|
|
Лаборатория электронной
кинетики располагает мощными радиочастотным, микроволновым,
криогенным и магнитополевым комплексами оборудования,
позволяющими проводить прецизионные фазочувствительные
измерения тока и напряжения в диапазоне частот 0-10
МГц и микроволнового отклика твердотельных материалов
в см- и мм- диапазонах длин волн в интервале температур
0.1-300 К и стационарных магнитных полей до 18 Т.
Методический принцип развития ЛЭК позволяет всесторонне
исследовать один и тот же образец разными физическими
методами и получить максимальную информацию о его
электронных свойствах. Примером такого подхода может
служить обнаруженный по измерениям температурных
зависимостей верхнего критического поля и поверхностного
импеданса переход от классической сверхпроводимости
к необычной в кристаллах Ba 1-xK xBiO 3:
в кристаллах с Tc > 20 K ( a и b на
левом рисунке) температурные зависимости верхнего
критического поля имеют положительную кривизну,
а с Tc < 15 K ( c,
d, e) описываются
стандартной зависимостью; в полной корреляции с
таким поведением критического поля импеданс кристаллов
демонстрирует ниже критической температуры соответственно
линейное либо экспоненциальное (кристалл c,
правый рисунок) поведение [ Подробнее].
|
В 2003-2007
г.г. лаборатория оснащалась современной и
дорогостоящей измерительной техникой [Приложение]. Разработанные
и испытанные в ЛЭК рекордный российский соленоид
с магнитным полем до 18 Т при Т=4.2 К и криогенные
системы (Патент ╧ 46084 "Низкотемпературная вставка
в криостат с откачкой паров He3
для работы в диапазоне 0.3-300 К") пользуются активным
спросом исследователей как в нашей стране, так и
за рубежом. Подтверждением этому является выполнение
на оборудовании ЛЭК более 10 договоров о научно-техническом
сотрудничестве с ВУЗАми, Институтами РАН и НИИ РФ
в течение последних нескольких лет. За период 2002-2006
г.г. криосистема ЛЭК была изготовлена
для 5 институтов РАН: ИФМ УрО, ИФП СО, ИРЭ, ИПТМ,
ФИАН; для университета г. Палермо (Италия) была
сделана специальная низкотемпературная микроволновая
установка на основе золотого резонатора, работающая
на частоте 9.3 ГГц. В этот период времени в ЛЭК
более полугода работали итальянские исследователи
из университета г. Палермо, около года научный сотрудник
Института физики г. Баку, а также помесячно сотрудники
институтов РАН: ИРЭ, ИФП СО, ИНХ СО, ИПХФ. Результатом
этих работ служат 10 опубликованных в ведущих научных
журналах статей с участием исследователей из российских
и зарубежных организаций в 2004-2006 г.г. Оборудование
ЛЭК постоянно используется студентами и аспирантами
кафедры физики твердого тела МФТИ при выполнении
научных исследований.
|
Лаборатория
постоянно развивает свои методические возможности. Начаты
работы по:
-
созданию
универсальной микроволновой установки, предназначенной
для исследований высокочастотных свойств твердых тел в
миллиметровом диапазоне длин волн от комнатных до
ультранизких температур в стационарных магнитных полях
до 18 Т
-
усовершенствованию
криосистемы для обеспечения свободного доступа в шахту
с жидким He3
(Т=0.3 К) различных, в том числе достаточно громоздких
устройств (системы вращения образцов, волноводов,
оптических световодов и т.д.)
-
разработке
оригинального рефрижератора растворения для получения
ультранизких температур (до 50 мК)
-
созданию метода
измерений дробового шума тока в мезоскопических
мостиках при высоких температурах в условиях
преобладания теплового шума
-
разработке
нерезонансного спектрального метода измерений
коэффициента преломления метаматериалов в диапазоне
частот от 0.1 до 40 ГГц
|
В
комплекс оборудования для исследований электромагнитных
свойств новых материалов
входят: |
Автоматизированные
установки для исследований низкочастотной проводимости
полупроводников, металлов и сверхпроводников,
позволяющие измерять:
-
Температурные зависимости
сопротивления образцов в диапазоне температур
(0.3-300) К. При изучении анизотропных образцов
(высокотемпературные сверхпроводники, органические
металлы, слоистые полупроводники) отработана
методика четырехконтактных измерений, позволяющая
определить как величину анизотропии сопротивления,
так и отдельные компоненты тензора сопротивления,
в том числе на образцах малых размеров до 0.2
мм. Разработаны вставки для экспресс-измерений
в транспортном гелиевом дюаре в диапазоне температур
(4.2-300) К
-
Магнитосопротивление
образцов нормальных металлов и полупроводников,
а также температурные зависимости и анизотропию
верхнего критического поля в сверхпроводниках
в диапазоне температур (0.3-300) К и в магнитных
полях до 18 Т. Для таких измерений используются
криостаты со сверхпроводящими соленоидами и
вставки с откачкой He3.
