Техника физического эксперимента и измерений
к.ф.-м.н. Шевчун А.Ф.
Аннотация
Практикум включает ряд задач, выполнение которых позволит студентам освоить некоторые важные методики, использующиеся в экспериментальной физике твердого тела. Сюда включено ознакомление с пакетом автоматизации, наиболее часто применяемым в лабораториях, а также задачи, позволяющие студентам освоить основы низкотемпературного эксперимента, методики создания высокого давления, работы с низкоразмерными полупроводниковыми структурами.
Программа курса
1. Изучение интерфейса программы обработки данных. Основные элементы таблицы. Построение графиков и их особенности. Изучение интерфейса программы численного моделирования. Типы данных. Написание простых программ.
2. Принципы автоматизации эксперимента. Основные элементы программы автоматизации. Измерение времени выполнения одной операции. Работа с разными типами данных. Построение графиков, сохранение данных в файл. Сбор данных в компьютер с использованием мультиметра. Статистическая обработка данных, Фурье-анализ.
3. Ручной мультиметр. Лабораторный мультиметр. Источники питания. Генератор. Усилители – усилитель прямого усиления и синхронный детектор. Плата АЦП-ЦАП. Схемы двухточечного измерения сопротивления и четырехточечного измерения сопротивления. Внутренние сопротивления приборов и их влияние на измеряемые величины. Схема измерения малыми токами.
4. Ознакомление с основными методами создания и измерения высокого давления.
5. Исследование влияния гидростатического давления на точку Кюри ферромагнетика. Ознакомление с основными методами создания и измерения давления, калибровка манганинового датчика давления в диапазоне 0-2.5 кбар.
6. Снятие зависимости смещения температуры Кюри сплава Fe- Ni от величины всестороннего давления.
7. Освоение методов получения низких температур и с работой криостата с откачкой паров жидкого гелия. Изучение второго звука в жидком гелии. Ознакомление с основами криогенной техники, жидкий гелий, первичная температурная шкала. Физические характеристики болометров (сверхпроводящих пленок). Калибровка термометра и болометра.
8. Исследование температурной зависимости скорости второго звука. Второй звук в сверхтекучем гелии. Свойства резонатора, определение скорости волны по положению резонансов. Исследование температурной зависимости скорости второго звука.
9. Освоение правил работы с криостатом со сверхпроводящим соленоидом. Освоение правил работы с криостатом и сверхпроводящим соленоидом; монтаж образца. Собрать устаноку и подключить приборы к компьютеру для работы.
10. Наблюдение квантового эффекта Холла в гетероструктуре на основе GaAs. Наблюдение квантового эффекта Холла в гетероструктуре на основе GaAs. Запись диагональной и холловской компонент магнитосопротивления гетероструктуры на основе GaAs в функции магнитного поля при низкой температуре; обработка полученных результатов: вычисление концентрации и подвижности двумерных электронов.
Физика поверхности
д.ф.-м.н. Ионов А.М.
Аннотация
Цели: дать современные знания о поверхности как специфическом объекте исследования, необходимые для решения физических и материаловедческих задач, совершенствования существующих и создания новых (в том числе нано-) материалов.
Задачи: формирование знаний о кристаллографическом описании поверхности; изучение методов исследования химического состава и структуры поверхности материалов; знакомство с атомной структурой поверхности и научными представлениями о физических явлениях, связанных с поверхностью; изучение взаимосвязи структуры и свойств поверхности со свойствами составляющих ее атомов; формирование знаний о природе явлений, происходящих при образовании тонких плёнок и других наноразмерных твёрдотельных образований.
Программа курса
1. Введение. Роль поверхности в различных физико-химических процессах. Физика и техника сверхвысокого вакуума. Методы получения атомарно-чистой поверхности: термическая десорбция; ионное травление; каталитические реакции; напыление; скол в вакууме.
2. Основы двумерной кристаллографии. Двумерные решетки. Индексы Миллера плоскостей кристалла. Индексы направлений. Описание структуры поверхности. Двумерная обратная решетка. Атомная структура поверхности. Релаксация, реконструкция, их механизмы. Связь физических свойств поверхности с ее структурой. Структурные дефекты поверхности. Дифракционные методы исследования поверхности. Дифракция медленных и быстрыхэлектронов (ДМЭ. ДОБЭ). Рентгеновская дифракция под скользящими углами. Фотоэлектронная дифракция
3. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. Физические основы метода, особенности эксперимента и оборудование. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия. Исследования с применением синхротронного излучения. Резонансная фотоэмиссия.
4. Методы и принципы ионной спектроскопии. Масс-спектроскопия вторичных ионов: физические основы метода, особенности эксперимента и оборудование. Термодесорбционная спектроскопия. Зондовые методы исследования поверхности. Сканирующая туннельная микроскопия. Атомно-силовая микроскопия. ИК и рамановская спектроскопия.
5. Электронная Оже-спектроскопия. Спектроскопия характеристических потерь энергии электронов.
6. Электронная структура и свойства поверхности. Поверхностные электронные состояния. Пространственное распределение потенциала и электронной плотности на поверхности металла, осцилляции Фриделя. Поверхностные плазмоны. Работа выхода и ее составные части. Методы измерения работы выхода.
7. Адсорбция и десорбция. Гетерогенные системы. Межфазная граница. Явления на границе раздела фаз твердое тело-газ. Физическая и химическая адсорбция. Моно-и полимолекулярная адсорбция. Модель адсорбции Ленгмюра. Адсорбционно-десорбционное равновесие. Типы химической связи при хемосорбции. Энергия активации и теплота адсорбции. Диссоциативная адсорбция. Хемосорбция на неоднородной поверхности. Десорбция, поверхностная диффузия. Адсорбция и десорбция.
8. Диффузия на поверхности твердых тел. Основные уравнения диффузии (случайное блуждание и законы Фика). Диффузия отдельного атома и химическая диффузия. Собственная диффузия и диффузия массопереносом. Анизотропия поверхностной диффузии. Атомные механизмы поверхностной диффузии. Экспериментальное изучение поверхностной диффузии.
9. Рост и структура тонких пленок. Рост пленок по механизму Фольмера и Вебера. Модели образования зародышей. Кинетика роста изолированного островка и в ансамбле. Кинетика поздних стадий роста пленки. Рост пленок по механизму Франка и Ван дер Мерве. Критическая толщина псевдорморфного слоя и его структура. Механизм релаксации упругих деформаций псевдоморфного слоя. Кинетическая модель слоевого роста. Барьер Швебеля. Структурные превращения при росте пленок по Крастанову и Странскому. Структура пленок. Аморфные, поликристаллические и монокристаллические пленки. Дефекты. Несоответствие решеток на границе раздела. Методы роста тонких пленок в вакууме.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. К.Оура, В.Г.Лифшиц, А.А.Саранин, А.В.Зотов, М.Катаяма Введение в физику
поверхности, Москва, Наука, 2006 г.
2. Д.Вудраф, Т.Делчар. Современные методы исследования поверхности. М., Мир, 1989.
3. Л.Фелдман, Д.Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М., Мир,1989.
Дополнительный список
1. А.Р.Шульман, С.А.Фридрихов. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого
тела. М., Наука, 1977.
2. Л. Фирменс, Дж. Вэнник, В. Декейсер. Электронная и ионная спектроскопия твердых
тел. Мир, 1981.
3. Surface and Interfaces of Solids by Hans Luth Springer-Verlag 1993
Дифракционные исследования структуры и состава материалов
к.ф.-м.н. Кузьмин А.В.
Аннотация курса
Целями изучения дисциплины являются:
• знакомство студентов с основными концепциями физики дифракции и ее применения для исследования структуры материалов;
• знакомство студентов с основами кристаллографии и методами изучения структуры и состава материалов (структурная рентгенография, электронная микроскопия, растровая электронная микроскопия, рентгеноспектральный анализ атомного состава материалов;
• овладение методами решения задач, описания физических явлений.
Необходимыми для изучения дисциплины пререквизитами являются:
• кристаллография
• физика дифракции
В результате освоения настоящего учебного пособия студент или аспирант должен:
• знать предмет, цели, задачи и возможности дифракционных методов исследования структуры материалов; физические основы теории рассеяния; особенности рассеяния рентгеновских лучей, электронов, тепловых нейтронов; методологические принципы дифракции; требования к исследуемым образцам и оборудованию; современные представления о Фурье-анализе; историю, современное состояние и тенденции развития дифракционных методов исследования;
• уметь анализировать и интерпретировать результаты дифракционных эксперименто; обобщать и систематизировать параметры структурных исследований; анализировать и интерпретировать дифракционные изображения; разрабатывать и осуществлять схемы дифракционных исследований; решать задачи, связанные с анализом дифракционных изображений (лауэграмм, дебаеграмм, дифрактограмм и пр.); применять теоретические знания к анализу и интерпретации дифракционных изображений структур; ориентироваться в современной дифрактометрической технике; выбирать необходимые методы, схемы, подходы для решения структурных задач;
• владеть современными технологиями и методами структурных исследований материалов; навыками системного анализа полученных дифракционных данных; навыками поиска информации, необходимой для интерпретации результатов дифракционных исследований; навыками работы с учебной и научной литературой по структурным исследованиям; навыками работы с компьютерными базами данных, возникающих в ходе структурных экспериментов.
Программа курса
1. Геометрическая кристаллография (историческая справка, основные понятия геометрической кристаллографии, методы изображения и описания элементов кристаллической решетки, индексы Миллера, обратная решетка и её свойства, кристаллографические зоны, кристаллографические проекции, симметрия кристаллической решетки. основные понятия о симметрии, кристаллографические системы, решетки Бравэ, основные симметрические операции, точечные группы симметрии, трансляционная симметрия, кристаллографические обозначения элементов симметрии, пространственные группы симметрии).
2. Введение в физику рассеяния рентгеновских волн (основы физики дифракции, рентгеновские лучи, рассеяние рентгеновских лучей на свободных электронах, рассеяние рентгеновских лучей на трехмерной периодической кристаллической решетке (кинематическое приближение). интерференционная функция Лауэ (функция распределения межатомных расстояний, рассеяние на молекулах разреженного газа. уравнение Дебая), геометрическая интерпретация дифракции по Эвальду, рассеяние на сложной решетке (решетка с базисом), интерпретация явлений дифракции на основе понятий прямой и обратной решеток, влияние температуры на амплитуду рассеяния. температурный фактор рассеяния, рассеяние рентгеновских волн на объектах с неупорядоченной структурой, атомный фактор рассеяния (рассеяние рентгеновских лучей на электронах атомных оболочек; атомный фактор рассеяния для электронов; амплитуда атомного рассеяния для нейтронов, основы динамической теории рассеяния).
3. Введение в рентгеноструктурный анализ (методы анализа дифракционной картины. получение структурных параметров исследуемого материала, основные сведения о типе структур материалов, анализ геометрии дифракционной картины, наиболее распространённые фотометоды рентгеноструктурного анализа (метод лауэграмм; метод рентгенограмм вращения (качания); методы рентгеновского гониометра; методы исследования поликристаллических образцов - метод Дебая-Шеррера), методы рентгеновской дифрактометрии. (дифрактометры для исследования поликристаллов; дифрактометры для монокристаллов; методы сканирования узла обратной решетки), влияние геометрических параметров эксперимента на величину измеренных интенсивностей дифракционных отражений, поляризационный фактор и фактор Лоренца; уширение дифракционного рефлекса; фактор повторяемости в структурном анализе поликристаллов, анализ массивов интенсивностей дифракционных рефлексов, фазовая проблема структурного анализа; роль фазы в синтезе Фурье; метод проб и ошибок; функции Паттерсона; аналитические методы прямого определения фаз, исследование формы и тонкой структуры дифракционных рефлексов, интегральные методы исследования реальной структуры, введение в методы исследования дефектов в кристаллах, дефекты кристаллической структуры и их роль в формировании макроскопических свойств твердого тела, основные принципы рентгеновской топографии).
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. Дж.Каули, Физика дифракции, Москва, Мир, 1976, с.432
2. Э.В. Суворов Методы исследования структуры и состава материалов, Москва, Юрайт, 2019, с.180
3. Э.В. Суворов Дифракционный структурны анализ
4. ISBN 978-5-534-09995-9, Москва, Юрайт, 2019, с.273
5. В.И.Иверонова, Г.П.Ревкевич, Теория рассеяния рентгеновских лучей, Москва, МГУ, 1978, с.277
Дополнительный список
1. А.А. Харкевич, Спектры и анализ, Москва, ГИ Физ.Мат.Лит.1962, с.234
2. Г.Пейн Физика колебаний и волн, Москва, Мир, 1979, с.390
3. Г.С.Жданов, Основы рентгеноструктурного анализа, Москва, Гостехиздат, 1940, с.446
4. Бокий, Г. Б. Рентгеноструктурный анализ / Г. Б. Бокий, М. А. Порай-Кошиц. — М. : Изд-во МГУ, 1963.
5. М.Гинье, Рентгенография кристаллов, Москва, Физматгиз, 1961, с.604
6. Я.С.Уманский, Рентгенография металлов, Москва, Металлургия, 1967, с.236
7. А.Ф.Скрышевский, Структурный анализ жидкостей, Москва, Мир, 1976, с.256
8. Калитеевский, Н. И. Волновая оптика / Н. И. Калитеевский. — М. : Наука, 1971
Научно-исследовательский семинар: рентгеновский и электронно-микроскопический практикумы
к.ф.-м.н. Рыбченко Оксана Геннадьевна
Аннотация курса
Целями освоения дисциплины являются:
• ознакомление с аппаратами, используемыми для ренгеноструктурного анализа, просвечивающей и сканирующей микроскопии;
• освоение базовых методик определения структуры материала, фазового состава многофазного образца, работы с монокристаллами (определение монокристалличности, ориентации, наличия двойников);
• знакомство со структурными базами данных и программами, используемыми в структурном анализе;
• ознакомление с основными методами подготовки образцов для ЭМ-исследований, а также определения элементного состава материала.
Программа курса
1. Фотометоды: метод Лауэ, метод качания (вращения), метод Дебая (3 занятия). Предполагает ознакомление с рентгеновским аппаратом УРС-2.0, рентгеновскими камерами РКСО, Дебая, вращения. Установка и ориентировка образца на камере, зарядка и проявка фотопленки, расчет дебаеграммы (определение материала образца по набору межплоскостных расстояний с использованием базы данных PDF-2), лауэграммы (визуальный анализ на монокристалличность, наличие зон, симметрию; обработка лауэграммы в программе X-Ray, определение индексов осей зон с использованием таблицы углов между направлениями для кубической сингонии), рентгенограммы качания (определение направления качания, индицирование рефлексов на нулевой слоевой линии, построение схемы ОР, соответствующей нулевой слоевой линии).
2. Рентгеновская порошковая дифрактометрия (1 занятие). Предполагает ознакомление с рентгеновским порошковым дифрактометром SIEMENS D-500, программным обеспечением дифрактометра. Собственно проведение дифракционного эксперимента: подготовка и установка образца, задание параметров съемки, получение дифракционного спектра. Качественный фазовый анализ с использованием базы данных PDF-2 и программы Match, определение структуры исследуемого материал (количество фаз, структурные параметры фаз). Освоение программы Powder Cell 2.4, построение модельной кристаллической ячейки фазы, уточнение структурных параметров путем подгонки модельного спектра под экспериментальный.
3. Рентгеновская дифрактометрия монокристаллов (1 занятие). Предполагает ознакомление с монокристальным дифрактометром Oxford Diffraction Gemini и программным обеспечением, позволяющим проводить первичную обработку массива данных (CrysAlisPro). Определение структуры соединения по экспериментальному массиву даных с использованием пакета программ WinGX.
4. Электронная просвечивающая и сканирующая микроскопия (1 занятие). Ознакомление с электронными микроскопами DualBeam VERSA и JEM-100CX-11. Изучение принципиальной схемы и процесса формирования изображения в просвечивающем электронном микроскопе, обработка точечной и кольцевой электронограмм.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. Э. В. Суворов Дифракционный структурный анализ. Москва. Юрайт. 2019. Книга доступна в электронной библиотеке biblio-online.ru, а также в мобильном приложении «Юрайт.Библиотека»
2. Рентгендифракционные методы изучения структры монокристаллов, поликристаллических и аморфных материалов (методическое пособие для студентов и аспирантов). Институт Физики Твердого Тела Российской Академии Наук, Черноголовка, 2000г. (Методическое пособие по курсу студентам будет предоставлено).
Дополнительный список
1. Уманский Я.С., Скаков Ю.А. и др. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия, 1982 г
2. Современная кристаллография, под редакцией Б. К. Вайнштейна, т. 1, М., Наука, 1981.
3. Э. В. Суворов. Материаловедение. Методы исследования структуры и состава материалов. Москва. Юрайт. 2018. Книга доступна в электронной библиотечной системе biblio-online.ru
Описание будет загружено позднее
Электронные свойства твердых тел
д.ф.-м.н. Трунин М.Р.
Аннотация дисциплины
В семестровом курсе «Электронные свойства твердых тел» изучаются фундаментальные основы физики твердого тела и электронные свойства проводников. Курс построен от классической модели динамики электронов через квантовую механику к фермистике с учетом механизмов рассеяния электронов и к методам определения параметров Ферми-поверхностей. Курс «Электронные свойства твердых тел» является базовой дисциплиной, предваряющей изучение современных аспектов физики конденсированных сред
Программа дисциплины
Целями освоения дисциплины:
• формирование у студентов профессиональных компетенций в области физики конденсированных сред, приобретение студентами навыков самостоятельной работы;
• формирование подходов, основанных на полученных знаниях, позволяющих проводить научные исследования и анализировать полученные результаты;
• развитие умений, позволяющих развивать качественные и количественные физические модели электронных процессов в твердых телах.
Дисциплина «Электронные свойства твердых тел» охватывает следующие темы:
• первоначальные теории металлов Друде и Зоммерфельда;
• электропроводность и теплопроводность проводников, закон Видемана-Франца;
• свойства электронного газа в основном состоянии; поверхности Ферми металлов;
• кинетическое уравнение, интеграл столкновений, приближение времени релаксации;
• следствия кинетического уравнения - электрические и гальваномагнитные явления;
• процессы рассеяния; связь сечения рассеяния и вероятности рассеяния при упругом рассеянии, транспортное время релаксации, малоугловое рассеяние и связь с диффузией электронов по поверхности Ферми, рассеяние на фононах, формула Блоха-Грюнайзена;
• плотность состояний, проводники в постоянном магнитном и переменном полях;
• высокочастотные эффекты в металлах; методы измерений параметров Ферми-поверхности;
• распространение и типы электромагнитных волн в проводящей среде.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела. М.: Наука, 1978. – 824 с.
2. Дж. Займан. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1974. – 470 с.
3. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. – 792 с.
Дополнительный список
1. А.А. Абрикосов. Основы теории металлов. М.: Наука, 1978. – 520 с.
2. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1984. — 352 с.
3. В.Я. Демиховский, Г.А. Вугальтер. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.: Логос, 2000. – 250 с.
4. В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах. М.: Физматлит, 2005. – 232 с.
5. Yuri M. Galperin. Introduction to Modern Solid State Physics. Department of Physics, P.O. Box 1048 Blindern, 0316 Oslo, р.р. 469.
Физика полупроводников
д.ф.-м.н. Кулаковский В.Д.
Аннотация дисциплины
Курс посвящен изложению основ современной физики полупроводников. Наряду с традиционными разделами физики полупроводников, такими как теория зон, явления в контактах, одночастичные возбуждения и межчастичные взаимодействия в объемных полупроводниках, курс включает в себя проблемы составных квазичастиц и коллективных возбуждений в низкоразмерных полупроводниковых наноструктурах и микрорезонаторах
Программа дисциплины
Целями освоения дисциплины «Физика полупроводников» являются:
• формирование у студентов профессиональных компетенций в области физики полупроводников и полупрводниковых аноструктур, приобретение студентами навыков самостоятельной работы;
• формирование подходов, основанных на полученных знаниях, позволяющих проводить научные исследования и анализировать полученные результаты;
• развитие умений, позволяющих развивать качественные и количественные физические модели электронных процессов в полупроводниках.
Дисциплина «Физика полупроводников» охватывает следующие темы:
• Зонная теория полупроводников. (полупроводники во внешних полях. мелкие доноры и акцепторы).
• Статистика электронов и дырок в полупроводниках, неравновесные электроны и дырки, фотопроводимость.
• Явления в контактах (омические контакты, выпрямление в контакте металл - полупроводник, p-n-переход).
• Границы применения зонной теории (адиабатическое приближение, приближение самосогласованного поля, квазичастицы поляроны, экситоны, экситонные молекулы; электронно-дырочная жидкость).
• Оптические свойства полупроводников (межзонное и экситонное поглощение и излучение в полупроводниках, излучение экситонных молекул).
• Полупроводниковые гетероструктуры. (размерное квантование, полупроводниковые лазеры.
• Экситонные поляритоны в объемных полупроводниках и в полупроводниковых микрорезонаторах (условия формирования поляритонов, бозе-эйнштейновская конденсация поляритонов, мультистабильность экситон-поляритонных систем в микрорезонаторах).
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников Физика полупроводников, М., Наука, 1977.
2. Г.Г. Зегря, В.И. Перель, Основы физики полупроводников, Физматлит (2009).
3. Kittel.C, “Introduction to Solid State Physics”, 8th Edition, 2005, ISBN : 9783. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. – 792 с.
Дополнительный список
1. Тимофеев В.Б. Оптическая спектроскопия объемных полупроводников и наноструктур:Изд-во.: Лань, 2015. - 507 с
2. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус, Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, М. Наука (1972).
Физика частично упорядоченных сред
д.ф.-м.н. Долганов П.В.
Аннотация курса
В курсе лекций изучаются конденсированные среды, занимающие по своему упорядочению промежуточное положение между обычными кристаллами и изотропными жидкостями. Примерами таких частично упорядоченных сред являются жидкие кристаллы, пластические кристаллы, полимеры, коллоиды. Излагаются микроскопические и феноменологические подходы к рассмотрению различных явлений в данной области физики. Описываются экспериментальные методы исследования частично упорядоченных сред, а также существующие в настоящее время и потенциально возможные практические приложения.
Программа курса
1 Классификация частично упорядоченных конденсированных сред. Ключевые свойства структур, особенности межчастичных взаимодействий в конденсированных средах.
2 Параметр порядка, способы измерения степени ориентационного упорядочения в органических средах.
