.
26.11.2024 
  
Будем признательны за отзыв о нашем институте!
Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации:

Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке:
https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057
  1. Утверждение правил Конкурсов научных работ ИФТТ РАН имени Г.В.Курдюмова  и имени Ю.А. Осипьяна.

  2. Доклады по работам, направляемым в печать:

    1. Агарков Д.А., Бурмистров И., Цыбров Ф., Тартаковский И., Хартон В., Бредихин С., Кведер В. «Analysis of interfacial processes at the SOFC electrodes by in-situ Raman spectroscopy».   «ECS Transactions».

    2. Агарков Д.А., Бурмистров И., Цыбров Ф., Тартаковский И., Хартон В., Бредихин С. «Кинетика восстановления и морфологические изменения Ni в композиционных анодах ТОТЭ: оценка методом комбинационного рассеяния света».    «Электрохимия».

    3. Агарков Д.А., Бурмистров И., Цыбров Ф., Тартаковский И., Хартон В., Бредихин С., Кведер В. «In-situ Raman spectroscopy analysis of the interface between nickel-based SOFC anode and zirconia». «Solid State Ionics».

    4. Л.С. Успенская, С.В. Егоров, В.А. Скиданов. «Трансформация доменной структуры нанополоски пермаллоя под действием импульсов электрического тока».  «IEEE Transactions on Magnetics».

    5. Л.С. Успенская, С.В. Егоров. «Сверхбыстрое движение доменных границ в микроструктурах пермаллой-ниобий под действием спин-поляризованного тока».   «IEEE Magn Lett».

    6. Дорожкин С.И., А.А.Капустин «Особенности поглощения микроволнового излучения двумерными электронными системами на гармониках циклотронного резонанса».    «Письма в ЖЭТФ».

    7. Dorozhkin S.I. , D. V. Sychev, and A. A. Kapustin, Дорожкин С.И., Д.В. Сычев, А.А. Капустин «Болометрическое детектирование магнетоплазменных резонансов поглощения микроволнового излучения двумерной электронной системой, основанное на измерении проводимости легированного слоя в гетероструктурах GaAs/AlGaAs». «Journal of Applied Physics».

  3. Закрытая часть.