Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) объявляет конкурс на замещение вакантных должностей младших научных сотрудников в

Лабораторию новых функциональных материалов и структур:

- специалистов в области микроволновой спектроскопии двумерных электронных систем - 0.5 ставки, 2 вакансии сроком на 2 года;

Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалиста в области электронных свойств низкоразмерных полупроводниковых
гетероструктур оптическими методами - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 3 года;

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.

Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) объявляет конкурс на замещение вакантных должностей научных сотрудников в

Лабораторию квантовых кристаллов:

- специалист в области роста монокристаллических сцинтилляторов на основе редкоземельных элементов – 1 вакансия сроком на 5 лет, полная ставка;

Лабораторию неравновесных электронных процессов:

- специалист в области оптической спектроскопии полупроводниковых нанообъектов – 1 вакансия сроком на 5 лет, полная ставка;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17.00 24.01.2020г.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики
твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) объявляет конкурс на
замещение вакантной должности ведущего научного сотрудника в лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области исследования энергетических спектров и механизмов релаксации состояний коррелированных двумерных электронных систем в сильных магнитных полях – 1 вакансия, полная ставка.

С победителем конкурса будет заключен бессрочный трудовой договор.
Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru)
направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432
г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17.00 24.01.2020г.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) объявляет конкурс на замещение вакантной должности научного сотрудника в Лабораторию физики высоких давлений:
- специалист в области синтеза и исследования свойств полигидридов высокого давления– 1 вакансия сроком на 5 лет, полная ставка;

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17.00 20.12.2019.

Лабораторию электронной кинетики:
- специалист в области шумовых и транспортных исследований наноструктур при низких температурах – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 1 год;

Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалист в области нелинейных волновых и вихревых движений на поверхности жидкости – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 3 года;

Лабораторию материалов для электрохимических технологий:
- специалист в области синтеза и высокотемпературных свойств материалов со смешанной ионно-электронной проводимостью – 1 вакансия сроком на 1 год, полная ставка.

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.