в Лабораторию сверхпроводимости:
- специалиста в области исследования структуры магнитного потока в сверхпроводниках и магнетиках методом низкотемпературного декорирования - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
в Лабораторию спектроскопии дефектных структур:
- специалиста в области разработки защитных покрытий токовых коллекторов батарей ТОТЭ – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области разработки твердооксидных топливных элементов для батарей ТОТЭ с улучшенными массогабаритными характеристиками – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области химии дефектов и переноса заряда в оксидах со смешанной кислород-ионной и электронной проводимостью - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области технологии волоконных композитов - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
в Лабораторию физико-химических основ кристаллизации:
- специалистов в области роста кристаллов и исследования свойств полупроводников – 0.5 ставки, 2 вакансии сроком на 4 года;
в Лабораторию технологий твердооксидных электролизных и топливных элементов:
- специалиста в области химии дефектов и переноса заряда в оксидах со смешанной кислород-ионной и электронной проводимостью - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области исследования волновой и вихревой турбулентности на поверхности и в объеме классической и квантовой жидкости - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области жидких кристаллов, динамики фазовых переходов в частично упорядоченных конденсированных средах - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
- специалиста в области исследования влияния электрических воздействий на структурные превращения в конденсированных средах - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
в Лабораторию профилированных кристаллов:
- специалиста в области диагностической оптики и биофотоники – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 2 года;
- специалиста в области материалов и методов ТГц биофотоники - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
в Сектор нанолитографии:
- специалиста в области исследования свойств слоистых электронных систем в полупроводниковых гетероструктурах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области исследования плазмон-поляритонных возбуждений в двумерных электронных системах - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
С победителями конкурса будут заключены срочные трудовые договоры. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.