ЛСПП - Исследования

Исследования электронной и атомно-кристаллической структуры соединений РЗМ (манганитов, палладосилицидов) методами электронной спектроскопии;
Исследование электронной и атомной структуры ультратонких металлических покрытий на поверхностях полупроводников типа А3В5 и графита;
Создание низкоразмерных систем нанообъектов на основе заполненных различными материалами (металлы и полупроводники) пустот двумерных (квазидвумерных) опаловых матриц (1 – 10 слоев SiO2 сфер), исследование их электронной и атомной структуры и транспортных свойств;
Создание низкоразмерных структур (квантовые точки, нити, 2Д метарешетки) благородных, переходных и редкоземельных металлов на вицинальных (террасированных) поверхностях полупроводников (кремний) и металлов (вольфрам, молибден, медь) и их исследование методами зондовой микроскопии (АСМ, СОМБП, СТМ) и электронной спектроскопии;
Физическое материаловедение тугоплавких металлов;
Создание и исследование планарных структур на базе С60 (совместно с ЛСДС, ЛМХ, ЛКТ, ИПТМ);
Исследование электронной структуры и физико-химических свойств металлопорфириновых макромолекул и комплексов;
Разработка и создание низкотемпературного сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа;
Разработка вакуумного комплекса на базе зондового микроскопа Smena, позволяющего исследовать поверхность изучаемого объекта с нанометровым разрешением при охлаждении образца до азотных температур (совместно с компанией НТ-МДТ, г. Зеленоград);
Исследование поверхности β-SiC(100) в широком интервале температур (80К - 1200К): атомная структура и электронные свойства;
Фотоэлектронная эмиссия из двумерного канала, образованного вблизи поверхности узкозонных полупроводников;
Исследование структуры и электронных свойств (100) поверхности модификации Sn на InSb(100);