|
образец размером до 0.2 мм
четырехконтактные
измерения |
|
Для
перечисленных измерений используется
высокочувствительная управляемая компьютерами аппаратура
на базе современных синхронных детекторов SR и PAR и
цифровых мультиметров Agilent и
Solartron |
Типовой
криостат с соленоидом 14 Т
|
Рекордный
российский сверхпроводящий соленоид, развивающий
стационарное магнитное поле 18 Т при температуре
кипения жидкого гелия Т=4.2
К
| |
Низкотемпературные
устройства |
Оригинальные
криосистемы для прецизионных измерений
электропроводности образцов на постоянном токе и
динамической восприимчивости на частотах от 10 Гц
до 10 МГц от сверхнизкой (0.3 К) до комнатной (300
К) температуры в магнитном поле сверхпроводящих
соленоидов на 8, 12, 14 и 17
Т | |
Оригинальные
микроволновые устройства для прецизионных
измерений температурных зависимостей (от 0.4 К до
200 К) реальной и мнимой частей поверхностного
импеданса твердотельных образцов в сантиметровом и
миллиметровом диапазонах длин
волн | |
Оригинальный
рефрижератор растворения для работы в области
сверхнизких (до 50 мК) температур в сильных
магнитных полях сверхпроводящих
соленоидов | |
Автоматизированная установка для
экспресс-измерений динамической магнитной
восприимчивости образцов в диапазоне температур от 2 до
300 K |
|
- Чувствительность установки 10-9 emu
- Амплитуда переменного магнитного поля 0.1
- 10 Э
- Частота поля - до 10 МГц
- Постоянное магнитное поле до 18 Т
- Особенность установки в том, что
магнитные катушки при измерениях температурных
зависимостей восприимчивости погружены в жидкий
гелий (T = 4.2 К), что обеспечивает высокую
стабильность коэффициента усиления
| |
Оригинальные
микроволновые установки, позволяющие прецизионно
измерять температурные зависимости реальной
R(T) и мнимой X(T) частей поверхностного импеданса
Z(T) образцов малого размера (порядка квадратного
миллиметра площадью) в сантиметровом и миллиметровом
диапазонах длин волн. Эти установки содержат
два основных элемента: сверхвысокостабильные
генераторы СВЧ-сигналов фирмы Agilent Technologies
(США) с разрешением по частоте 0.01 Гц в диапазоне
от 200 кГц до 40 ГГц и низкотемпературные высоковакуумные
устройства на базе сверхпроводящих резонаторов
из Nb с добротностью при Т = 2 К, большей десяти
и двух миллионов на частотах 10 и 30 ГГц соответственно.
Поверхностное сопротивление R(T) образца измеряется
с точностью около 1 мкОм и глубина проникновения
электромагнитного поля в образец с погрешностью,
меньшей 5 нм. В настоящее время эти показатели
являются рекордными в мире. Получаемые экспериментально
значения R(T) и X(T) в абсолютных единицах (омах)
в разных ориентациях образца относительно микроволнового
поля в резонаторе позволяет найти все компоненты
комплексной проводимости - главной электродинамической
характеристики образца, как в нормальном (до
Т = 300 К), так и в сверхпроводящем (до Т =
0.4 К) состояниях исследуемого образца.
| |
Оригинальная
установка для исследований микроволновых
свойств диэлектрических пленок и их покрытий в
диапазоне частот от 25 до 40 ГГц, позволяющая
измерять: |
|
-
диэлектрическую
проницаемость пленок толщиной от 50 мкм до 1 мм
в интервале значений проницаемости от 2 до
10
-
тангенс
угла потерь диэлектрических пленок в интервале
от 0.1 до 0.0001
-
микроволновую
проводимость и поверхностный импеданс медной
пленки, измеряемые со стороны диэлектрической
пленки
-
температурные
зависимости всех указанных выше характеристик в
интервале от -60 C до +70
C | | |
|
|
|
|
| |