3 Фазовые переходы в частично упорядоченных конденсированных средах. Переходы с изменением структуры в частично упорядоченных средах. Связь симметрии с возможными типами переходов. Пространство параметра порядка. Спонтанное нарушение симметрии. Голдстоуновские моды в различных системах.
4 Фазовые переходы II рода. Различные подходы к описанию фазовых переходов. Теория Ландау – Гинзбурга – де Жена.
5 Фазовые переходы I рода в частично упорядоченных средах. «Слабые» фазовые переходы I рода. Метастабильные состояния. Трикритическая точка. Переходы во внешнем поле. Образование зародышей. Критический радиус.
6 Молекулярно-статистические теории упорядочения. Переход нематик – изотропная жидкость. Теория Онсагера. Теория самосогласованного поля Майера – Заупе.
7 Модель Изинга. Структуры, образованные в результате конкурирующих взаимодействий, фрустрации.
8 Хиральность. Особенности структуры и упорядочения, связанные с нарушением зеркальной симметрии.
9 Полимеры. Фрактальная размерность полимеров. Биополимеры. Амфифильные молекулы. Мицеллы, лиотропные жидкие кристаллы.
10 Поведение жидкокристаллических термотропных и полимерных структур во внешнем поле. Эффект Фредерикса. Электрооптика частично упорядоченных сред. Жидкокристаллический дисплей. Раскрутка спиральных органических структур внешним полем.
11 Дефекты с нарушением трансляционного или ориентационного упорядочения в конденсированных средах. Топологические характеристики дефектов. Точечные топологические дефекты. Топологический заряд. Взаимодействие топологических дефектов.
12 Линейные дефекты. Дисклинации. Доменные стенки. Дислокации в частично упорядоченных средах. Структуры с ориентационно упорядоченными связями. Переходы Костерлица-Таулесса, дислокационное плавление.
13 Влияние поверхности на структуру и фазовые переходы. Системы ограниченной геометрии. Поверхностное и объёмное плавление, поверхностная и объёмная кристаллизация. Послойные переходы утоньшения. Стабильность тонких пленок.
14 Фотонные кристаллы. Примеры фотонных кристаллов, фотонные кристаллы в живой природе. Взаимодействие света с пространственно модулированной структурой. Дисперсия фотонов. Запрещенные фотонные зоны.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. Т.5, ч.1. Теоретическая физика. Наука, 1995 – 606 с.
2. Д. В. Сивухин, Оптика, М.: Физматлит, 2005. – 792 с.
3. П.-Ж. де Жен, Физика жидких кристаллов, пер. с англ. М.: Мир, 1977. – 400 с.
Дополнительный список
1. М. Клеман, О. Д. Лаврентович. Основы физики частично упорядоченных сред, пер. с англ., М.: Физматлит, 2007. – 680 с.
2. Л.М. Блинов. Жидкие кристаллы. Структура и свойства. М.: Книжный дом «ЛИБРОКОМ», 2013. – 480 с.
3. В.Ф. Шабанов, С.Я. Ветров, А.В. Шабанов, Оптика реальных фотонных кристаллов. Жидкокристаллические дефекты, неоднородности. – Новосибирск: Издательство СО РАН, 2005. – 209 c.
4. Н. В. Карлов, Н. А. Кириченко, Колебания, волны, структуры. М.: Физматлит, 2001. – 496 с.
5. А.Ю. Гросберг, А.Р. Хохлов, Физика в мире полимеров. М.: Наука, 1989. – 208 с.
Введение в материаловедение
к.т.н. Гнесин И.Б.
Аннотация курса
Целями изучения дисциплины являются:
• сформировать у студента представления о закономерностях формирования связей состав – структура – механические свойства для материалов на основе металлов;
• ознакомить учащихся с характерными процессами структурообразования в поликристаллических материалах, их связью с технологией получения, а также с методами количественной оценки параметров формирующейся микроструктуры материалов;
• развить представления студентов о методах оценки механических свойств материалов, важных для их использования в различных условиях
Программа курса
1. Способы характеризации материалов. Понятия химического и фазового состава, микроструктуры. Структурно чувствительные и структурно нечувствительные свойства материалов. Влияние химического и фазового состава, технологии получения и условий эксплуатации на уровень реализуемых свойств.
2. Методы оценки прочности материалов. Механические испытания на растяжение, изгиб и сжатие. Диаграммы деформации. Условные и истинные напряжения. Пластичные и хрупкие материалы.
3. Твердость материалов. Измерения твердости по Виккерсу, Бринеллю, Роквеллу. Микротвердость. Связь твердости и прочности.
4. Структура поликристаллического материала. Методы исследования микроструктуры, подготовка образцов для исследования микроструктуры. Следы реальных элементов структуры на плоскости шлифа. Первое и второе основные стереометрические соотношения. Методы экспериментального определения объемной доли фаз и удельной поверхности двумерных элементов трехмерной структуры.
5. Порошковый и литейные варианты технологии получения материалов. Технологические стадии, достоинства и недостатки. Структура материала после кристаллизации / спекания. Зоны различной структуры и причины их возникновения. Зональная и дендритная ликвации.
6. Деформация кристаллических материалов. Скольжение дислокаций. Изменение концентрации дислокаций при деформации. Влияние деформации на микроструктуру и механические свойства материала. Механизмы деформационного, твердорастворного, дисперсионного упрочнения.
7. Возврат и рекристаллизация. Влияние рекристаллизации на структуру и свойства материала. Горячая пластическая деформация (ГПД). Изменение структуры и свойств материала после ГПД. Области применения ГПД.
8. Сплавы системы железо-углерод. Эвтектическое и эвтектоидное превращение в системе Fe-C. Реализующиеся структуры. Классификация сталей и чугунов.
9. Распад аустенита. С - образные кривые для углеродистых сталей. Зависимость структуры сплава от температуры изотермического отжига и скорости охлаждения. Мартенсит. Механизм и необходимые условия мартенситного превращения.
10. Основы термической обработки материалов. Отжиг, закалка, отпуск, старение. Основные фазовые и структурные превращения при термообработке, изменение структуры и свойств материала в результате термообработки.
11. Легированные стали. Классификация легирующих элементов по типу влияния на полиморфные превращения в сплавах на основе железа.
12. Медь и сплавы на ее основе. Латуни, бронзы. Деформируемые и литейные медные сплавы. Особенности фазового состава сплавов меди и их влияние на структуру и свойства сплава.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. Лифшиц Б.Г., Металлография. М.: Металлургия, 1990, 236 с.
2. Салтыков С. А., Стереометрическая металлография. М.: Металлургия, 1976, 270 с.
3. Механические свойства металлов: Учебник для вузов / Золоторевский В.С. 3-е изд.,
перераб. и доп. - М.: МИСИС, 1998. -400 с.
Дополнительный список
1. Материаловедение: Учебник для высших технических учебных заведений.
Б.Н. Арзамасов, И.И. Сидорин, Г.Ф. Косолапов и др.; под общ. ред. Б.Н. Арзамасова. -
2-е изд., испр. и доп. - М.: Машиностроение, 1986, 384 с.
2. Физическое металловедение. Под ред. Р.У. Кана и П. Хаазена. т.1, т.2, т.3; Пер. с англ.- М.: Металлургия, 1987.
3. Штремель М.А., Прочность сплавов. Часть II. Деформация. Учебник для вузов. М.: МИСИС, 1997, 527 с.
4. Захаров А.М., Диаграммы состояния двойных и тройных систем. Учебное пособие для вузов. - М.: Металлургия, 1990, 240 с.
5. Новиков, И.И.; Розин, К.М., Кристаллография и дефекты кристаллической решетки. М.: Металлургия, 1990, 336 с.
Фазовые диаграммы многокомпонентных систем
д.ф.-м.н. Антонов В.Е.
