С О Д Е Р Ж А Н И Е   № 11 за 2005 год

Х1 НАЦИОНАЛЬНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО РОСТУ КРИСТАЛЛОВ

 

Образование прорастающих дефектов при молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe

 

     И.В.Сабинина, А.К.Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, А.В.Латышев                  

6

Квантово-размерные эффекты в спектрах поглощения нанокристаллов CdTe в приближении промежуточного конфайнмента

 

     В.А.Гайсин, С.В.Карпов, С.В.Микушев                                                       

12

Фононная теплоемкость однослойных углеродных нанотрубок

 

     С.С.Савинский, В.А.Петровский                                                                

16

Жидкофазная эпитаксия Tb-содержащих гранатовых пленок

 

     В.В.Рандошкин, Н.В.Васильева, В.Г.Плотниченко, Ю.Н.Пырков, Е.Б.Крюкова

28

 Выращивание монокристаллических субмикронных слоев кремния на сапфире (1102) методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

 

С.А. Денисов, В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Д.А. Павлов, Ю.Н. Дроздов, П.А. Шиляев         

32

Молекулярно-динамическое моделирование процесса самосборки пирамидоподобных структур при кристаллизации нанокапель в поле твердой поверхности

 

       В.М. Самсонов, С.Д. Муравьев, М.Ю. Пушкарь                    

40

Рассеяние Ми как способ характеризации композиционных материалов на основе нанокристаллов

 

     С.В.Карпов, С.В.Микушев, Б.В.Новиков                                            

45

Подложки из бикристаллов сапфира, выращенных методом Степанова для пленочных высокотемпературных джозефсоновских переходов

 

     Л.П.Егоров, И.М.Котелянский, В.Б.Кравченко, В.А.Лузанов                           

50

Структура поверхности и особенности роста базисно-ограненных лент сапфира, выращиваемых из расплава методом Степанова

 

     В.М.Крымов, В.С.Юферев                                                                                     

53

Влияние легирования фтором на фазообразование и сверхпроводящие свойства

 

керамик Tl2,2Ba2CaCu2Oy F2x (0£ x £ 0.15)

 

     А.И.Акимов, С.А.Лебедев                                                                                    

61

Влияние отклонения от стехиометрии на кристаллизацию аморфной составляющей в лазерных конденсатах хрома

 

     А.Г.Багмут, С.Н.Григоров, В.Ю.Колосов, В.М.Косевич, Г.П.Николайчук          

68

Границы области растворимости индия в пленках PbTeáInñ, легированных непосредственно в процессе синтеза

 

     Э.А.Долгополова, А.М.Самойлов, Ю.В.Сыноров, А.М.Ховив                               

74

Исследование процессов оксидирования разбавленных тонкопленочных твердых растворов Fe-Ni

 

     Т.А.Мячина, А.М.Ховив                                                                                             

81

Трансформация поверхностного слоя сапфира в результате высокотемпературного отжига в восстановительной среде

 

     А.Я.Данько, М.А.Ром, Н.С.Сидельникова, С.В.Нижанковский, Л.А.Гринь, Ю.В.Сирик, С.И.Кривоногов

 

Управление формой фронта кристаллизации с помощью экранов, температуры верхней крышки и угла разращивания при выращивании кристаллов BGO низкоградиентным методом Чохральского

 

     М.Г.Васильев, О.Н.Буденкова, В.Н.Шлегель, Н.В.Иванникова, Я.В.Васильев      

89

Управление конвективными течениями в расплаве при росте кристаллов

 

полупроводников

 

     Ю.А.Серебряков, М.П.Марченко, И.В.Фрязинов, Е.Н.Коробейникова            

95

О связи поверхностного натяжения и поверхностной энергии в сферических, изотропных наночастицах металлических сплавов

 

     В.А.Созаев                                                                                                            

106

Межкристаллитное проскальзывание вдоль фасетированных границ зерен

 

     В.Г.Кульков                                                                                                    

108-112