в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
 - специалиста в области электродинамического моделирования СВЧ и КВЧ устройств – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
 - специалиста в области разработки и измерения электрических свойств СВЧ и КВЧ устройств, включая их компоненты и метаповерхности – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителями конкурса будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 27.11.2025г.

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области исследования плазменных возбуждений в частично экранированных двумерных электронных системах – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

      С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

     Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 12.09.2025г.

в Лабораторию новых функциональных материалов и структур:
- специалиста в области создания и исследования новых функциональных материалов и гибридных структур: 0.5 ставки, 14 вакансий сроком на 2 года; 0.5 ставки, 6 вакансий сроком на 4 года;

в Лабораторию структурных исследований:
- специалиста в области исследования нанокристаллических структур в гетерогенных аморфных сплавах на основе кобальта, железа и алюминия - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области экспериментального исследования вихревого течения, возбуждаемого волнами на поверхности жидкости – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области исследования вихревого движения в узком зазоре в сверхтекучем гелии-II – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию водородной энергетики:
- специалиста по разработке систем управления и силовой электроники для устройств водородной энергетики - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию материаловедения:
- специалиста в области исследования структуры и свойств жаростойких покрытий на тугоплавких металлах – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию поверхностного деформационного структурирования:
- специалиста в области выращивания кристаллов и исследования свойств широкозонных полупроводников – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области моделирования движения частиц в экспериментах по волновой турбулентности – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

старших научных сотрудников:

в Лабораторию профилированных кристаллов:
- специалиста в области оптических биомедицинских измерений, биофотоники, лазерным технологиям в медицине - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию сверхпроводимости:
- специалиста в области проектирования, изготовления и исследования тонкоплёночных сверхпроводниковых структур на основе туннельных и магнитных контактов Джозефсона - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области разработки и исследования твердооксидных топливных и электролизных элементов и электрохимических устройств на их основе - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию электронной кинетики:
- специалиста по изготовлению и исследованию Ван-дер-Ваальсовых гетероструктур, СВЧ свойств материалов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области оптики низкоразмерных структур для исследования коллективных явлений, возникающих в когерентных бозе конденсатах экситонных поляритонов в планарных полупроводниковых микрорезонаторах и латерально ограниченных системах с пониженной симметрией на основе них - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области спектроскопии фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света на низкоразмерных электронных системах при низких температурах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию поверхностей раздела в металлах:

- специалиста в области исследования фазовых превращений, влияния внутренних границ раздела на структуру и свойства сплавов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области фазовых превращений в металлах и сплавах, вызванных интенсивной пластической деформацией - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

ведущего научного сотрудника:

в Лабораторию физики высоких давлений:
- специалиста в области синтеза гидридов при высоких давлениях водорода и экспериментального исследования их состава, термической устойчивости, полной кристаллической структуры, колебательного спектра и продуктов термического разложения - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителями конкурсов будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 09.07.2025г.

в Лабораторию материаловедения:
- специалиста в области жаропрочных слоистых материалов на основе ниобия и молибдена с карбидным и интерметаллическим упрочнением – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию поверхностного деформационного структурирования:
- специалиста в области жаропрочных сплавов на основе ниобия и молибдена с карбидным и силицидным упрочнением, а также низколегированных молибденовых сплавов – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию управляемого роста кристаллов:
- специалиста в области разработки научно-технологического оборудования для микроэлектроники – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителями конкурсов будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:00 25.05.2025г.