Группа оптической литографии
 |
Установка совмещения MJB-4 предназначена для проведения контактной фотолитографии на различного типа образцах с целью получения полупроводниковых, металлических, сверхпроводящих, гетеро- и других структур и приборов с характерным размером элемента 1 микрон.
Контактная фотолитография представляет собой процесс создания маски из фоторезиста (специальной полимерной пленки чувствительной к электромагнитному излучению ) на поверхности образца, повторяющей рисунок фотошаблона. Фотошаблон - это прозрачная основа с рисунком непрозрачным для излучения установки, также называется маской.
Экспонированные участки покрытия фоторезиста на поверхности образца вымываются в процессе проявления, создавая таким образом рисунок на поверхности образца.
Держатель фотошаблона фиксирует маску с полезным размером структуры до 40х40 квадратных миллиметров.
Микрометрические подвижки механического перемещения образца относительно шаблона позволяют производить совмещение либо позиционирование с точностью до долей микрона.
Автоматический таймер экспонирования вместе с датчиками падающей световой мощности дают возможность очень тонкого контроля величины экспозиции, что способствует улучшению воспроизводимости результатов.
Виброизолирующая платформа установки способствует надежности результатов и удобству эксплуатации.
Микрофотография периодически расположенных канавок в фоторезисте с интервалом и шириной 2 микрона.
Изображение сечения фоторезистивной маски после проведения процедуры ионного аргонового травления металлической тонкой пленки пермаллоя на поверхности подложки из окисленного кремния, полученное на СЭМ.