-
Доклады по работам, направляемым в печать:
-
А.К.Пономарева, С.В.Егоров, Л.С.Успенская. «Влияние формы и латеральных размеров на перемагничивание нанопленок пермаллоя». «Physica B.».
-
В.Скиданов, П.Ветошко, Ф.Ветошко, Л.Успенская, А.Стемпковский. «Моделирование распределения магнитного потока вблизи структурированного края гранатовой пленки магнитометра». «IEEE Transactions on Magnetics».
-
Чайка А. Н., O. V. Molodtsova, A. A. Zakharov, D. Marchenko, J. Sanchez-Barriga, A. Varykhalov, I. V. Shvets, В. Ю. Аристов «Сплошное покрытие графена на пластинах кубического карбида кремния SiC(001)». «Nano Research».
-
Чайка А. Н., O. V. Molodtsova, A. A. Zakharov, D. Marchenko, J. Sánchez-Barriga, A. Varykhalov, S. V. Babenkov, M. Portail, M. Zielinski, B. E. Murphy, S. A. Krasnikov, O. Lübben, I. V. Shvets, В. Ю. Аристов «Сеть повернутых доменов в графене на поверхности SiC(001)». «Nanotechnology».
-
Wu Han-Chun, А. Н. Чайка, Tsung-Wei Huang, Askar Syrlybekov, Mourad Abid, В. Ю. Аристов, Olga V. Molodtsova, Sergey V. Babenkov, Dmitry Marchenko, Jaime Sánchez-Barriga, Partha S. Mandal, Andrei Yu. Varykhalov, Yuran Niu, Barry E. Murphy, Sergey A. Krasnikov, Olaf Lübben, Jing-Jing Wang, Huajun Liu, Li Yang, Hongzhou Zhang, Mohamed Abid, Jahya T. Janabi, С. Н. Молотков, Ching-Ray Chang, and Igor V. Shvets «Открытие транспортной щели и большое отношение токов включения/выключения в трехслойном графене с упорядоченными границами нанодоменов». «ACS Nano».
-
С.И.Дорожкин «Автоколебания спонтанного электрического поля в неравновесной двумерной электронной системе под микроволновым излучением». «Письма в ЖЭТФ».
-
С.И.Дорожкин, V.Umansky, L.N.Pfeifer, K.W.West, K.Baldwin, K. Von Klitzing, J.H.Smet «Неупорядоченные перевороты электрического поля в индуцированном микроволновым излучением сосотоянии со спонтанно нарушенной симметрией». «Phys.Rew.Lett.».
-
В. М. Масалов, А. А. Жохов, В. Л. Маноменова, Е. Б. Руднева, А.Э.Волошин, Г.А.Емельченко «Выращивание монокристаллов сульфата никеля гексагидрата α-NiSO4 • 6H2O в стационарных условиях перепада температуры». «Кристаллография».
-