в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области магнитооптики экситонных состояний в новых полупроводниковых материалах, оптики низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области низкотемпературного исследования электродинамического отклика двумерных электронных систем – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
в Лабораторию сверхпроводимости:
- специалиста в области исследования тонкопленочных
джозефсоновских структур на основе туннельных и ферромагнитных барьеров, проектирования и изготовления тонкопленочных структур методами ионно-плазменного
осаждения и обработки, экспериментальных исследований в криостате Не-4 - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области изучения структуры внутреннего сопротивления твердооксидных топливных элементов методом электрохимических исследований - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять Ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.