- специалиста в области физики полупроводников и низкоразмерных систем: транспортные свойства двумерных и одномерных топологических поверхностных состояний, топологические изоляторы, топологические полуметаллы Дирака и Вейля, квантовые ямы, спиновый эффект Холла, спинтроника – 0,5 ставки, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

в Лабораторию физики высоких давлений:

- специалиста в области проведения исследований взаимодействия металлов с водородом с использованием дифференциальной сканирующей калориметрии и рентгеновской дифракции – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию профилированных кристаллов:

- специалиста в области ТГц спектроскопии и визуализации, разработки ТГц элементной базы – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 12.02.2021г.

Старшего научного сотрудника:
- специалиста в области исследований и разработок твердооксидных топливных элементов – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 3 года;

Научного сотрудника:
- специалиста в области компьютерного моделирования твердооксидных топливных элементов – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 25.12.2020г.

в Лабораторию профилированных кристаллов:
- специалиста в области высокотемпературных карбидокремниевых керамических материалов, получаемых силицированием пористой углеродной основы и нанесению антиокислительных карбидокремниевых покрытий – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

в Лабораторию спектроскопии поверхности полупроводников:
- специалиста в области модельных расчетов атомной и электронной структуры поверхности твердого тела – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 18.12.2020г.