СОДЕРЖАНИЕ
|
Автоматизация процесса выращивания профилированных кристаллов с применением датчика силы |
|
А.В.Бородин, В.А.Бородин, И.С.Петъков, В.В.Сидоров |
6 |
|
|
|
|
Адсорбция
микропримесей растущими монокристаллами гексагонального йодата литая |
|
К.М.Розин, О.Г.Портнов, Л.В.Васильева, Н.С.Козлова |
11 |
|
|
|
|
Взаимодействие
собственных точечных дефектов при выращивании монокристаллов кремния методом
Чохральского |
|
Н.А.Верезуб, В.В.Воронков, М.Г.Милъвидский, А.И.Простомолотов |
15 |
|
|
|
|
Выращивание базисноограненных
безблочных ленточных кристаллов лейкосапфира |
|
Л.И.Антонов, С.И.Бахолдин, В.М.Крылов, А.В.Москалев, В.И.Николаев |
21 |
|
|
|
|
Гидродинамика расплава
в мениске и уравнение наблюдения при выращивании кристаллов методом Степанова
|
|
А.В.Бородин, В.А.Бородин, А.В.Жданов |
28 |
|
|
|
|
Дефектообразование
в монокристаллах СаАх, имплантированных ионами Ве+ и Se+ |
|
К.Д.Щербачев, В.Т.Бублик, А.В.Курипятник, С.Ю.Юрчук |
32 |
|
|
|
|
Изучение структуры
антидиффузионного покрытия Ni-Р на термоэлектрических материалах Bi-Te-Se и Bi-Te-Sb и механизмов
нарушения их адгезии |
|
|
В.Б.Освенский,
В.В.Каратаев, Н.В.Малькова, В.Б.Уфимцев, В.Т.Бублик, Ю.В.Гостев,
Т.Б.Сагалова, Н.Ю.Табачкова
|
36 |
|
|
|
|
Нестехиометрия и
микродефекты в GaAs после выращивания и последующих термообработок |
|
А.В.Марков, В.Т.Бублик, М.И.Воронова, К.Д.Щербачев |
40 |
|
|
|
|
Оптимальный выбор
параметров кристаллизации профилированных кристаллов из расплава на основе
равновесного значения угла роста |
|
Л.Л.Куандыков, П.И.Антонов |
45 |
|
|
|
|
Особенности
кристаллизации двухфазных сплавов InSb-InBi в условиях
невесомости |
|
В.С.Земское, М.Р.Раухман, В.П.Шалимов |
54 |
|
|
|
|
Особенности
структуры монокристаллов GaAs, легированных кремнием и выращенных
методом Чохральского из-под слоя флюса |
|
В.Т.Бублик, Е.В.Жевнеров, К.Д.Щербачев, А.В.Марков, В.Г.Кригель, П.Б.Орлов |
60 |
|
|
|
|
Получение однородных
монокристаллов теллурида кадмия |
|
|
Ю.М.Иванов,
В.С.Чудаков, В.М.Каневский, Э.М.Пашаев, Ю.В.Писаревский, А.Н.Поляков,
Ю.В.Абрамец, С.А.Тихомиров
|
65 |
|
|
|
|
Получение,
строение и свойства кристаллов YCa4O(BO3)3:Ce,Er,Yb |
|
Г.М.Кузьмичева, В.Б.Рыбаков, С.Ю.Агеев, В.Л.Панютин, Янг Мун Ю, В.И.Чижиков |
69 |
|
|
|
|
Применение генетического
алгоритма для восстановления профиля деформации в ионно-имплантированных
подложках |
|
К.Д.Щербачев, В.Т.Бублик, А.В.Курипятник |
74 |
|
|
|
|
Качество кристаллов
квасцов и нитрата натрия, определяемое по изменению рентгеновской дифракции в
неоднородных тепловых полях |
|
Д.Л.Ким, В.Н.Портнов, В.Н.Трушин |
79 |
|
|
|
|
Проблема
полиморфных переходов в CdTe |
|
И. X. Аветисов, Ю. М. Иванов, А. В.Зорин |
82 |
|
|
|
|
Развитие технологий
формообразования кристаллов, получаемых из расплава |
|
В.А.Бородин, Ю.А.Осипьян |
89 |
|
|
|
|
Реальная структура
и процессы гидратации нелинейно-оптического кристалла CsLiB6O10 |
|
|
Л.И.Исаенко,
А.И.Белов, А.А.Томиленко, Л.И.Губенко, Л.А.Шелудякова, С.М.Кострицкий |
95 |
|
|
|
|
Рентгеновское
измерение тензора деформации и анализ на его основе дислокационной структуры
слоев GaN |
|
В.В.Ратников, Р.Н.Кют, Т.В.Шубина, Т.Паскова, Е.Валчева, Б.Монемар |
100 |
|
|
|
|
Получение
квазикристаллических тонких пленок Al-Cu-Fe, исследование их
структуры и электросопротивления |
|
|
Д.С.Шайтура,
М.Н.Михеева, А.А.Теплов, Д.И.Долгий, Е.Д.Ольшанский, А.Г.Домантовский,
А.А.Шиков
|
104 |
|
|
|
|
Неадиабатическая
реакция встраивания атомов мышьяка в решеточные узлы при гомоэпитаксии
арсенида галлия |
|
Ю.Г.Галицин, В.Г.Мансуров, С.П.Мощенко, А.И.Торопов |
107 |