в Лабораторию профилированных кристаллов:
- специализация в области оптических волновых устройств для лазерной медицины и биофотоники - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию сверхпроводимости:
Экспериментальные исследования в области тонкопленочных джозефсоновских структур на основе туннельных и ферромагнитных барьеров, опыт разработки и изготовления тонкопленочных структурных методов ионно-плазменного осаждения и обработки, а также опыт экспериментальных исследований в криостате Не-4 - полная производительность, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию электронной кинетики:
- специализация в области сверхпроводимости в СВЧ-диапазоне резонансных методов и изготовления Ван-дер-Ва-Ва-Ваальсовых гетероструктур - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специализация в области полупроводниковой оптики для исследований когерентных коллективных явлений, возникающих в неравновесных блоках конденсатов в экситонных поляритонах в планарных полупроводниковых микрорезонаторах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- специализация в области микроволновой / терагерцовой спектроскопии полупроводников, плазмоники различных двумерных материалов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
- спецификация в области спектроскопии фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света на низкоразмерных электронных устройствах при низких температурах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию поверхностей раздела в металлах:
- специалиста в области исследования влияния внутренних границ раздела на структуру и свойства сплавов – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов - со дня опубликования до 17:00 30.07.2020г.