|
|
Группа плазмохимического травления и осаждения
|
Установки плазмо-химического травления PlasmaLab System 100 (Oxford Plasma Technology) предназначены для проведения презиционного направленного и изотропного травления материалов в атмосфере фтористой плазмы (для кремния и его соединений, включая Бош-процесс; одна установка) и хлористой плазмы (для соединений типа III-V и II-VI, металлов, оксидов; вторая установка).
|
Система Plasmalab System 100 позволяет наиболее гибко проводить процессы травления в индуктивно-связанной плазме (ICP), реактивно-ионного травления (RIE), плазмохимического травления (PE). Данная система способна решить широкий круг задач в области составных полупроводников, оптоэлектроники, фотоники, микромеханики (MEMS) и микропневматики.
Возможные применения:
- Крио-травление Si, Bosch-процессы глубокого травления Si и SOI для MEMS-структур, микропневматики и фотоники
- Процессы травления соединений A3B5 для огранки лазеров, формирования переходных отверстий, кристаллов для фотоники и многих других приложений в широком спектре материалов (InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN, HgTe и т.д.)
- Травление металлов (Nb, W и других)
Основные характеристики:
- Рабочие газы (SF6, СНF3, CF4, С4F8), Ar, N2, Н2, СН4, О2, Не, (Cl2, BCl3)
- Бош-процесс для направленного глубокого травления кремния
- Режимы травления: реактивное ионное (RIE); изотропное плазмохимическое (PE); плазмохимическое травление с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP Etch) во фтористой атмосфере
- Размер обрабатываемых пластин до 100 мм
- Оптический эмиссионный спектрометр для контроля травления (остановки по достижении слоя определенного материала)
- Полностью безмасляная система откачки
- 8-дюймовый подложкодержатель, позволяющий проводить небольшие серийные загрузки для пилотных партий (6 пластин диаметром 50 мм)
- Опциональный выбор между загрузкой отдельных пластин и кассетной загрузкой через шлюзовую камеру. PlasmalabSystem100 может быть включена в кластер с центральной автоматической транспортировкой кассет
- Температура подложки контролируется в диапазоне от -150oC до +700oC
- Лазерный интерферометр и/или оптический эмиссионный спектрометр могут быть установлены для контроля окончания процесса
- 6-ти или 12-ти канальные газовые магистрали позволяют гибко настроить процесс и установить большую часть системы в «серой» зоне
|
