в Лабораторию физико-химических основ кристаллизации:
- специалиста в области синтеза и транспортных методов роста кристаллов халькогенидов металлов - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию квантовых кристаллов:
- специалиста в области исследования магнитных свойств тонкопленочных гетероструктур
- полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области фотоники и спектроскопии (экспериментальные исследования экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах и экситонных комплексов в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах на основе монослоёв дихалькогенидов переходных металлов методом микрофотолюминесценции) - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию квантового транспорта:
- специалиста в области транспортных свойств топологических материалов со слоистой структурой, магнитными свойствами и ферроэлектрической поляризацией - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 09.07.2023г.