старших научных сотрудников:
в Лабораторию профилированных кристаллов:
- специалиста в области оптических биомедицинских измерений, биофотоники, лазерным технологиям в медицине - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию сверхпроводимости:
- специалиста в области проектирования, изготовления и исследования тонкоплёночных сверхпроводниковых структур на основе туннельных и магнитных контактов Джозефсона - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области разработки и исследования твердооксидных топливных и электролизных элементов и электрохимических устройств на их основе - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию электронной кинетики:
- специалиста по изготовлению и исследованию Ван-дер-Ваальсовых гетероструктур, СВЧ свойств материалов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области оптики низкоразмерных структур для исследования коллективных явлений, возникающих в когерентных бозе конденсатах экситонных поляритонов в планарных полупроводниковых микрорезонаторах и латерально ограниченных системах с пониженной симметрией на основе них - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области спектроскопии фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света на низкоразмерных электронных системах при низких температурах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию поверхностей раздела в металлах:
- специалиста в области исследования фазовых превращений, влияния внутренних границ раздела на структуру и свойства сплавов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области фазовых превращений в металлах и сплавах, вызванных интенсивной пластической деформацией - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
ведущего научного сотрудника:
в Лабораторию физики высоких давлений:
- специалиста в области синтеза гидридов при высоких давлениях водорода и экспериментального исследования их состава, термической устойчивости, полной кристаллической структуры, колебательного спектра и продуктов термического разложения - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
С победителями конкурсов будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 09.07.2025г.