Юрий Андреевич Осипьян
1931 -2008 гг.
Академик Юрий Андреевич Осипьян – выдающийся ученый и организатор отечественной науки, привнесший неоценимый вклад в развитие физики конденсированного состояния вещества, физику прочности и пластичности твердых тел. Академик Осипьян является основатель Института физики твердого тела РАН, в течение многих лет он был членом Президиума Российской Академии наук и АН СССР, председателем и членом Президиума научного центра РАН в Черноголовке, советником Президента СССР.
Юрий Андреевич Осипьян родился 15 февраля 1931 года в Москве. В 1955 году он окончил Московский институт стали и сплавов по специальности «инженер-металлург» и начал научную работу в Институте металловедения и физики металлов Центрального научно-исследовательского института черной металлургии. Параллельно он получил дополнительное теоретическое образование на мехмате МГУ им. М.В.Ломоносова. В 1962 году под руководством академика Г.В.Курдюмова он защитил кандидатскую диссертацию. Выдающиеся таланты Юрия Андреевича, ученого и организатора, проявились при организации, становлении и развитии Института физики твердого тела. С 1962 г. по 1963 г. Ю.А.Осипьян являлся заместителем директора по научной работе Института кристаллографии АН СССР, с 1963 г. по 1973 г. - заместителем директора по научной работе и с 1973 г. до 2002 г. - директором Института физики твердого тела АН СССР. В 2002 г. академик Ю.А.Осипьян стал научным руководителем Института физики твердого тела РАН.
Свой талант выдающегося ученого Юрий Андреевич отдал физике твердого тела. Им опубликованы более 200 научных работ, посвященных теории фазовых превращений, физике прочности, физике электрических и магнитных явлений, физике полупроводников, оптике и т.д. В начале 60-х годов Ю. А. Осипьян начал проводить пионерские экспериментальные исследования, связанные с изучением взаимодействия электронов с протяженными дефектами в кристаллах. В этот период он открыл неожиданное и интересное явление, известное в настоящее время в научной литературе как фотопластический эффект. Ю. А. Осипьян совместно с учениками обнаружил электропластический эффект и наличие заряда на дислокациях в полупроводниках А2В6, существование кластеров «оборванных» валентных связей в ядрах дислокаций в кремнии, электронный спиновый резонанс и спин-зависимую рекомбинацию на дислокациях. Изящные эксперименты по высокочастотной проводимости привели к обнаружению квази-одномерных электронных зон, связанных с дислокациями и комбинированного резонанса электронов на дислокациях в кремнии. Было установлено влияние магнитного поля на пластическую деформацию сверхпроводников и было показано, что состояние электронной системы сильно влияет на пластическую деформацию, т.е. на движение дислокаций через исследуемый кристалл, и, в свою очередь, введение дислокаций приводит к изменению свойств электронной системы в пластически деформированных кристаллах. Из первых экспериментов по электронному парамагнитному резонансу на оборванных связях в настоящее время развился мощный метод диагностики полупроводников - ЭПР спектроскопия дефектов в полупроводниках.
Все эти работы послужили становлению новой, успешно развивающейся области физики - физики дислокаций в полупроводниковых кристаллах. Вклад Ю. А. Осипьяна и созданной им научной школы в развитии этого направления физики твердого тела получили широкое международное признание, а российская наука в области дислокационной физики твердого тела заняла ведущее положение. В 1972 г. Юрий Андреевич был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР и в 1981 г. академиком АН СССР. За исследования в области физики дислокаций в 1984 году Ю. А. Осипьян был награжден Академией наук СССР одной из высших наград по физике - Золотой медалью им. П. Н. Лебедева. Позже он был награжден Международной премией и Золотой медалью им. А. П. Карпинского.
Блистательный талант научного руководителя Ю.А. Осипьян продемонстрировал, создав и возглавив Государственную программу СССР по высокотемпературной сверхпроводимости. По его предложению в ИФТТ РАН был проведен ряд исследований структурных и физических свойств кристаллов высокотемпературных сверхпроводников, в частности, изучена структура магнитного потока в сверхпроводнике, анизотропия проводимости. Проведенные под его руководством исследования быстро завоевали авторитет и международное признание в этой актуальной области физики. Неоценим вклад Юрия Андреевича в организацию научных исследований в масштабах нашей страны, который он осуществлял, находясь на различных высоких постах в структуре Президиума РАН.
Делом всей его жизни стала организация и становление Института физики твердого тела РАН, подбор и воспитание научных кадров, обеспечение и поддержание высокого научного уровня ведущихся в нем исследований. В настоящее время ИФТТ РАН представляет собой одно из крупнейших академических учреждений физического профиля в России, является признанным научным центром, где проводится широкий круг исследований в области физики конденсированного состояния и физического материаловедения.
Юрий Андреевич Осипьян был прекрасным педагогом и воспитателем научных кадров. По его инициативе в Черноголовке при ИФТТ РАН были созданы кафедра физики твердого тела Московского физико-технического института и филиал кафедры физической химии Московского института стали и сплавов. На протяжении многих лет он читал лекции студентам и аспирантам. До самых последних дней своей жизни заведовал кафедрой физики твердого тела МФТИ. Под руководством Ю.А.Осипьяна защитили диссертации десятки будущих крупных российских ученых. Позже по инициативе Юрия Андреевича был создан физико-химический факультет Московского Государственного университета, который сейчас успешно работает, набирает силы и авторитет.
Заслуги Юрия Андреевича получили широкое международное признание. Он являлся иностранным членом национальных академий Болгарии, Венгрии, Польши, Чехии, членом Национальной инженерной академии США, Международной академии астронавтики, он успешно возглавлял Международный Союз в области чистой и прикладной физики (IUPAP). Заслуги Ю.А.Осипьяна нашли отражение и в высших правительственных наградах. В 1986 году он получил почетное звание Героя Социалистического труда, в 1999 году был награжден орденом «За заслуги перед отечеством II степени». В 2005 году Ю.А.Осипьн награжден высшей наградой Российской академии наук Большой золотой медалью Российской академии наук им. М.В.Ломоносова 2005 года за фундаментальный вклад в физику дислокаций в твердых телах и открытие фотопластического эффекта.
