
|
Дмитриев И.С. Закономерности в сечениях захвата электрона протонами в различных средах |
85 |
|
Машкова Е.С., Молчанов В.А., Толмачев А.И., Фальконе Дж., Форлано Л. Угловые распределения частиц, отраженных от поверхности твердого тела: теория и эксперимент |
91 |
|
Гусева М.И., Дансляп Л.С., Затекин В.В., Куликаускас B.C., Столярова В.Г. Исследование профилей распределения дейтерия и титана в графите в экспериментах по моделированию взаимодействия плазмы с дивертором реактора |
96 |
|
Силенко А.Я. Классическое и квантовое уравнение движения спина частиц, взаимодействующих с кристаллами |
97 |
|
Вольф Г.В., Федоров Д.В. Прямой учет поверхностной экранировки в расчетах самосогласованного потенциала электронов металлической пленки |
105 |
|
Бреза Ю" Венгер Е.Ф., Конакова Р.В" Ляпин В.Г., Миленин В.В., Статов В.А., Тхо рик Ю.А. Физико-химические особенности формирования границ раздела переходов металл-соединение А3В5 и возможности прогнозирования межфазных взаимодействий |
112 |