Аннотация курса
Диаграммы фазовых равновесий широко используются в науках о материалах, геофизике, физике высоких давлений и многих других дисциплинах, являясь основой для изучения и понимания изменений фазового состава гетерогенных систем при изменении температуры и давления. Курс лекций посвящен диаграммам систем, в которых фазовое равновесие достигается за счет диффузионного перераспределения компонентов – атомов или молекул. Такие системы (например, система железо-углерод) не только важны практически и обнаруживаются в большинстве окружающих нас изделий, но и предоставляют возможность наиболее глубокого и систематического анализа фазовых диаграмм, для которых обязан выполняться ряд правил геометрической термодинамики (правило фаз Гиббса, правило соприкосновения фазовых пространств Палатника-Ландау, теорема Райнза, правило тройных стыков граничных линий и др.). В рамках курса дается вывод этих правил и на большом количестве конкретных примеров подробно рассматриваются возможные типы фазовых равновесий в одно-, двух- и трехкомпонентных системах, и подходы к их анализу, обеспечивающие наиболее полное извлечение информации, содержащейся в диаграмме.
Программа курса
1. Основные понятия, используемые при изучении фазовых равновесий. Фазы, независимые компоненты, стабильные и метастабильные равновесия. Термодинамические потенциалы, определяющие фазовые равновесия для различных пар заданных внешних параметров (V-S, T-P, T-V, P-S). Химические потенциалы компонентов. Правило фаз Гиббса.
2. Диаграммы однокомпонентных систем. Ограничения на взаимное расположение линий стабильного равновесия вблизи тройной точки, вытекающие из возможности метастабильных равновесий. Температуры плавления стабильных и метастабильных фаз. Формула Клапейрона-Клаузиуса. Уравнение Вант-Гоффа для переходов газ – твердое тело. Критическая точка типа жидкость-пар. Правило фаз и поведение изохор на T-P диаграммах веществ с положительным и отрицательным объемным эффектом плавления. Приведенное уравнение ван-дер-Ваальса, правило Максвелла, закон соответственных состояний.
3. Диаграммы двухкомпонентных систем.
• Условия равновесия двух фаз, метод общей касательной. Правило рычага. Твердые растворы. Энтальпия (ΔНсм) и энтропия смешения. Анализ возможных типов диаграмм состояния исходя из взаимного расположения кривых свободной энергии фаз. Пути конденсации и кристаллизации.
• Системы с неограниченной растворимостью компонентов (ΔНсм < 0). Диаграммы типа сигары, кривые плавления с максимумом и минимумом, точки равной концентрации. Расслоение растворов (ΔНсм > 0). Связь критической температуры расслоения с энергией смешения. Пересечение линии испарения с линией критических точек, ретроградная конденсация. Пересечение кривых плавления с куполом расслоения твердых растворов, псевдоэвтектические и псевдоперитектические равновесия. Cлабые растворы; фазовые границы вблизи чистого вещества.
• Основные типы диаграмм систем с различной кристаллической структурой компонентов, промежуточными соединениями и полиморфными модификациями: эвтектические, перитектические, монотектические, синтектические, метатектические, диаграммы с ретроградным плавлением.
• Анализ экспериментальных T-X диаграмм. Вырожденные фазовые равновесия и вид диаграмм при снятии вырождения; проверка диаграмм на ошибки и возможный вид исправленных диаграмм.
4. Диаграммы трехкомпонентных систем.
• Правила рычага для концентрационного треугольника Гиббса (I и II правило Свенсона, правила касательной и секущей).
• Системы без твердых растворов. Теорема Алкемаде. Проекции диаграмм. Свойства треугольников Алкемаде. Основные типы диаграмм состояния, пути кристаллизации, изотермические сечения: система с одной тройной эвтектикой, с одной тройной перитектикой, с двойной и тройной перитектикой, с двойным соединением, имеющим только тройное поле кристаллизации, и с дважды перитектической точкой.
• Системы с твердыми растворами. Теорема Райнза. Построение конод. Правило креста. Ограничения на взаимное расположение границ фазовых областей вблизи точки пересечения на изотермических и политермических разрезах. Простейшие типы диаграмм состояния: система с непрерывными жидкими и твердыми растворами, с бинодальной поверхностью, с моновариантным эвтектическим равновесием, с моновариантным перитектическим равновесием, с инвариантным эвтектическим равновесием.
5. Диаграммы четырехкомпонентных систем.
• Особые сечения и проекции концентрационного тетраэдра. Изотермические тетраэдры. Пример системы с неограниченной растворимостью компонентов в жидком и твердом состоянии – изотермические сечения и пути кристаллизации.
• Теорема Палатника-Ландау о соприкосновении областей состояния и ее применение к двух- и трехмерным сечениям диаграмм. Геометрические образы равновесий различного числа фаз.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. Часть 1 (Том V). М., Наука, Физматлит, 1995, 608 с.
2. Захаров А.М. Диаграммы состояния двойных и тройных систем. М., Металлургия, 1990.
3. Захаров А.М. Диаграммы состояния четверных систем. М., Металлургия, 1964.
Дополнительный список
1. Древинг В.П, Калашников Я.А. Правило фаз. Изд. Московского университета, 1964.
2. General discussion on phase diagrams. In: Phase Diagrams for Ceramists, V. 1, P. 5–31.
3. Райнз Ф. Диаграммы фазового равновесия в металлургии. М., Металлургиздат, 1960, 376 с. {Rhines F.N. Phase diagrams in metallurgy. Their development and application. N.-Y.–Torono – L., McGraw Hill Book Co., 1956}
4. Палатник Л.С., Ландау А.И. Фазовые равновесия в многокомпонентных системах. Изд. Харьковского университета, 1961.
5. Антонов В.Е. Правило стыка трех граничных линий на фазовых диаграммах. Успехи физических наук, 2013, т. 183, № 4, с. 417–422.
6. Okamoto H., Massalski T.B. Thermodynamically improbable phase diagrams. J. Phase Equilibia, 1991, v. 12, No. 2, p. 148–168.
Электронный транспорт в гибридных наноструктурах
к.ф.-м.н. Батов И.Е.
Аннотация дисциплины
В рамках курса изучаются электронные транспортные явления в гибридных системах на основе сверхпроводников, нормальных металлов, ферромагнетиков и полупроводниковых наноструктур. Излагаются теоретические подходы к рассмотрению баллистического и диффузионного электронного транспорта и нелокальных неравновесных эффектов в гибридных структурах. Детально анализируются экспериментальные методы исследования электронных транспортных явлений и зарядового и спинового разбаланса в структурах. Исследования электронного транспорта и нелокальных неравновесных эффектов в гибридных мезоскопических структурах привлекают значительный интерес в связи с перспективами создания новых устройств для квантовых топологических вычислений, сверхпроводящей электроники и спинтроники. Целью освоения курса является формирование у студентов профессиональных компетенций в области физики электронных транспортных явлений в гибридных субмикронных и нано-структурах.
Программа дисциплины
1. Электронный транспорт в низкоразмерных электронных системах.
Полупроводниковые гетероструктуры. Двумерный электронный газ. Баллистический транспорт в двумерных электронных системах в магнитном поле. Диффузионный транспорт и электронные интерференционные эффекты в структурах с двумерным электронным газом. Слабая локализация, универсальные флуктуации проводимости. Полупроводниковые нанопроволоки и полупроводниковые квантовые точки.
2. Электронный транспорт в баллистических контактах сверхпроводник (S)/ нормальный металл (N).
Андреевское отражение на границе раздела сверхпроводник / нормальный металл. Уравнение Боголюбова - де Жена. Модель Блондера-Тинкхама-Клапвика (BTK). Теоретическое описание проводимости в баллистическом SN контакте.
