Номер 8, 2001
XVIII РОССИЙСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ
ПО ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ
|
Автоматизированная система
сшивки РЭМ-изображений |
|
В. Н. Соколов, Д. И. Юрковец, О. В. Разгулина, В. Н. Мельник |
6 |
|
|
|
|
Исследование методом
растровой электронной микроскопии эпитаксиальных |
|
|
пленок GaN, выращенных на (100)Si |
|
|
Г. Н. Панин, О. В. Кононенко, Л. А,
Матвеева, В. Т. Волков, |
|
|
В. Н. Матвеев
|
10 |
|
|
|
|
Применение
методов РЭМ и ВИМС для изучения элементного состава областей очаговой
коррозии оболочки тепловыделяющего элемента |
|
Ю. Д. Гончаренко, Л. А. Евсеев |
15 |
|
|
|
|
Исследование
аналитическими методами РЭМ поверхностей Вi2Te3 и Bi0.4Te3, |
|
|
полученных сверхбыстрой
закалкой |
|
В. А. Чубаренко, И. В. Гасенкова, Е. А. Тявловская, Е. А. Кухаренко |
18 |
|
|
|
|
Растровая электронная
микроскопия, электронная и рентгеновская спектроскопии диэлектриков |
|
М. В. Андрианов, М. Белхаи, О. Жбара, Э. И. Рау, М. Н. Филиппов |
24 |
|
|
|
|
Взаимодействие структурных
дефектов твердых растворов фторидов |
|
К. М. Девяткова, Л. И. Девяткова, В. Б. Тверской |
35 |
|
|
|
|
Структурные дефекты в
эпитаксиальных пленках 2Л-А1М на подложке (111)Si |
|
У. Кайзер, И. И. Ходос, М. Н. Ковалъчук, В. Рихтер |
39 |
|
|
|
|
Изучение влияния
ориентации подложки на трансформацию политипов эпитаксиальных слоев SiC методом цветной катодолюминесценции
в РЭМ |
|
Е. Н. Мохов, Г. В. Сапарин, С. К. Обыден, П. В. Иванников |
45 |
|
|
|
|
Изучение дефектов
структуры монокристаллов Sb2Te3 и Sb1.96Sn0.04Te3 |
|
И. В. Гасенкова, А. М. Чапланов, Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина |
51 |
|
|
|
|
Особенности распыления
никеля в ферро- и парамагнитном состояниях при различных углах падения ионов |
|
Г. В. Адамов, Д. А. Конов, Л. Б. Шелякин, В. Е. Юрасова |
55 |
|
|
|
|
|
|
|
Ионно-электронная эмиссия
при высокодозном облучении графита молекулярными ионами азота |
|
А. М. Борисов, В. С. Куликаускас, Е. С. Машкова, А. В. Сафронов |
|
|
|
59 |
|
|
|
|
Влияние поверхностного
рельефа субмикрометровых размеров на сигнал отраженных электронов в растровом
электронном микроскопе |
|
Л. С. Коханчик, В. А. Юнкин, Е. Б. Якимов |
64 |
|
|
|
|
Дислокации в эпитаксиальных
пленках AlN и GaN |
|
|
У. Кайзер, И. И. Ходос, М.
Н. Ковальчук, В. Рихтер
|
68 |
|
|
|
|
Высокоразрешающая
просвечивающая электронная микроскопия и электронная дифракция в
исследовании минерального осадка на сердечном клапане |
|
|
Е. И. Суворова
|
74 |
|
|
|
|
Исследование структуры
полиимидных пленок Ленгмюра-Блоджетт |
|
|
Н. Д. Степана, Р. В. Гайнутдинов, В. В.
Клечковская, Л. А. Фейгин, В. П. Склизкова, Ю. Г. Баклагина, В. В.
Кудрявцев
|
79 |
|
|
|
|
Определение методом
наведенного тока экстремальных диффузионных длин в кремниевых структурах с p-n-переходами |
|
|
В. А. Злобин, 3. И. Кафенгауз
|
84 |
|
|
|
|
Исследование спектров
глубоких центров и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев p-GaM, выращенных на различных
подложках |
|
|
А. В. Говорков, А. Я. Поляков, Н. Б.
Смирнов, А. Е. Николаев, В. А. Дмитриев, А. С. Усиков, Н. М. Шмидт, В. В.
Лундин
|
89 |
|
|
|
|
Электрополевое
индуцирование локального СТМ-контраста на поверхностях кремния с тонкими
слоями оксида |
|
А. В. Юхневич, О. П. Лосик, В. Л. Кузнецов, А. В. Паненко |
95 |
|
|
|
|
Влияние атомарного водорода
на свойства поверхности эпитаксиального n-GaAs |
|
Н. А. Торхов, В. Г. Божков |
100 |
|
|
|
|
111 |