3 февраля 2003 года в 14.30 в конференцзале
состоится заседание Ученого совета ИФТТ РАН

ПОВЕСТКА ДНЯ:

I. Доклады по работам, направляемым в печать:

1. Д.Н.БОРИСЕНКО, А.Е.ДУБИНОВ, Ю.Б.КУДАСОВ, М.П.КУЛАКОВ, А.И.ШАЛЫНИН
"Состав, параметры элементарной ячейки и Тс в гексагональном NiS"
"Journal of Crystals Growth"

2. В.А.ГАСПАРОВ, Н.С.СИДОРОВ, И.И.ЗВЕРЬКОВА, С.С.ХАСАНОВ, М.П.КУЛАКОВ,
H.M.CHRISTEN, M.P.PARANTHAMAN, D.H.LOWNDES "Электронный транспорт, глубина
проникновения и верхнее критическое магнитное поле в ZrB12 и MgB2"
"Phys.Rev.B"

3. А.Н.ЧАЙКА, А.М.ИОНОВ, М.БУССЕ, С.Л.МОЛОДЦОВ, С.МАЖУМДАР, Г.БЕР,
Е.В.САМПАТКУМАРАН, В.ШНАЙДЕР, К.ЛАУБШАТ "Электронная структура и электроные
возбуждения в соединениях R2PdSi3"

Часть I : "Электронная структура соединений R2PdSi3(R=La, Ce, Gd, Tb)

Часть II : "Электронно-спектроскопические исследования соединений
семейства R2PdSi3(R=La, Ce, Nd, Pr, Gd, Tb)
"Phys.Rev.B"

4. А.П.ГУСЬКОВ, А.Д.ОРЛОВ "Зависимость периода эвтектической структуры
от кинетических параметров".
"Com.Mat."

5. А.П.ГУСЬКОВ, А.Д.ОРЛОВ "О механизме образования ячеистой структуры фронта
кристаллизации"
"ЖТФ"

II. Закрытая часть.




Ученый секретарь                                        Г.Е.Абросимова