.
22.11.2024 
  
Будем признательны за отзыв о нашем институте!
Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:

Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке:
https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057

Важнейшие научные результаты, полученные в ИФТТ РАН в 2014 году

1.Обнаружение релятивисткой плазменной моды в системе двумерных  электронов, с проводимостью превышающей скорость света.
В.М. Муравьев, П.А. Гусихин, И.В. Андреев, И.В. Кукушкин

В системе двумерных электронов, с проводимостью, превышающей скорость света, обнаружена новая слабозатухающая мода плазменных колебаний, которая остается слабозатухающей вплоть до комнатных температур. Условием ее существования являются: высокая проводимость и наличие близкого металлического затвора, что указывает на поляритонную природу. Мода имеет аномально узкую ширину линии резонансного поглощения. Есть перспективы для создания быстрых детекторов и генераторов субтерагерцового излучения на этой моде. 

 

2. Кулоновское взаимодействие во встречных электронных пучках.
В.С.Храпай, Д.В.Шовкун, Е.С.Тихонов, М.Ю.Мельников, G.Biasiol*, L.Sorba

Сочетание высокого качества и низкой плотности носителей в современных полупроводниковых структурах дает возможности исследования кулоновских эффектов  за рамками Ландауэровского описания (по сути, в чистом пределе).

В 2014 году научными сотрудниками ИФТТ РАН достигнут заметный экспериментальный прогресс в этом направлении с использованием измерения неравновесных флуктуаций тока и локальной болометрии.

Небольшое отверстие, соединяющее чистые двумерные резервуары электронов, оказывается чувствительно к неупругому межэлектронному рассеянию в его окрестности, благодаря нарушению детального баланса при протекании электрического тока.

Имеет место аналог эффекта увлечения между инжектированным и налетающим пучками электронов, что приводит к уменьшению сопротивления контакта.
Исследование дробового шума при этом позволяет однозначно судить о ключевой роли межэлектронного рассеяния.

 

3. Динамика магнетизации, управляемая электрическим током, на краю двумерной электронной системы с сильным спин-орбитальным взаимодействием.
А. Кононов, С.В. Егоров, Э.В. Девятов, G.Biasiol, L.Sorba

Экспериментально исследовали транспорт носителей заряда через интерфейс между ферромагнетиком (пермаллой) и краем двумерной электронной системы с сильным спин-орбитальным взаимодействием (Рашба).

Обнаружили сильно нелинейный транспорт при малых напряжениях смещения при Т<100mK. Такое поведение соответствует аккумуляции спиновой поляризации вблизи интерфейса, возникающей в силу спинового эффекта Холла в двумерной системе со спин-орбитальным взаимодействием, и образованию вихря (torque) магнетизации при протекании тока через интерфейс.

 

4. Резистивные переключения и диодные свойства мезоскопических структур на основе оксидов ниобия.
Н.А.Тулина, А.Н.Россоленко, И.Ю.Борисенко, И.М.Шмытько, А.М.Ионов, А.А.Иванов

В ИФТТ развита технология изготовления и исследованы эффекты резистивных переключений в структурах на основе оксидов ниобия.

I-V характеристики гетероструктур из аморфных пленок оксида ниобия имеют слабый эффект резистивных переключений.

Однако, отжиг переводит оксид ниобия в многофазное нанокристаллическое состояние и возникающая  пространственная неоднородность вакансий кислорода приводит к обратимому переключении из низкорезистивного в высокорезистивное состояние и существование бистабильных резистивных состояний.

Эффект связан с модуляцией барьера Шоттки в интерфейсе металл-оксид.

5. Новый метод получения изделий из карбидокремниевой керамики
В.Н.Курлов

В ИФТТ РАН разработан новый метод получения многофункциональной карбидокремниевойкерамики, который основан на взаимодействии расплава кремния с углеродом, находящимся в заранее скомпонованной заготовке определенного состава и пористости.

Новая конструкционная керамика обладает более высокими рабочими температурами, химической стойкостью, механической, термоударной и радиационной прочностью, износостойкостью, надежностью, ресурсом эксплуатации и стабильностью параметров.

Это открывает широкие перспективы ее использования в химической, нефтедобывающей и нефтеперерабатывающей промышленности, а также в качестве элементов нового поколения газотурбинных двигателей.

6. Технологии и оборудование для выращивания крупногабаритных кристаллов сапфира для широкоапертурной оптики аэрокосмического применения, прозрачной брони, защитных экранов дисплеев мобильных устройств.
 А.В.Бородин, (ИФТТ РАН и ЭЗАН РАН)

Разработаны оборудование и технология для выращивания методом Степанова монокристаллического сапфира в виде плоских окон с характерным размером до 300 мм для проходной оптики и защитных окон устройств наведения, слежения и распознавания, и для прозрачной брони. Разработанная технология и оборудование позволяют в разы увеличить производительность и снизить себестоимость подобных изделий.

7. 2D-структуры на основе слоистых халькогенидов галлия
S. Schwarz, S. Dufferwiel, P. M. Walker, F. Withers, A. Trichet, M. Sich, F. Li, E. A. Chekhovich , D. N. Borisenko, N. N. Kolesnikov, K. S. Novoselov, M. S. Skolnick, J. M. Smith, D. N. Krizhanovskii, A. I. Tartakovskii
(ИФТТ РАН + University of Manchester, University of Sheffield)

В ИФТТ разработаны методы получения слоистых монокристаллов GaS1-xSex (x = 0 – 1) вертикальной зонной плавкой под давлением инертного газа. Эксфолиация таких материалов аналогично графену, позволила изготавливать 2D структуры с площадью до 1500 мкм2.

Исследована фотолюминесценция полученных пленок GaSe толщиной »40 нм в микрорезонаторах с распределенными Брэгговскими отражателями из четвертьволновых SiO2/TiO2 пар. 

На длине волны 603,7 нм экспериментально наблюдено 60-кратное Парселловское усиление интенсивности ФЛ в резонаторе при снижении его времени затухания на порядок.