Процесс написания этой книги пока не сходится, несмотря на то, что уже вышли два издания. Каждый год, готовясь к лекциям, я обнаруживаю пробелы, которые очень хочется закрыть. Хорошо, если это удается сделать, не тронув соседний, вошедший в книгу, материал. Это получается не всегда, но я стараюсь свести изменения к минимуму.

По моему убеждению, эти дополнения делают мой «путеводитель» лучше. Поэтому я решил выкладывать их в Интернет. При этом обязуюсь тщательно следить за тем, чтобы не возникла путаница с обозначениями, нумерацией формул и ссылок.

В. Ф. Гантмахер

Оглавление

(2ое издание, Физматлит, Москва, 2005)

ПРЕДИСЛОВИЕ

Гл. 1. МЕТАЛЛЫ С СИЛЬНЫМ БЕСПОРЯДКОМ

1.1. Дифракционная теория электронного транспорта в жидких металлах

1.2. Правило Моойа.

1.3. Насыщение сопротивления.

1.4. Предел Иоффе-Регеля при большой электронной плотности.

Гл. 2. КВАНТОВЫЕ ПОПРАВКИ К ПРОВОДИМОСТИ

2.1. Слабая локализация.

2.2. Влияние магнитного поля на слабую локализацию.

Добавлен материал об универсальных флуктуациях кондактанса

2.3. Антилокализация.

2.4. Межэлектронная интерференция.

Гл. 3. ВЛИЯНИЕ КУЛОНОВСКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ЭЛЕКТРОННЫЙ СПЕКТР

3.1. Переход Пайерлса.

3.2. Структура примесной зоны при слабом легировании.

3.3. Кулоновская щель.

Гл. 4. ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ

4.1. Локализованные состояния и переходы между ними.

4.2. Прыжки на ближайшие центры.

4.3. Прыжки с переменной длиной прыжка.

4.4. Экспериментальные наблюдения прыжковой проводимости.

Гл. 5. ПЕРЕХОДЫ МЕТАЛЛ—ИЗОЛЯТОР

5.1. Переход Андерсона.

5.2. Формула Ландауэра для одномерных (1D) систем.

Изменены обозначения ( r ® R, y ®Y), для согласования с обозначениями гл.6.

5.3 Локализация и роль корреляций в 1D-системах.

Введены более удобные обозначения, уточнено определение длины свободного

пробега l и установлена связь между l и x (для согласования с новым § 6.4)

5.4 Микроволновое моделирование.

5.5. Модель структурного беспорядка.

5.6. Переход Мотта

5.7. Минимальная металлическая проводимость?

Гл. 6. СКЕЙЛИНГОВАЯ ГИПОТЕЗА

6.1. Обоснование и формулировка скейлинговой гипотезы.

6.2. Трехмерные системы.

6.3. Двумерные системы.

6.4. Скейлинг и спин-орбитальное взаимодействие
6.5. (новый) Квазиодномерные (q1D) системы.

Гл. 7. ХИМИЧЕСКАЯ ЛОКАЛИЗАЦИЯ

7.1. Интерметаллические комплексы в двухкомпонентных расплавах.

7.2. Квазикристаллы.

7.3. Переход металл-изолятор при большой электронной плотности.

Гл. 8. ГРАНУЛИРОВАННЫЕ МЕТАЛЛЫ

8.1. Морфология и классификация.

8.2. Кулоновская блокада и переход металл-изолятор.

8.3. Фрактально-гранулированные металлы.

Гл. 9. ЦЕЛОЧИСЛЕННЫЙ КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА

9.1. Спектр и динамика двумерных электронов в сильном магнитном поле.

9.2. Экспериментальные наблюдения целочисленного КЭХ.

9.3. Механизм образования плато.

9.4. Краевые каналы.

9.5. Плотность состояний электронного 2D-газа в магнитном поле.

9.6. Цепочки фазовых переходов.

9.7. Двухпараметрический скейлинг.

Гл 10. (новая) КВАНТОВЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
10.1. Параллели и различия между классическим и квантовым фазовыми переходами.
10.2. Критическая окрестность фазового перехода.
10.3. Квантовые переходы металл-изолятор.
10.4. Квантовые переходы между разными состояниями холловской жидкости.

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1. ЭЛЕМЕНТЫ ТЕОРИИ ПЕРКОЛЯЦИИ

П 1.1. Аппроксимация эффективной среды.

П 1.2. Перколяционные пороги.

П 1.3. Окрестность перколяционного перехода.

П 1.4. Пример: Электропроводность сильно неоднородной среды.

Приложение 2. ТУННЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