Публикации
Институт физики твердого тела РАН
Лаборатория профилированных кристаллов

       
       2007

1.     Smirnova O.V., Kalaev V.V., Makarov Yu.N., Abrosimov N.V., Riemann H., Kurlov V.N. “Three-dimensional unsteady modeling analysis of silicon transport in the melt during Cz growth of Ge1-XSiX bulk crystals” – Journal of Crystal Growth, 2007, v. 303, pp. 141-145.

2.    Толстун А.Н., Кийко В.М., Курлов В.Н., Колчин А.А, Новохатская Н.И., Милейко С.Т. “Получение, микроструктура и высокотемпературные механические свойства некоторых эвтектических оксидных волокон.” – Деформация и разрушение материалов, 2007, № 3, сс.12-20.

3.    Курлов В.Н., Классен Н.В., Асрян А.А., Шикунова И.А. «Профилированные кристаллы сапфира для фотодинамической терапии» - Российский биотерапевтический журнал, 2007, № 1, с.19.

4.    A.V. Zhdanov, S.N. Rossolenko, and V.A. Borodin, Mathematical modeling of the multi-run process of crystal pulling from the melt by EFG (Stepanov) technique in dependence on the angle of inclination of the working edges of the dies, Cryst. Res. Technol., v. 42, 2007, 4, pp. 325-332.