в Лабораторию профилированных кристаллов:
- специалиста в области выращивания из расплава монокристаллических и эвтектических оксидных волокон и исследования их характеристик - полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области исследования полупроводниковых соединений методами оптоэлектронного зондирования - 0,5 ставки должности научного сотрудника ИФТТ РАН и 0,5 ставки в проекте РНФ 19-72-30003 на срок выполнения проекта РНФ 19-72-30003;
С победителями конкурса будут заключены срочные трудовые договоры. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН.
Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 08.12.2023г.