Лаборатория профилированных кристаллов ИФТТ РАН

2005

1. V.N. Kurlov, N.V. Klassen, A.M. Dodonov, S.Z. Shmurak, G.K. Strukova, I.M. Shmyt’ko, S.E. Derenzo and M.J. Weber“Growth of YAG:Re3+(Re=Ce, Eu)-shaped crystals by the EFG/Stepanov technique” - Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2005, v. 537, iss. 1-2, pp. 197-199.

2. V.N. Kurlov, A.A. Kolchin,A.M. Dodonov, S.Z. Shmurak, G.K. Strukova, I.M. Shmyt’ko “of YAG:Re3+(Re=Ce, Tb, Eu) fibers for imaging systems”Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2005, v. 537, iss. 1-2, pp 219-222.

3. N.V. Abrosimov, A. Ludge, H. Riemann, V.N. Kurlov, D. Borissova, V. Klemm, H. Halloin, P. von Ballmoos, P. Bastie, B. Hamelin and R.K. Smither “Growth and properties of Ge1-xSix mosaic single crystals for Y-ray lens application” - J. Cryst. Growth, 2005, v. 275, pp. 495-500.

4. В.Н.Курлов “Выращивание профилированных кристаллов сапфира методом некапиллярного формообразования” – Наука производству, 2005 г., № 2, сс. 6-11.

5. В.Н.Курлов, С.Н.Россоленко “Автоматизация процесса выращивания профилированных кристаллов сапфира” – Наука производству, 2005 г., № 2, сс. 16-21.

6. В.Н.Курлов, С.В.Беленко “Выращивание профилированных кристаллов с модулированными легированными структурами Al2O3- Al2O3:Ti3+ ” – Наука производству, 2005 г., № 2, сс. 24-28.

7. В.Н.Курлов, П.А.Гуржиянц, А.М.Бильгич, Е.Фогес “Выращивание сапфировых кристаллов с капиллярными каналами для источников плазмы ” – Наука производству, 2005 г., № 2, сс. 32-35.

8. В.Н.Курлов, Ф.Теодор, Т.Дюффар, Ж.-Л.Санталье “Выращивание сапфировых полусфер GES методом” – Наука производству, 2005 г., № 2, сс. 39-43.

9. М.Ю.Старостин, В.Н.Курлов, П.А.Гуржиянц “Прочность профилированных кристаллов сапфира” – Наука производству, 2005 г., № 2, сс. 44-48.

10. Н .В.Классен, В.Н.Курлов, И.М.Шмытько “Применение профилированных кристаллов сапфира и других оксидных кристаллов в радиационной и ядерной технике” – Наука производству, 2005 г., № 2, сс. 48-55