3. Экспериментальные исследования проводимости в баллистических SN структурах на основе сверхпроводников и двумерного электронного газа.
Изготовление структур сверхпроводник/ двумерный электронный газ. Андреевское отражение и проводимость на границе раздела сверхпроводник/ двумерный электронный газ в магнитном поле. Квантовые осцилляции проводимости границы раздела сверхпроводник/ двумерный электронный газ в cильных магнитных полях.
4. Электронный транспорт в мезоскопических диффузионных SN структурах.
Уравнения Узаделя. Теоретическое описание проводимости в диффузионном SN контакте. Безотражательное туннелирование и возвратное сопротивление в SN контактах. Эффект близости. Длина когерентности в нормальном металле в диффузионном пределе. Экспериментальные исследования проводимости в планарных диффузионных SN структурах.
5. Когерентный зарядовый транспорт в баллистических SNS структурах.
Андреевские уровни энергии в баллистических SNS структурах. Теоретическое описание джозефсоновского сверхтока в структурах. Магнитополевые и температурные зависимости критического сверхпроводящего тока в баллистических SNS структурах. Экспериментальные исследования джозефсоновского сверхтока в баллистических гибридных SNS структурах на основе сверхпроводников и двумерного электронного газа.
6. Баллистические джозефсоновские SNS структуры. Резистивное состояние.
Теоретическое описание многократного Андреевского отражения. Модель Кюммеля –Гунзенхаймера-Никольски. Модель Октавио –Тинкхама- Блондера- Клапвика. Подщелевая проводимость. Экспериментальные исследования дифференциальной проводимости в баллистических гибридных SNS структурах на основе сверхпроводников и двумерного электронного газа.
7. Когерентный зарядовый транспорт в мезоскопических диффузионных SNS структурах.
Теоретическое описание джозефсоновского сверхтока в коротких и длинных мезоскопических диффузионных SNS структурах. Магнитополевые и температурные зависимости критического сверхпроводящего тока в джозефсоновских диффузионных SNS структурах. Экспериментальные исследования джозефсоновского сверхтока в планарных субмикронных SNS структурах на основе сверхпроводников и нормальных металлов.
8. Планарные мезоскопические диффузионные SNS структуры. Резистивное состояние.
Теоретическое описание эффекта близости и многократного Андреевского отражения в коротких и длинных мезоскопических диффузионных SNS структурах. Экспериментальные исследования дифференциальной проводимости в диффузионных гибридных SNS структурах на основе сверхпроводников и нормальных металлов.
9. Ток-фазовые соотношения в джозефоновских SNS структурах. Влияние микроволнового излучения на электронный транспорт в структурах.
Экспериментальные исследования ток-фазовых соотношений в планарных субмикронных джозефоновских SNS структурах. Двухконтактный СКВИД. Шапиро ступени.
10. Когерентный электронный транспорт и неравновесные нелокальные эффекты в многотерминальных планарных субмикронных структурах на основе гибридных систем сверхпроводник/ нормальный металл.
Кросс-андреевское отражение, процессы упругого ко-туннелирования. Экспериментальные исследования зарядового разбаланса в планарных структурах с джозефсоновскими SNS переходами и инжекторами из нормального металла.
11. Электронный транспорт в гибридных структурах на основе полупроводниковых нанопроволок и сверхпроводящих электродов в сильном магнитном поле.
Экспериментальные исследования по поиску майорановских мод нулевой энергии в системах сверхпроводник/ полупроводниковая нанопроволока.
12. Когерентный электронный транспорт в джозефсоновских структурах на основе сверхпроводников и топологических изоляторов.
Экспериментальные исследования джозефсоновского тока и дифференциальной проводимости в магнитном поле, влияния микроволнового излучения на электронный транспорт в структурах сверхпроводник/ топологический изолятор/ сверхпроводник.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. “Электронные свойства двумерных систем”, M.: “Мир”,1985
2. Абрикосов А.А. - Основы теории металлов - Издательство "Физматлит" - 2010 - 600с. ISBN: 978-5-9221-1097-6 - Текст электронный // ЭБС ЛАНЬ - URL: https://e.lanbook.com/book/2093
3. Й. Имри, “Введение в мезоскопическую физику”, M.: Физматлит, 2002
4. В. В. Шмидт “Введение в физику сверхпроводников”, М.: МЦНМО, 2000
Дополнительный список
1. Th. Schaepers, “Superconductor/Semiconductor Junctions”, Springer Tracts in Modern Physics, Vol. 174, Berlin: Springer, 2001
2. C. W. J. Beenakker, H. van Houten, “ Quantum Transport in Semiconductor Nanostructures”, Solid State Physics, volume 44, p. 1, Academic, New York, 1991
3. S. De Franceschi, L. Kouwenhoven, C. Schoenenberger, W. Wernsdorfer, “Hybrid superconductor-quantum dot devices”, Nature Nanotechnology, vol. 5, No. 10, p. 703, 2010
4. H. Courtois, P. Gandit , B. Pannetier, D. Mailly, “Long-range coherence and mesoscopic transport in N–S metallic structures”, Superlattices and Microstructures, vol. 25, No. 5/6, p. 721, 1999
5. A. A. Golubov, M. Yu. Kupriyanov, E. Il’ichev, “The current-phase relation in Josephson junctions”, Review of Modern Physics, vol. 76, p. 411, 2004
6. P. Cadden-Zimansky and V. Chandrasekhar, “Nonlocal Correlations in Normal-Metal
Superconducting Systems”, Physical Review Letters, vol. 97, p. 237003, 2006
7. J. Brauer et al., “Nonlocal transport in normal-metal/superconductor hybrid structures: Role of interference and interaction”, Physical Review B, vol. 81, p.024515, 2010
8. J. Cayao, et al., “Andreev spectrum and supercurrents in nanowire-based SNS junction containing Majorana bound states”, Beilstein Journal of Nanotechnology, vol. 9, 1339, 2018
9. H. Zhang et al., “Quantized Majorana conductance”, Nature (London), vol. 56, p. 74, 2018
10. M. P. Stehno et al., “Josephson Effect and Charge Distribution in Thin Bi2Te3 Topological Insulators”, Advanced Materials, vol. 32, No. 14, 1908351, 2020
11. P. Schueffelgen et. al., “Selective area growth and stencil lithography for in situ fabricated quantum device”, Nature Nanotechnology, vol. 14, p. 825, 2019
Равновесные и неравновесные конденсированные системы
д.ф.-м.н. Аронин А.С.
Аннотация дисциплины
Настоящая дисциплина относится к вариативной части профессионального цикла дисциплин студентов, обучающихся на базовой кафедре «Физика конденсированных сред». В семестровом курсе «Равновесные и неравновесные конденсированные системы» изучаются фазовые равновесия и фазовые переходы в конденсированных системах. Анализируются диффузионные и бездиффузионные фазовые переходы и механизмы их осуществления, а также связь структурных характеристик с диаграммами фазового равновесия и физическими свойствами. Рассматривается формирование, структура и физические свойства сильнонеравновесных металлических систем (аморфных, квазикристаллических и нанокристаллических) и их эволюция при внешних воздействиях (температура, механические напряжения, магнитное поле).
Программа дисциплины
Целями освоения дисциплины «Равновесные и неравновесные конденсированные системы» являются:
• формирование у студентов профессиональных компетенций в области физики конденсированных сред, приобретение студентами навыков самостоятельной работы;
• формирование подходов, основанных на полученных знаниях, позволяющих проводить научные исследования и анализировать полученные результаты;
• развитие умений, позволяющих развивать качественные и количественные модели фазовых переходов в конденсированных системах и определять их корреляцию с физическими свойствами.
