.
23.11.2024 
  
Будем признательны за отзыв о нашем институте!
Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:

Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке:
https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057
  1. Научный доклад Козлова В.Е. в связи с избранием на конкурсной основе на должность научного сотрудника ИФТТ РАН «Плазменные и магнитоплазменные явления в GaAs/AlGaAs квантовых ямах и гетеропереходе ZnO/MgZnO».

  2. Научный доклад Фортунатова А.А. в связи с избранием на конкурсной основе на должность научного сотрудника ИФТТ РАН "Интерференция плазменных волн в двумерных электронных структурах  GaAs/AlGaAs»".

  3. Закрытая часть.