Студенты факультета физики НИУ ВШЭ посетили научные лаборатории ИФТТ РАН

В начале февраля 2024 года студенты 1-го и 2-го курсов факультета физики Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики» (НИУ ВШЭ) посетили Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук (ИФТТ РАН). С приветственным словом к студентам обратился директор ИФТТ РАН, заведующий базовой кафедрой факультета физики НИУ ВШЭ «Физика конденсированных сред» член-корреспондент РАН А.А. Левченко. Александр Алексеевич рассказал об истории создания и основных направлениях научной деятельности института.
В рамках экскурсии студенты посетили лаборатории института, в которых ведущие ученые и молодые научные сотрудники показали оснащение лабораторий и рассказали о результатах своих научных исследований. Они увидели уникальную экспериментальную установку для изучения турбулентности, установки для роста кристаллов, оборудование для получения материалов и исследования их свойств при высоких давлениях. Сотрудники ИФТТ РАН рассказали о передовых методах разработки новых материалов с использованием современного оборудования: фотоэлектронного спектрометра Kratos AXIS Ultra DLD для исследования атомной и электронной структуры поверхности материалов, электронно-ионного двулучевого микроскопа Dual Beam VERSA 3D HighVac для исследования элементного состава по глубине образца и формирования микро- и наноструктур на поверхности образцов.
В программу посещения ИФТТ РАН для студентов 1-го курса входила небольшая лекция о сверхпроводимости (свойство некоторых материалов обладать строго нулевым электрическим сопротивлением при температурах ниже определённого значения), прочитанная старшим научным сотрудником ИФТТ РАН, к.ф.-м.н. В.В. Больгиновым. После лекции студентам продемонстрировали передовое оснащение лабораторий, позволяющее проводить экспериментальные исследования при сверхнизких температурах и разрабатывать материалы, представляющие интерес для микроэлектронной промышленности, предприятий приборостроения, систем безопасности, в том числе, криостат-вставка растворения МСК 50-400 Leiden и высокочастотный измерительный генератор сигналов Anritsu.
Для студентов 2-го курса старший научный сотрудник лаборатории сверхпроводимости к.ф.-м.н. И.Е. Батов прочитал лекцию «Исследование когерентного транспорта и неравновесных эффектов в мезоскопических сверхпроводящих гибридных структурах». Он рассказал о работах, проводящихся под его руководством по экспериментальному изучению фундаментальных физических свойств гибридных сверхпроводящих наноструктур: исследование когерентного электронного транспорта и нелокальных неравновесных эффектов в гибридных структурах на основе сверхпроводников, нормальных металлов и ферромагнетиков, а также новых перспективных электронных материалов таких как топологические изоляторы и полупроводниковые нанопроволоки с сильным спин-орбитальным взаимодействием. Объектами этих экспериментальных исследований являются планарные сверхпроводящие гибридные структуры в условиях зарядового и спинового разбаланса, джозефсоновские структуры с барьерами из ферромагнитных материалов и немагнитных материалов с сильным спин-орбитальным взаимодействием. После лекции студенты 2-го курса посетили Сектор нанолитографии ИФТТ РАН, где изготавливают планарные субмикронные гибридные структуры с использованием установок оптической и электронной литографии, плазмохимической обработки материалов и термического напыления тонких металлических пленок. Сотрудники сектора продемонстрировали им оборудование для измерения электронных транспортных характеристик исследуемых структур при сверхнизких температурах – Криостат растворения Не3/He4 компании Bluefors (базовая температура 10 мК).
Студенты проявили большой интерес к знакомству с основными направлениями научных исследований, экспериментальными методиками, а также с сотрудниками института. Кроме того, они узнали о перспективах обучения на базовой кафедре «Физика конденсированных сред» и возможностях научной работы в лабораториях ИФТТ РАН.
Фоторепортаж о посещении лабораторий ИФТТ РАН студентами факультета физики НИУ ВШЭ здесь.