Дисциплина «Равновесные и неравновесные конденсированные системы» охватывает следующие темы:
• Диффузионные и бездиффузионные фазовые переходы. Связь структурных характеристик с диаграммами фазового равновесия. Механизмы фазовых превращений. Превращение «зарождение-рост». Рост без изменения состава.
• Диффузионного контроля скорости роста. Распад пересыщенных твердыхрастворов. Коалесценция по Оставальду. Спинодальный распад.
• Бездиффузионные фазовые переходы. Условия и особенности прямых и обратных бездиффу-зионных фазовых переходов. Мартенситная память формы.
• Структура, магнитные и механические свойства материалов в сильно неравновесном состоянии. Структура аморфных, квазикристаллических и нанокристаллических материалов, ее формирование и эволюция при внешних воздействиях. Стабильность наноструктуры и принципы ее определяющие. Способы получения и методы исследования структуры сильно неравновесных систем.
• Магнитные свойства металлических материалов в аморфном и нанокристаллическом состоянии. Температура Кюри, гистерезисные свойства, зависимость от состава и обработки. Магнито-упругие эффекты. Механические свойства аморфных и нанокристаллическитх материалов. Зависимость свойств от характеристик структуры.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика. Часть 1 (Том V). М.: Наука, Физматлит, 1995. – 608 с.
2. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. – 792 с.
3. Дж.Кристиан. Теория превращений в металлах и сплавах. М., Мир, 1978,- 980 с.
Дополнительный список
1. Дж.Мартин, Р.Доэрти. Стабильность микроструктуры металлических систем. М. Атомиздат, 1978 -290 с.
2. В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах. М.: Физматлит, 2005. – 232 с.
3. Р.З.Валиев, И.В..Александров, «Объемные нанострукрыне металлические материалы. Получение, структура, свойства», М., ИКЦ «Академкнига», 2008, 398 с.
Описание будет загружено позднее
Описание будет загружено позднее
Структура реальных кристаллов
к.ф.-м.н. Шашков И.В.
Аннотация дисциплины
В семестровом курсе «Структура реальных кристаллов» рассматриваются различного рода дефекты структуры и их влияние на свойства кристаллических твердых тел. Курс построен на последовательном рассмотрении точечных, линейных и плоских дефектов. Рассматривается влияние дефектов на прочностные, электрические, оптические свойства кристаллов. Описываются экспериментальные методы исследования дефектной структуры кристаллов.
Программа дисциплины
Целями освоения дисциплины «Структура реальных кристаллов» являются:
• формирование у студентов профессиональных компетенций в области физического материаловедения;
• приобретение навыков и знаний, позволяющих проводить научные исследования и анализировать полученные результаты;
Дисциплина «Структура реальных кристаллов» охватывает следующие темы:
• точечные дефекты, их образование и диффузия; вакансии и межузельные атомы; дефекты Френкеля и Шоттки;
• линейные дефекты; краевые и винтовые дислокации; механизмы движения;
• пластическая деформация как результат движения дислокации; процессы размножения дислокации, источники дислокации;
• коллективные явления при пластическом течении; неустойчивая пластическая деформация;
• плоские дефекты; внешние поверхности; структура чистых поверхностей (ступени, огранение-потеря огранки); адсорбированные атомы (реконструкция поверхности, двумерные фазы);
• внутренние поверхности раздела; малоугловые и высокоугловые границы, решеточные и зернограничные дислокации; границы совпадения, специальные и неспециальные границы;
• фазовые переходы на границах зёрен; огранение-потеря огранки, смачивание.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
1. Ж. Фридель. Дислокации. М., 1966.
2. Бокштейн Б.С., Копецкий Ч.В., Швиндлерман Л.С. Термодинамика и кинетика границ зерен в металлах. М.: Металлургия, 1986. 224 c.
Дополнительный список
1. Дж. Хирт, И. Лоте, Теория дислокаций. М., 1972.
2. Б.Б. Страумал. Фазовые переходы на границах зерен. Фасетирование, специальные и неспециальные границы, потеря огранки. М.: МИСиС, 2004. – 65 с.
3. Б.Б. Страумал. Фазовые переходы на границах зерен. Жидкофазное и твердофазное смачивание, предсмачивание, предплавление. М.: МИСиС, 2004. – 80 с.
4. Глейтер Г., Чалмерс Б. Большеугловые границы зерен. М.: Мир, 1975. 376 с.
5. G. Gottstein, L. S. Shvindlerman, Grain boundary migration in metals: thermodynamics, kinetics, applications. CRC Press, London, New York, 2010. 674p.
6. M. A. Lebyodkin, T. A. Lebedkina, A. Jacques, Multifractal analysis of unstable plastic flow, Nova Science Publishers, NY, 2009, 86 pages.
Оптика конденсированных сред
к.ф.-м.н. Ваньков А.Б.
Аннотация дисциплины
В семестровом курсе «Оптика конденсированных сред» изучаются основы оптической спектроскопии твердых тел. В начале рассмотрена взаимосвязь оптических характеристик твердых тел с их зонным строением. Процессы взаимодействия электромагнитного излучения с твердыми телами рассматриваются как в квантово-механическом формализме, так и в модели Лоренцевских осцилляторов. В первой половине курса разобраны оптические свойства объемных твердых тел, а далее изложены вопросы спектроскопии, связанные с низкоразмерными полупроводниковыми гетероструктурами – квантовых ям, сверхрешеток, квантовых точек. Рассмотрено влияние одночастичных и коллективных возбуждений на оптические свойствах твердых тел – экситонов, плазмонов, а также гибритных квазичастиц – экситонных поляритонов и плазмонных поляритонов в системах различной размерности – полупроводниковых и металлических наноструктурах. Обсуждаются прикладные аспекты использования этих процессов в оптоэлектронике.
Программа дисциплины
Целями освоения дисциплины «Оптика конденсированных сред» являются:
• формирование у студентов профессиональных компетенций, связанных с использованием современных теоретических концепций области в спектроскопии и физики конденсированных сред;
• формирование подходов, основанных на полученных знаниях, позволяющих проводить научные исследования и анализировать полученные результаты;
• развитие умений, позволяющих развивать качественные и количественные физические модели оптических свойств твердых тел и наноструктур.
Дисциплина «Оптика конденсированных сред» охватывает следующие темы:
• оптические свойства объемных твердых тел;
• межзонные и внутризонные оптические переходы, правила отбора;
• модель лоренцевских осцилляторов, комплексная диэлектрическа проницаемость и соотношения Крамерса-Кронига;
• оптические переходы в низкоразмерных структурах, энергетический спектр, плотность состояний и комбинированная плотность состояний в системах различной размерности;
• экситоны в кристаллах и наноструктурах, магнитоэкситоны;
• экситонные поляритоны трехмерные и двумерные, бозе-конденсация экситонных поляритонов и нелинейные оптические явления;
• квазичастицы в периодических слоистых наноструктурах, фотонные кристаллы и микрорезонаторы;
• методы оптической спектроскопии – фотолюминесценция, комбинационное рассеяние света в кристаллах и наноструктурах;
• плазмоны в металлах и низкоразмерных проводниках; поверхностные плазмоны и плазмонные поляритоны, их практические приложения.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. Оптическая спектроскопия объемных полупроводников и наноструктур, Тимофеев В.Б., Издательство: "Лань" (2015) ISBN: 978-5-8114-1745-2.
2. Оптические свойства наноструктур, Воробьев Л.Е., Ивченко Е.Л., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., 2001, ISBN 5-02-024.
