I. Утверждение плана НИР ИФТТ РАН на 2006 год.
II. Доклады по работам, направляемым в печать:
1. С.НАЗИН, Ю.ШИКИНА, В.ШИКИН «Электронные пузырьки во внешних полях» “Journal de Physique”
2. С.С.МУРЗИН, С.И.ДОРОЖКИН, D.K.MAUDE, A.G.M.JANSEN “Scaling flow diagram in the fractional quantum Hall regime of GaAs/AlGaAs heterostructures” “Phys.Rev.B”
III. Закрытая часть.