.
22.11.2024 
  
Будем признательны за отзыв о нашем институте!
Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:

Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке:
https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057
Фильтры

в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области стеклокерамических герметиков для твердооксидных топливных элементов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области твердо-оксидных топливных элементов (ТОТЭ), энергоустановок на ТОТЭ, конечно-элементного моделирования - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области исследования поверхностно усиленного рамановского рассеяния, плазмон-поляритонного резонанса, фотонных кристаллов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области спектроскопии плазменных возбуждений в двумерных электронных системах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области исследования турбулентности в системе волн на поверхности жидкости, вихревых систем на поверхности жидкости - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области дискретной волновой турбулентности на поверхности квантовой жидкости - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Сектор элементного и структурного анализа:
- специалиста в области фазового анализа многокомпонентных высокоэнтропийных сплавов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию профилированных кристаллов:
- специалиста в области получения высокотемпературных керамических материалов и защитных покрытий на основе карбида кремния - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области разработки ТГц элементной базы и новых оптических материалов для применения в ТГц оптотехнике - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специалиста в области получения биоморфных материалов, исследованию их структуры и свойств - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию спектроскопии поверхности полупроводников:
- специалиста в области физики полупроводников, физики льда, квантовой информации, численных методов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителями конкурса будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 08.02.2024г.

в Лабораторию неравновесных электронных  процессов:

- специалиста в области исследований магнитоплазменных возбуждений в двумерных электронных системах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 25.01.2024г.

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области время-разрешённой магнитооптики низкоразмерных гетероструктур, спектроскопии неупругого рассеяния света в конденсированных средах, сильно коррелированных двумерных электронных систем – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;

в Лабораторию новых функциональных материалов и структур:

- специалиста в области материаловедения и исследования электрофизических свойств сложных оксидов - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять Ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию профилированных кристаллов:

- специалиста в области выращивания из расплава монокристаллических и эвтектических оксидных волокон и исследования их характеристик - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области исследования полупроводниковых соединений методами оптоэлектронного зондирования - 0,5 ставки должности научного сотрудника ИФТТ РАН и 0,5 ставки в проекте РНФ 19-72-30003 на срок выполнения проекта РНФ 19-72-30003;

С победителями конкурса будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 08.12.2023г.

в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:

- специалиста в области разработки и испытаний высокотемпературных герметиков для ТОТЭ и ТОЭлЭ - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 24.11.2023г.