| ||
Введение в физику полупроводников д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН В. Д. Кулаковский Аннотация Курс посвящен изложению основ физики полупроводников. Наряду с традиционными разделами физики полупроводников в курсе затрагиваются современные проблемы (такие как поляритоны в объемных полупроводниках и полупроводниковых квазидвумерных наноструктурах). Программа курса 1. Введение. Кинетические явления в полупроводниках: электропроводность, эффект Холла, влияние магнитного ноля, градиента температуры. Время свободного пробега. 2. Элементарная теория гальваномагнитных явлений (тензор электропроводности в магнитном поле, угол Холла и постоянная Холла, магнетосопротивление), смешанная проводимость, экспериментальные измерения проводимости и эффекта Холла. 3. Химические связи в полупроводниках Кристаллические решетки, электронная конфигурация атомов Типы химической связи: ионная связь, гомеополярная связь, ван-дер-ваальсовская связь, кристаллы со смешанной связью, некристаллические полупроводники. 4. Полупроводниковые свойства и химическая связь. Запрещенная зона, примесные уровни, вакансии в кристалле. 5. Элементы зонной теории полупроводников (идеальная решетка).Основные предположения зонной теории. Волновая функция электрона в периодическом поле, зоны Бриллюэна, энергетические зоны. 6. Метод сильно связанных электронов. 7. Закон дисперсии электронов и дырок. Эффективная масса. Примеры зонной структуры полупроводников. 8. Элементы зонной теории полупроводников (полупроводники во внешних полях, неидеальные кристаллы). Средние значения скорости и ускорения электрона, электроны и дырки в магнитном поле (классическая теория), диамагнитный резонанс. 9. Метод эффективной массы. Энергетический спектр электронов и дырок в магнитном поле (квантовая теория), энергетический спектр электронов и дырок в постоянном электрическом поле (квантовая теория), мелкие примесные уровни. 10. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Распределение квантовых состояний в зонах, распределение Ферми-Дирака, эффективная плотность состояний в зонах, концентрация носителей в вырожденных и невырожденных полупроводниках, концентрация электронов и дырок на локальных уровнях. 11. Распределение Гиббса. Определение положения уровня Ферми в собственном полупроводнике и в легированных полупроводниках. 12. Явления в контактах. Потенциальные барьеры, плотность тока, соотношение Эйнштейна, условия равновесия тел, термоэлектронная работа выхода, контактная разность потенциалов. 13. Распределение концентрации электронов и потенциала в слое объемного заряда, длина экранирования, обогащенный и истощенный слой. Выпрямление в контакте металл - полупроводник. 14. Неравновесные электроны и дырки в полупроводниках. Время жизни неравновесных электронов и дырок, уравнение непрерывности, фотопроводимость, квазиуровни Ферми. 15. Проблемы о6основания зонной теории. Адиабатическое приближение, приближение малых колебаний, метод самосогласованного поля. 16. Поляроны, экситоны, экситонные молекулы, ионизация экситонов, электрон-дырочкая плазма, электрон-дырочная жидкость. 17. Усиление и генерация света в активных средах. Стимулированное излучение. Полупроводниковые лазеры. 18. Поляритоны в объемных полупроводниках и полупроводниковых квазидвумерных наноструктурах. 19. Квазидвумерный свет. Квазидвумерные экситонные поляритоны. Параметрическое рассеяние поляритонов. Бозе-Эйнштейновская конденсация экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах. Литература 1. В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников, Физика полупроводников, М., Наука, 1977. 2. А. И. Ансельм, Введение в теорию полупроводников, М., ФМЛ, 1962. Дополнительная литература 1. А. Г. Забродский, С. А. Немов, Ю. И. Равич, Электронные свойства неупорядоченных систем, С.-П., Наука, 2000. 2. Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, Е. Л. Ивченко, Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах С.-П., Наука, 2000. |
||
Агарков Д.А. • Тел: +7(916)7584930 • email: agarkov@issp.ac.ru |