3. Kittel.C, “Introduction to Solid State Physics”, 8th Edition, 2005, ISBN : 978-0-471-41526-8.
4. Mark Fox, «Optical properties of Solids», 2nd edition, ISBN: 0199573379, 0199573360 (2010).
Дополнительный список
1. С.В.Гапоненко, Н.Н.Розанов, Е.Л.Ивченко, А.В.Федоров, А.М.Бонч-Бруевич, Т.А.Вартанян, С.Г.Пржибельский, Оптика наноструктур. Под редакцией А.В.Федорова: Спб «Недра» , 2005.
2. Стефан А. Майер, Плазмоника. Теория и приложения, 2011, Издательство: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика" ISBN: 978-5-93972-875-1.
3. В.В.Климов «Наноплазмоника», М Физматлит, 2009. ISBN 978-5-9221-1030-3.
Спиновая физика в полупроводниковых структурах
к.ф.-м.н. Щепетильников А.В.
Аннотация
В рамках данного курса изучается физика спина в различных полупроводниковых структурах. Будут обсуждаться как базовые концепции спиновой физики, так и наиболее яркие спиновые эффекты современной физики конденсированного состояния.
Программа курса
1. Концепция спина. Спин и зонная структура полупроводника на примере GaAs. Обменное взаимодействие. Ферромагнетизм. Магнитные полупроводники.
2. Взаимодействие спина и орбитального момента электрона в объемных и низкоразмерных системах. Взаимодействие Дрессельхауза, Рашбы. Интерфейсный вклад. Энергия спинового расщепления и направление спина.
3. Движение спина в магнитном поле. ЭПР. Спиновый резонанс электронов проводимости на примере 2D систем и локализованных электронов на примере NV-центров. Фактор Ланде в полупроводниках. Врем спин-спиновой и спин-решёточной релаксации.
4. Взаимодействие спинов ядер и электронов. Сверхтонкое расщепление. Квадрупольное расщепление. Эффект Оверхаузера.
5. Ориентация электронных спинов оптическими методами. Правила отбора. Люминесценция. Эффект Ханле.
6. Биения спина в магнитном поле. Магнитооптические эффекты Керра и Фарадея. Метод pump-probe. Релаксация спина и спиновое расщепление.
7. Релаксация спина. Механизмы Эллиота-Яфета и Дьяконова-Переля.
8. Квантовый эффект Холла. Концепция нечетных факторов заполнения. Спиновое расщепление. Механизмы спиновой релаксации. Концепция спин-текстурных возбуждений.
9. Биения осцилляций Шубникова – де Гааза. Слабая антилокализация.
10. Спиновый эффект Холла: спин-зависимое рассеяние и спин-орбитальное взаимодействие. Аномальный эффект Холла. Ориентация спина постоянным током.
11. Концепция спинтроники. Спиновый транзистор. Спиновые токи. Инжекция спинов в полупроводник, спин-зависимое туннелирование. Эффект гигантского магнитосопротивления.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. Оптическая спектроскопия объемных полупроводников и наноструктур : учебное пособие Тимофеев В. Б. 2015
2. Ансельм А.И. Введение в полупроводники - Москва, ФМЛ. 1962
3. Kittel.C, “Introduction to Solid State Physics”, 8th Edition, 2005, ISBN : 978-0-471-41526-8. Киттель, Введение в физику твёрдого тела
Электроны в неупорядоченных системах
к.ф.-м.н. Храпай В.С.
Аннотация
Целями освоения дисциплины «Электроны в неупорядоченных средах» являются:
• формирование у студентов профессиональных компетенций, связанных с использованием современных представлений в области физики конденсированных сред,
• приобретение студентами навыков самостоятельной исследовательской работы,
• формирование подходов, основанных на полученных знаниях, позволяющих проводить научные исследования и анализировать полученные результаты,
• развитие умений, позволяющих развивать качественные и количественные физические модели электронных процессов в твердых телах.
Изучение дисциплины «Электроны в неупорядоченных системах» базируется на знаниях, полученных студентами при освоении учебных дисциплин:
• Квантовая механика
• Электричество и магнетизм
• Электронные свойства твердых тел
• Статистическая физика
• Электродинамика конденсированных сред
Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальнейшем при изучении дисциплин:
• Топологические эффекты в современной физике твёрдого тела
• Оптика конденсированных сред
Программа дисциплины
Тема 1. Переход металл-изолятор. Перенос заряда в изоляторе.
Переходы металл-изолятор. Переходы под влиянием беспорядка: модель Андерсона и мо-дель структурного беспорядка. Переход Мотта. Минимальная металлическая проводимость. Физические аспекты теории перколяции. Аппроксимация эффективной среды. Задачи узлов и связей. Перколяция в системе случайных узлов. Континуальные задачи. Перколяцонные пороги и критические индексы. Электронная структура примесной зоны в полупроводниках при слабом легировании. Кулоновская щель. Измерение электронного спектра при помощи туннельной спектроскопии. Переходы между локализованными состояниями. Разные типы прыжковой проводимости: прыжки на ближайших соседей и с переменной длиной прыжка. Законы Мотта и Шкловского-Эфроса.
Тема 2. Квантовые поправки к металлической проводимости и теория скейлинга.
Слабая локализация и квантовые поправки к проводимости. Оптический аналог слабой локализации. Антилокализация. Частота межэлектронных столкновений в грязном пределе. Эффект Аронова-Альтшулера. Скейлинговая гипотеза. Проводимость в критической области вблизи перехода металл-изолятор в трехмерных системах. Квантовый фазовый переход. Двумерные и одномерные системы. Скейлинг и спин-орбитальное взаимодействие.
Тема 3. Квантовый транспорт и локализация в одномерных системах.
Формализм Ландауэра для одномерных систем. Матрица рассеяния, собственные значения, кондактанс. Роль интерференции и сбоя фазы в сложении амплитуд рассеяния на дефектах. Задача о двухбарьерном рассеивателе. Усреднение по реализациям беспорядка. Локализация и роль корреляций беспорядка в одномерных системах.
Тема 4. Двумерные электронные системы. Квантовый эффект Холла.
Двумерные электронные системы в гетероструктурах и полевых транзисторах, зонная структура. Квазиклассические орбиты в перпендикулярном магнитном поле. Дрейф в скрещенных полях. Целочисленный квантовый эффект Холла. Спектр двумерных электронов в перпендикулярном магнитном поле. Механизм образования плато. Протяженные состояния в квантующем магнитном поле в присутствии длиннопериодного потенциала беспорядка. Дробный квантовый эффект Холла.
Рекомендованная литература и ссылки по теме
Основной список
1. В.Ф. Гантмахер Электроны в неупорядоченных средах, Москва, Физматлит, 3-е издание, 2013.
2. Б.И. Шкловский и А.Л. Эфрос Электронные свойства легированных полупроводников, Москва, Наука, 1979.
3. Н. Мотт Э. Девис Электронные процессы в некристаллических веществах, т.т. 1 и 2, Москва, Мир, 1982.
Дополнительная список
1. T. Giamarchi Quantum Physics in One Dimension, Oxford, 2003.
2. Й. Имри Введение в мезоскопическую физику, Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2004.
3. А. Эфрос Физика и Геометрия Беспорядка Библиотечка Квант, вып. 19, 1982.
Источники в Интернете:
1. Yuri M. Galperin. Introduction to Modern Solid State Physics. FYS 448, Department of Physics, P.O. Box 1048 Blindern, 0316 Oslo, https://folk.uio.no/yurig/fys448/f448pdf.pdf
2. Yuli V. Nazarov, Yaroslav M. Blanter. Quantum Transport. Introduction to Nanoscience. ISBN: 9780521832465, www.cambridge.org/9780521832465
Описание будет загружено позднее
Mobirise.com