Будем признательны за отзыв о нашем институте! Ваше мнение формирует официальный рейтинг организации: Анкета доступна по QR-коду, а также по прямой ссылке: https://bus.gov.ru/qrcode/rate/359057
- специалиста в области силовой электроники для топливных элементов, сверхвысоковакуумных систем получения тонких сверхпроводящих пленок – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. Срок подачи документов – со дня опубликования до 18:00 28.01.2022г.
- специалиста в области физики конденсированного состояния, радиационных и ядерных технологий, твердооксидных электролизных и топливных элементов – полная ставка, 1 вакансия сроком на 5 лет;
С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. Срок подачи документов – со дня опубликования до 17:30 28.01.2022г.
- специалиста в области нелинейных волновых и вихревых процессов - 0.1 ставки, 1 вакансия сроком на 5 лет;
С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявление и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.
в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области время-разрешённой магнитооптики низкоразмерных гетероструктур, спектроскопии неупругого рассеяния света в конденсированных средах, сильно коррелированных двумерных электронных систем и спиновой физике полупроводников – полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
в Лабораторию электронной кинетики:
- специалиста в области шумовых исследований теплового кондактанса гибридных структур «полупроводник-сверхпроводник» - 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять Ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.
в Лабораторию неравновесных электронных процессов:
- специалиста в области магнитооптики экситонных состояний в новых полупроводниковых материалах, оптики низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года; - специалиста в области низкотемпературного исследования электродинамического отклика двумерных электронных систем – 0.5 ставки, 1 вакансия сроком на 4 года;
в Лабораторию сверхпроводимости: - специалиста в области исследования тонкопленочных джозефсоновских структур на основе туннельных и ферромагнитных барьеров, проектирования и изготовления тонкопленочных структур методами ионно-плазменного осаждения и обработки, экспериментальных исследований в криостате Не-4 - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
в Лабораторию спектроскопии дефектных структур: - специалиста в области изучения структуры внутреннего сопротивления твердооксидных топливных элементов методом электрохимических исследований - полная ставка, 1 вакансия сроком на 2 года;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор. Заявления и документы согласно Положению о конкурсе (www.issp.ac.ru) направлять Ученому секретарю ИФТТ РАН Терещенко А.Н. по адресу: 142432 г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН. Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования.